一種晶閘管模塊組件。能解決現有的晶閘管組件存在的問題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元，散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓；晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導電塊、第二芯片、第二導電塊、上電極；絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件，絕緣膠體包裹在自導電塊及第二導電塊中下部開始經過陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上，絕緣膠體橫向外側由絕緣殼體包裹，下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充，下電極的左側通過絕緣件隔離，緊固螺栓外側套接所述絕緣套管。結構簡單新穎，操作及使用方便且實用性強。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主。江蘇貿易模塊報價表

可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的轉變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電范疇進入了強電范疇，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。浙江模塊廠家從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。

3、滿足可控硅模塊工作的必要條件：（1）+12V直流電源：可控硅模塊內部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V，紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞0.5A，標稱電流大于500安培產品：I+12V＞1A。5（2）可控硅模塊控制信號：0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA，負極接GND1。6（3）可控硅模塊供電電源和負載：供電電源一般為電網電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。

背景技術：目前，國外標準型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的igbt模塊直接應用于變頻器、ups不間斷電源等設備上；igbt模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點，隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上越來越多見。然而，這種igbt模塊的成本較高，嚴重制約了國內變流技術領域的發展。為了解決國外標準型igbt模塊成本較高的問題，目前國內出現了一種將igbt單管并聯后形成igbt模塊的方案，這種igbt模塊與國外相同技術參數規格下的標準型igbt模塊相比，成本要低15％～20％，進而能夠促進國內變流技術領域的發展；但是，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上，這就降低了igbt模塊的生產效率。超快恢復二極管芯片和內連接線,超快恢復二極管芯片固定在主電極上,主電極固定在氮化鋁陶瓷覆銅板上。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。IGBT是能源轉換與傳輸的**器件，是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。英飛凌、 三菱、 ABB在1700V以上電壓等級的工業IGBT領域占優勢。江西哪里有模塊量大從優

非對稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。江蘇貿易模塊報價表

技術實現要素：有鑒于此，本實用新型實施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產效率。本實用新型實施例提供一種igbt模塊，包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。可選的，所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部，所述連接部一端與所述壓緊部相連，另一端與所述安裝板相連，所述壓緊部抵設在所述igbt單管的上側，將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。江蘇貿易模塊報價表

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