只有可控硅模塊能夠滿足上述條件，才能說明可控硅模塊是質量的。當然，判斷起來也非常簡單，只需要使用萬用表的歐姆檔測量可控硅的極間電阻。具體的做法就是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不能使用了。接著就是檢測可控硅模塊的三個PN結是否完好或者損壞，可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。基本上來說，通過以上方法就能夠判斷出可控硅模塊的好壞了。 大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。山西進口西門康SEMIKRON可控硅廠家電話

    就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅調壓調速原理小功率分體機室內風機目前用的是PG調速塑封電機，為單向異步電容運轉電動機。為了滿足空調正常的運轉，達到制冷、制熱能力的平衡，所以必須保證室內風機的轉速滿足系統的要求，并保持轉速的穩定。因此采用可控硅調壓調速的方法來調節風機的轉速。1.電路原理圖2.工作原理簡介可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電動機端電壓的波形，從而改變電動機端電壓的有效值，達到調速的目的。當可控硅導通角α1=180°時。 浙江代理西門康SEMIKRON可控硅廠家直銷體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。

    可控硅簡介可控硅（SiliconControlledRectifier）簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。可控硅特性1、額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

    答；可控硅有兩種叫法，精細一點叫晶閘管。常用的電力半導體器件有；普通可控硅（SCR）、門極（GTO）關斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場效應晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等。可控硅模塊；是根據不同的用途與技術要求，將單向可控進行組合。兩只單向可控硅的串聯（一只的陽極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯（就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯接，另一端點一只陰極k與一只陽極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調壓電路中。例如軟啟動器中改變電壓控制電動機啟動的電路中。無論是什么結構，它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的。下面簡述一下GT0門極可關斷可控硅的組成。見下面圖門極可關斷晶閘管簡稱可關斷晶閘管，用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結構與普通可控硅ScR類似，它的三個極也是陽極A、陰極k、門極G。其內部結構及符號如上圖所示。其陽極伏安特性如下圖所示。當陽極加有正電壓、陰極加有負電壓時。 可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。

    鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。 早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域。安徽哪里有西門康SEMIKRON可控硅廠家電話

按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。山西進口西門康SEMIKRON可控硅廠家電話

    鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。 山西進口西門康SEMIKRON可控硅廠家電話

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