電壓參數(shù)集射極額定電壓：這是IGBT能夠承受的集電極與發(fā)射極之間的最高電壓，超過此電壓可能會導(dǎo)致IGBT發(fā)生擊穿損壞。不同應(yīng)用場景需要選擇不同的IGBT模塊，如在中低壓變頻器中，常選用、的IGBT模塊，而在高壓輸電等領(lǐng)域則可能需要及以上的產(chǎn)品。柵射極額定電壓：是指IGBT柵極與發(fā)射極之間允許施加的最大電壓，一般在左右，超過這個范圍可能會損壞柵極絕緣層，導(dǎo)致IGBT失效。集射極飽和壓降：IGBT導(dǎo)通時，集電極與發(fā)射極之間的電壓降，它直接影響IGBT的導(dǎo)通損耗，越低，導(dǎo)通損耗越小，效率越高。國內(nèi)IGBT企業(yè)通過技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴張?zhí)嵘袌龈偁幜Αtandard 2-packigbt模塊
家電領(lǐng)域變頻空調(diào)：IGBT模塊用于空調(diào)的變頻控制系統(tǒng)中，通過調(diào)節(jié)壓縮機的轉(zhuǎn)速，使空調(diào)能夠根據(jù)室內(nèi)環(huán)境溫度的變化自動調(diào)整制冷或制熱能力，實現(xiàn)精確的溫度控制。與傳統(tǒng)定頻空調(diào)相比，變頻空調(diào)具有節(jié)能、舒適、噪音低等優(yōu)點，節(jié)能效果可達30%左右。冰箱：在一些冰箱的壓縮機驅(qū)動系統(tǒng)中采用了IGBT模塊的變頻技術(shù)，能夠根據(jù)冰箱內(nèi)的實際負載情況和環(huán)境溫度變化，實時調(diào)整壓縮機的運行速度和功率，使冰箱始終保持在的運行狀態(tài)，降低能耗，延長壓縮機的使用壽命。楊浦區(qū)明緯開關(guān)igbt模塊IGBT模塊用于軌道交通車輛的牽引變流器和輔助變流器。
散熱基板：一般由銅制成，因為銅具有良好的導(dǎo)熱性，不過也有其他材料制成的基板，例如鋁碳化硅（AlSiC）等。銅基板的厚度通常在3 - 8mm。它是IGBT模塊的散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，主要負責(zé)將IGBT芯片工作過程中產(chǎn)生的熱量快速傳遞出去，以保證模塊的正常工作溫度，同時還發(fā)揮機械支撐與結(jié)構(gòu)保護的作用。二極管芯片：通常與IGBT芯片配合使用，其電流方向與IGBT的電流方向相反。二極管芯片可以在IGBT關(guān)斷時提供續(xù)流通道，防止電流突變產(chǎn)生過高的電壓尖峰，保護IGBT芯片免受損壞。
IGBT 模塊是 Insulated Gate Bipolar Transistor Module 的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管模塊，它是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片與 FWD（快恢復(fù)二極管）芯片通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體器件。工作原理導(dǎo)通原理：當(dāng)在IGBT的柵極和發(fā)射極之間施加正向電壓時，柵極下方的半導(dǎo)體表面會形成反型層，從而形成導(dǎo)電溝道，使得集電極和發(fā)射極之間能夠?qū)娏鳌４藭r，IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流可以從集電極流向發(fā)射極。關(guān)斷原理：當(dāng)柵極和發(fā)射極之間的電壓降低到一定程度時，反型層消失，導(dǎo)電溝道被切斷，集電極和發(fā)射極之間的電流無法通過，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。未來，IGBT模塊行業(yè)將迎來更加廣闊的發(fā)展空間和機遇。
高壓直流輸電（HVDC）：在高壓直流輸電系統(tǒng)中，IGBT 模塊組成的換流器實現(xiàn)交流電與直流電之間的轉(zhuǎn)換。將送端交流系統(tǒng)的電能轉(zhuǎn)換為高壓直流電進行遠距離傳輸，在受端再將直流電轉(zhuǎn)換為交流電接入當(dāng)?shù)亟涣麟娋W(wǎng)。與傳統(tǒng)的交流輸電相比，高壓直流輸電具有輸電損耗小、輸送容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點，IGBT 模塊的高性能保證了換流過程的高效和可靠。
柔性的交流輸電系統(tǒng)（FACTS）：包括靜止無功補償器（SVC）、靜止同步補償器（STATCOM）等設(shè)備，IGBT 模塊在其中起到快速調(diào)節(jié)電力系統(tǒng)無功功率的作用，能夠動態(tài)補償電網(wǎng)中的無功功率，穩(wěn)定電網(wǎng)電壓，提高電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和輸電能力。 IGBT模塊是絕緣柵雙極型晶體管與續(xù)流二極管的模塊化產(chǎn)品。英飛凌igbt模塊代理品牌
IGBT模塊通過非通即斷的半導(dǎo)體特性實現(xiàn)電流的快速開斷。Standard 2-packigbt模塊
按芯片技術(shù)分類平面型IGBT模塊：是較早出現(xiàn)的技術(shù)，其芯片結(jié)構(gòu)簡單，成本相對較低，但在性能上有一定局限性，如開關(guān)速度、通態(tài)壓降等方面。常用于一些對性能要求不是特別高、成本敏感的應(yīng)用場景，像普通的工業(yè)加熱設(shè)備等。溝槽型IGBT模塊：采用溝槽結(jié)構(gòu)來增加芯片的有效面積，提高了電流密度，降低了通態(tài)壓降，同時開關(guān)速度也有所提升。在新能源汽車、光伏等對效率和性能要求較高的領(lǐng)域應(yīng)用多樣，能有效提高系統(tǒng)的效率和功率密度。場截止型IGBT模塊：通過在芯片內(nèi)部設(shè)置場截止層，優(yōu)化了IGBT的關(guān)斷特性，減少了關(guān)斷損耗，提高了模塊的開關(guān)頻率和效率。適用于高頻、高壓、大功率的應(yīng)用場合，如高壓變頻器、風(fēng)力發(fā)電變流器等。Standard 2-packigbt模塊
