可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:第1層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域。重慶哪里有西門康SEMIKRON可控硅
現代照明設計要求規定,照明系統率因數必須達到,而氣體放電燈的功率因數在一般在,所以都設計用電容補償功率因數)在國外發達國家,已有明文規定對電氣設備諧波含量的限制,在國內,北京、上海、廣州等大城市,已對諧波含量超標的設備限制并入電網使用。采用可控硅技術對照明系統進行照度控制時,可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來,許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發信號使其導通,用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調光器中的應用:可控硅調光器是目前舞臺照明、環境照明領域的主流設備。在照明系統中使用的各種調光器實質上就是一個交流調壓器,老式的變壓器和變阻器調光是采用調節電壓或電流的幅度來實現的,如下圖所示。u1是未經調壓的220V交流電的波形,經調壓后的電壓波形為u2,由于其幅度小于u1,使燈光變暗。在這種調光模式中,雖然改變了正弦交流電的幅值,但并未改變其正弦波形的本質。與變壓器、電阻器相比,可控硅調光器有著完全不同的調光機理,它是采用相位控制方法來實現調壓或調光的。對于普通反向阻斷型可控硅。 重慶哪里有西門康SEMIKRON可控硅按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷;實現將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣,有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多。可控硅工作原理解析可控硅結構原件可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結,與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引入,為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。
可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱,谷稱可控硅模塊,它是1種大功率開關型半導體元器件,在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達(舊標準中用字母“SCR”表達)。可控硅模塊具備硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下運行,且其運行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子線路中。可控硅模塊有很多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類可控硅模塊按其關斷、導通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導可控硅模塊、門極關斷可控硅模塊(GTO)、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。(二)按引腳和極性分類可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。(三)按封裝形式分類可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類型。當中,金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形、圓殼形等很多種;塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。(四)按電流容量分類可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常,大功率可控硅多選用金屬殼封裝。 可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E,又在控制極G和陰極C之間(相當BG2的基一射間)輸入一個正的觸發信號,BG2將產生基極電流Ib2,經放大,BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環放大,直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發”的,對可控硅來說,觸發信號加到控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后,由于循環反饋的原因,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,而是經過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠大于Ib2,足以保持BG2的持續導通。此時觸發信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態,只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2的集電極電流小于維持導通的小值時,可控硅方可關斷。當然,如果E極性反接。 可控硅模塊的發展歷史比較悠久,發展到現代它的特點有很多,可應用的范圍也非常廣。廣西哪里有西門康SEMIKRON可控硅服務電話
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早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導體模塊時間1970年目錄1分類2優點3規格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅模塊優點編輯體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優點,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發展。 重慶哪里有西門康SEMIKRON可控硅