提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：選擇合適的燒結工藝，微波燒結：微波燒結是利用微波與介質的相互作用產生介電損耗使坯體整體加熱的燒結方法。同時，微波可以使粉末顆粒活性提高，有利于物質的傳遞。微波燒結已成為一門新型的陶瓷燒結技術，它利用整體性自身加熱，使材料加熱的效率提高，升溫速度加快，保溫時間縮短，這有利于提高致密化速度并可以有效抑制晶粒生長，獲得獨特的性能和結構。放電等離子燒結：放電等離子燒結系統利用脈沖能、放電脈沖壓力和焦耳熱產生的瞬間高溫場來實現燒結過程。SPS升溫速度快、燒結時間短、能在較低溫度下燒結，通過控制燒結組分與工藝能實現溫度梯度場，可用于燒結梯度材料及大型工件等復雜材料。放電等離子燒結內每個顆粒均勻的自身發熱使顆粒表現活化，因而具有很高的熱導率，可在短時間內使燒結體致密化。氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層。納米氮化硼廠家

AlN陶瓷金屬化的方法主要有：厚膜金屬化法是在陶瓷基板上通過絲網印刷形成封接用金屬層、導體（電路布線）及電阻等，通過燒結形成釬焊金屬層、電路及引線接點等。厚膜金屬化的步驟一般包括：圖案設計，原圖、漿料的制備，絲網印刷，干燥與燒結。厚膜法的優點是導電性能好，工藝簡單，適用于自動化和多品種小批量生產，但結合強度不高，且受溫度影響大，高溫時結合強度很低。直接覆銅法利用高溫熔融擴散工藝將陶瓷基板與高純無氧銅覆接到一起，所形成的金屬層具有導熱性好、附著強度高、機械性能優良、便于刻蝕、絕緣性及熱循環能力高的優點，但是后續也需要圖形化工藝，同時對AlN進行表面熱處理時形成的氧化物層會降低AlN基板的熱導率。紹興微米氮化鋁粉體氮化鋁防導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料。

環氧樹脂/AlN復合材料：作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發嚴苛。環氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導熱能力不高。通過將導熱能力優異的AlN納米顆粒添加到環氧樹脂中，可有效提高材料的熱導率和強度。TiN/AlN復合材料：TiN具有高熔點、硬度大、跟金屬同等數量級的導電導熱性以及耐腐蝕等優良性質。在AlN基體中添加少量TiN，根據導電滲流理論，當摻雜量達到一定閾值，在晶體中形成導電通路，可以明顯調節AlN燒結體的體積電阻率，使之降低2~4個數量級。而且兩種材料所制備的復合陶瓷材料具有雙方各自的優勢，高硬度且耐磨，也可以用作高級研磨材料。

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：選擇合適的燒結工藝，熱壓燒結：熱壓燒結是指在機械壓力和溫度同時作用下，對粉料進行燒結獲得致密塊體的過程。熱壓燒結可以使加熱燒結和加壓成型同時進行。在高溫下坯體持續受到壓力作用，粉末原料處于熱塑性狀態，有利于物質的擴散和流動，并且外加壓力抵消了形變阻力，促進了粉末顆粒之間的接觸。熱壓燒結可以降低氮化鋁陶瓷的燒結溫度，而且不用燒結助劑也能使氮化鋁燒結致密，且除氧能力強，但是缺點是設備昂貴，而且只能制備形狀簡單的樣品。在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，氮化硅陶瓷抗彎強度很高，耐磨性好。

由于AlN基板不具有電導性，因此在用作大功率LED散熱基板之前必須對其表面進行金屬化和圖形化。但AlN與金屬是兩類物理化學性質完全不同的材料，兩者差異表現很為突出的就是形成化合物的成鍵方式不同。AlN是強共價鍵化合物，而金屬一般都表現為金屬鍵化合物，因此與其它化學鍵的化合物相比，在高溫下AlN與金屬的浸潤性較差，實現金屬化難度較高。因此，如何實現AlN基板表面金屬化和圖形化成為大功率LED散熱基板發展的一個至關重要問題。目前使用很較廣的AlN基板金屬化的方法主要有：機械連接法、厚膜法、活性金屬釬焊法、共燒法、薄膜法、直接覆銅法。氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發展的關鍵因素。成都多孔氧化鋁廠家直銷

復合材料，環氧樹脂/AlN復合材料作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發嚴苛。納米氮化硼廠家

活性金屬釬焊法是在普通釬料中加入一些化學性質較為活潑的過渡元素如：Ti、Zr、Al、Nb、V等。一定溫度下，這些活潑元素會與陶瓷基板在界面處發生化學反應，形成反應過渡層，如圖7所示。反應過渡層的主要產物是一些金屬間化合物，并具有與金屬相同的結構，因此可以被熔化的金屬潤濕。共燒法是通過絲網印刷工藝在AlN陶瓷生片表面涂刷一層難熔金屬（Mo、W等）的厚膜漿料，一起脫脂燒成，使導電金屬與AlN陶瓷燒成為一體結構。共燒法根據燒結溫度的高低可分為低溫共燒(LTCC)和高溫共燒(HTCC)兩種方式，低溫共燒基板的燒結溫度一般為800-900℃，而高溫共燒基板的燒結溫度為1600-1900℃。燒結后，為了便于芯片引線鍵合及焊接，還需在金屬陶瓷復合體的金屬位置鍍上一層Sn或Ni等熔點較低的金屬。納米氮化硼廠家