WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產品均不含鉛和鹵素，符合環保要求。

特點與優勢：

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V

· 可調輸出電壓：0.8V至5V

· 輸出電流：300mA

· 低功耗：靜態電流典型值為75μA，關機電流小于1μA

· 低壓降：在輸出電流為0.3A時，壓降為141mV。

· 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時，PSRR高達70dB

· 低輸出電壓噪聲：典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差：±2%

· 推薦電容器：建議使用1μF的電容器以優化性能

· 封裝與環保：SOT-23-5L

應用領域：

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數碼相機

· 藍牙、無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調整、高效的電流管理以及環保的封裝特性，成為便攜式電子設備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接，它都能為設備提供穩定、高效的電源支持。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開關 封裝：WDFN-8(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451NL

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電應用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應用而設計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。同時，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發揮出色。WPM1481作為無鉛產品，還符合環保要求。無論是用于驅動繼電器、電磁閥、電機還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WL2840DXXCESD5451N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現高效、穩定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環保封裝，符合現代電子產品的環保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩定性的電池管理系統。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現對電流的精確調節，從而實現對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。

ESD9B5VL：單線雙向瞬態電壓抑制器

產品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：20A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域

· 手機

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網絡通信設備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電等瞬態事件影響。適用于手機、平板等便攜式設備，保護敏感電子組件。高保護能力、低泄漏和低箝位電壓，穩定可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 ESD9X7V-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。

  BL1551B是一款模擬開關，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關。這種開關特別適用于數據和音頻信號的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優勢：

高帶寬：BL1551B具有高達350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應用的需求。

低導通電阻：在5V工作電壓下，其導通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關過程中的損失，保證信號的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達到-84dB，這意味著在開關處于關閉狀態時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環境下工作，為設計者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實現緊湊的電路設計和高效的熱性能。在實際應用中，BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設備等領域。其出色的性能參數和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關，并提供樣品供您測試，如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。 WS72552M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5374D

WUSB3801Q-12/TR USB芯片 封裝：QFN1616-12L(1.6x1.6)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451NL

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受瞬態電壓的侵害而設計。在現代電子設備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態事件，電路中的敏感組件經常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現，為這些設備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態事件發生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸的準確性和穩定性。 其緊湊的封裝設計使得它非常適合用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、醫療設備和消費電子產品等。無論是對于工業應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優異的瞬態電壓保護，確保設備的穩定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優異的產品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451NL