覆銅陶瓷基板（DBC基板）：主要由中間的陶瓷絕緣層以及上下兩面的覆銅層組成，類似于2層PCB電路板，但中間的絕緣材料是陶瓷而非PCB常用的FR4。它起到絕緣、導熱和機械支撐的作用，既能保證IGBT芯片與散熱基板之間的電絕緣，又能將IGBT芯片工作時產生的熱量快速傳導出去，同時為電路線路提供支撐和繪制的基礎，覆銅層上可刻蝕出各種圖形用于繪制電路線路。鍵合線：用于實現IGBT模塊內部的電氣互聯，連接IGBT芯片、二極管芯片、焊點以及其他部件，常見的有鋁線和銅線兩種。鋁線鍵合工藝成熟、成本低，但電學和熱力學性能較差，膨脹系數失配大，會影響IGBT的使用壽命；銅線鍵合工藝具有優良的電學和熱力學性能，可靠性高，適用于高功率密度和高效散熱的模塊。IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。長寧區富士igbt模塊

新能源領域：

電動汽車：IGBT模塊是電動汽車電機控制器、車載空調、充電樁等設備的重要元器件，負責將電池輸出的直流電轉換為交流電，驅動電機運轉，提升車輛性能和能效。

新能源發電：在光伏逆變器和風力發電變流器中，IGBT模塊將直流電轉換為符合電網要求的交流電，提高發電效率和電能質量。

儲能系統：IGBT模塊控制電池的充放電過程，保障儲能系統的穩定性和可靠性，提升新能源電力的消納能力。

軌道交通領域：IGBT模塊應用于電力機車、地鐵、輕軌等軌道交通車輛的牽引變流器和輔助電源系統中，實現電能的轉換和控制，為車輛提供動力和輔助電源，保障安全穩定運行。 虹口區Standard 1-packigbt模塊IGBT模塊封裝過程中包括外觀檢測、靜態測試等工序。

結合MOSFET和BJT優點：IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR（雙極功率晶體管）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

電壓型控制：輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大。

按封裝形式：

IGBT 單管：將單個 IGBT 芯片與 FRD（快速恢復二極管）芯片以分立式晶體管的形式封裝在銅框架上，封裝規模小，電流較小，適用于消費和工業家電等對功率要求不高的場景。

IGBT 模塊：將多個 IGBT 芯片與 FRD 芯片通過特定電路橋接而成的模塊化產品，具有更高的集成度和散熱穩定性，常用于對功率要求較高的場合，如工業變頻器、新能源汽車等。

按內部結構：

穿通 IGBT（PT - IGBT）：發射極接觸處具有 N + 區，包括 N + 緩沖層，也叫非對稱 IGBT，具有不對稱的電壓阻斷能力，其特點是導通壓降較低，但關斷速度相對較慢，適用于對導通損耗要求較高的應用，如低頻、大功率的變流器。

非穿通 IGBT（NPT - IGBT）：沒有額外的 N + 區域，結構對稱性提供了對稱的擊穿電壓特性，關斷速度快，開關損耗小，但導通壓降相對較高，常用于高頻、開關速度要求高的場合，如開關電源、高頻逆變器等。 IGBT模塊在高壓大電流場景中表現出出色的可靠性與穩定性。

IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管模塊）憑借其獨特的性能，成為現代電力電子系統的重要器件。

高效能量轉換：降低損耗，提升效率

低導通損耗原理：IGBT模塊在導通狀態下，內部電阻極低（毫歐級），電流通過時發熱少。

價值：在光伏逆變器、電動車電機控制器中，效率可達98%以上，減少能源浪費。

低開關損耗原理：通過優化柵極驅動設計，IGBT模塊的開關速度極快（納秒級），減少開關瞬間的能量損耗。

價值：在高頻應用（如電磁爐、感應加熱）中，效率提升明顯，設備發熱更低。 IGBT模塊憑借高耐壓特性，成為高壓電力轉換裝置的理想之選。廣東igbt模塊PIM功率集成模塊

IGBT模塊出廠前進行功能測試，包括電氣性能、絕緣測試等。長寧區富士igbt模塊

交通運輸領域

電動汽車：在電動汽車的電機控制器中，IGBT 模塊控制驅動電機的電流和電壓，實現車輛的啟動、加速、減速和制動等功能。此外，在車載充電器中，IGBT 模塊將電網的交流電轉換為直流電，為動力電池充電。IGBT 模塊的性能直接影響電動汽車的動力性能、續航里程和充電效率。

軌道交通：在高鐵、地鐵等電力機車的牽引變流器中，IGBT 模塊把電網輸入的高壓交流電轉換為適合牽引電機的可變電壓、可變頻率的交流電，驅動列車運行。IGBT 模塊快速的開關速度和高耐壓能力，能夠滿足軌道交通大功率、高可靠性的要求，保障列車穩定、高效運行。 長寧區富士igbt模塊