采用小粒徑氮化鋁粉：氮化鋁燒結過程的驅動力為表面能，顆粒細小的AlN粉體能夠增強燒結活性，增加燒結推動力從而加速燒結過程。研究證實，當氮化鋁原始粉料的起始粒徑細小20倍后，陶瓷的燒結速率將增加147倍。燒結原料應選擇粒徑小且分布均勻的氮化鋁粉，可防止二次再結晶，內部的大顆粒易發生晶粒異常生長而不利于致密化燒結；若顆粒分布不均勻，在燒結過程中容易發生個別晶體異常長大而影響燒結。此外，氮化鋁陶瓷的燒結機理有時也受原始粉末粒度的影響。微米級的氮化鋁粉體按體積擴散機理進行燒結，而納米級的粉體則按晶界擴散或者表面擴散機理進行燒結。但目前而言，細小均勻的氮化鋁粉體制備很困難，大多通過濕化學法結合碳熱還原法制備，不但燒結工藝復雜，而且耗能多多規模的推廣應用仍舊有一定的限制。國內在小粒徑高性能氮化鋁粉的供應上，仍十分稀缺。氮化鋁但當溫度高于1370℃時，便會發生大量氧化作用。舟山高導熱氮化硼

環氧樹脂/AlN復合材料：作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發嚴苛。環氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導熱能力不高。通過將導熱能力優異的AlN納米顆粒添加到環氧樹脂中，可有效提高材料的熱導率和強度。TiN/AlN復合材料：TiN具有高熔點、硬度大、跟金屬同等數量級的導電導熱性以及耐腐蝕等優良性質。在AlN基體中添加少量TiN，根據導電滲流理論，當摻雜量達到一定閾值，在晶體中形成導電通路，可以明顯調節AlN燒結體的體積電阻率，使之降低2~4個數量級。而且兩種材料所制備的復合陶瓷材料具有雙方各自的優勢，高硬度且耐磨，也可以用作高級研磨材料。東莞絕緣氧化鋁價格氮化鋁的電阻率較高,熱膨脹系數低，硬度高，化學穩定性好但與一般絕緣體不同。

氮化鋁基板具有極高的熱導率，無毒、耐腐蝕、耐高溫,熱化學穩定性好等特點。氮化鋁陶瓷基板是大規模集成電路，半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。同時也是提高高分子材料熱導率和力學性能的很佳添加料，目前在新能源汽車方面應用較廣。隨著智能汽車的電子化程度越來越高，集成電路所占的成本比例將越來越高，擴大氮化鋁基板的應用場景及需求。傳統的IGBT模塊中，氧化鋁精密陶瓷基板是很常用的精密陶瓷基板。但由于氧化鋁精密陶瓷基片相對低的熱導率、與硅的熱膨脹系數匹配不好，并不適合作為高功率模塊封裝材料。氮化鋁精密陶瓷基板在熱特性方面具有非常高的熱導率，散熱快；在應力方面，熱膨脹系數與硅接近，整個模塊內部應力較低；又具有無氧銅的高導電性和優異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關鍵基礎材料。提高了高壓IGBT模塊的可靠性。這些優異的性能都使得氮化鋁覆銅板成為高壓IGBT模塊封裝的。

氮化鋁陶瓷的流延成型：料漿均勻流到或涂到支撐板上，或用刀片均勻的刷到支撐面上，形成漿膜，經干燥形成一定厚度的均勻的素坯膜的一種料漿成型方法。流延成型工藝包括漿料制備、流延成型、干燥及基帶脫離等過程。溶劑和分散劑：高固相含量的流延漿料是流延成型制備高性能氮化鋁陶瓷的關鍵因素之一。溶劑和分散劑是高固相含量的流延漿料的關鍵。溶劑必須滿足以下條件：必須與其他添加成分相溶，如分散劑、粘結劑和增塑劑等；化學性質穩定，不與粉料發生化學反應；對粉料顆粒的潤濕性能好；易于揮發與燒除；使用安全、衛生且對環境污染小。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。

氮化鋁陶瓷的流延成型：粘結劑和增塑劑，在流延漿料中加入粘結劑與增塑劑主要是為了提高薄片的強度和改善薄片的韌性及延展性。流延薄片在室溫下自然干燥時，溶劑不斷揮發，粘結劑則能自身固化成三維網絡結構防止薄片中的顆粒沉降，并且賦予薄片一定的強度。增塑劑的引入保證了薄片的柔韌性，同時降低了粘結劑在室溫和較低溫度時的玻璃化轉變溫度。流延成型的工藝特點：優點：設備不太復雜，工藝穩定，可連續生產，效率高，自動化程度高，坯膜性能均一且易于控制, 適于制造各種超薄形陶瓷器件，氧化鋁陶瓷基片等。缺點：坯體密度小，收縮性高。制備氮化鋁粉末一般都需要較高的溫度，從而導致生產制備過程中的能耗較高，同時存在安全風險。蘇州微米氧化鋁供應商

氮化鋁是共價化合物，具有熔點高、自擴散系數小的特點。舟山高導熱氮化硼

由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000度的熔池中可以連續使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩定，那么將氮化鋁坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強度性能，可制作切割工具、砂輪、拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。舟山高導熱氮化硼