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山東長方形碳化硅陶瓷

來源: 發(fā)布時間:2021-09-11

以α-SiC為原料,同時添加B和C,也同樣可實現(xiàn)SiC的致密燒結(jié)。研究表明:單獨使用B和C作添加劑,無助于SiC陶瓷充分致密。只有同時添加B和C時,才能實現(xiàn)SiC陶瓷的高密度化。為了SiC的致密燒結(jié),SiC粉料的比表面積應(yīng)在10m2/g以上,且氧含量盡可能低。B的添加量在0.5%左右,C的添加量取決于SiC原料中氧含量高低,通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。較近,有研究者在亞微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3,在1850℃~2000℃溫度下實現(xiàn)SiC的致密燒結(jié)。由于燒結(jié)溫度低而具有明顯細化的微觀結(jié)構(gòu),因而,其強度和韌性較大程度上改善。要保持碳化硅噴嘴的干燥,結(jié)合部分足夠承受碳化硅噴嘴正常運行時產(chǎn)生的壓力。山東長方形碳化硅陶瓷

碳化硅陶瓷的用途:1、能源環(huán)保,將煤氣在高溫下直接凈化,可充分利 Hexolov熱交換器用煤氣的顯熱,比之常溫凈化可較大程度上提高熱效率,將高溫凈化后的煤氣直接用于燃氣輪機發(fā)電,可以較大程度上提高供電效率,減低有害物的排量,節(jié)約用水?,F(xiàn)代燃煤發(fā)電系統(tǒng)中燃氣輪機設(shè)備的使用與環(huán)境保護的標(biāo)準(zhǔn)都要求實現(xiàn)高溫燃氣直接除塵。2、工業(yè)窯爐,輕工、建材、電子等行業(yè)大量使用各種工業(yè)窯爐,采用不同材質(zhì)碳化硅窯具的組合,可以大幅度減少窯具重量及其所占據(jù)的空間,提高能量利用率,減輕工人勞動強度。甘肅碳化硅陶瓷批發(fā)價格為進一步提高碳化硅陶瓷的力學(xué)性能,研究人員進行了碳化硅陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。

1974年美國GE公司通過在高純度β-SiC細粉中同時加入少量的B和C,采用無壓燒結(jié)工藝,于2020℃成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前,該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法。美國GE公司研究者認為:晶界能與表面能之比小于1.732是致密化的熱力學(xué)條件,當(dāng)同時添加B和C后,B固溶到SiC中,使晶界能降低,C把SiC粒子表面的SiO2還原除去,提高表面能,因此B和C的添加為SiC的致密化創(chuàng)造了熱力學(xué)方面的有利條件。然而,日本研究人員卻認為SiC的致密并不存在熱力學(xué)方面的限制。還有學(xué)者認為,SiC的致密化機理可能是液相燒結(jié),他們發(fā)現(xiàn):在同時添加B和C的β-SiC燒結(jié)體中,有富B的液相存在于晶界處。關(guān)于無壓燒結(jié)機理,目前尚無定論。

碳化硅陶瓷的良好導(dǎo)熱性能陶瓷的優(yōu)異性能與其獨特結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。SiC是共價鍵很強的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性只12%左右。因此,SiC強度高、彈性模量大,具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發(fā)生氧化,但氧化時表面形成的SiO2會阻止氧的進一步擴散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導(dǎo)體性,少量雜質(zhì)的引入會表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外,SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性。碳化硅主要有兩種晶體結(jié)構(gòu),即立方晶系的β- SiC和六方晶系的- SiC。

碳化硅螺旋噴嘴抗腐蝕、耐磨損、耐高溫,即便是在較惡劣的環(huán)境下也有超長的使用壽命,近年來,碳化硅螺旋噴嘴在火力發(fā)電廠、大型鍋爐等場所都有較為普遍的應(yīng)用,以下是碳化硅螺旋噴嘴在選購時的幾點方法和建議!1、碳化硅噴嘴應(yīng)選用小角度的,以液柱流(即射流)為非常好,這種具有一定沖擊力;2、扇形碳化硅螺旋噴嘴適用于清洗、脫脂、冷卻等方面,錐形噴嘴適用于漂淋、表層、磷化、加濕、除塵等方面,要根據(jù)自身情況選擇。螺旋噴嘴則異于此,它是通過水流撞擊螺旋的分成頁面,從而使得水滴被撞擊成霧,形成多次噴淋的效果。碳化硅磨料磨具,碳化硅的硬度很大,可制備成各種磨削用的砂輪、砂紙和磨料。常壓燒結(jié)碳化硅陶瓷

熱壓燒結(jié)碳化硅陶瓷,熱壓燒結(jié)即在燒結(jié)過程中施加一定的壓力。山東長方形碳化硅陶瓷

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