我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數兆瓦。這些產品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優勢。外加正向電壓較小時，二極管呈現的電阻較大，正向電流幾乎為零。甘肅電源模塊

    IGBT模塊驅動及保護技術1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優點。其特性發揮出MOSFET和功率晶體管各自的優點，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內，故在較高頻率應用范圍中，其中中、大功率應用占據了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發射極之間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極發射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅動脈沖的上升和下降沿需要提供數A級的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態要求，這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發生閉鎖現象而造成損壞的問題。在過流時如采取一定的速度***柵極電壓，過高的電流變化會引起過電壓，需要采用軟關斷技術，因此掌握好IGBT的驅動和保護特性對于設計人員來說是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過氧化膜和發射極實現電隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般只能達到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過**大額定柵極電壓。天津智能模塊批發二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系。

1.2正向特性1）外加正向電壓較小時，二極管呈現的電阻較大，正向電流幾乎為零，曲線OA段稱為不導通區或死區。一般硅管的死區電壓約為0.5伏，鍺的死區電壓約為0.2伏，該電壓值又稱門坎電壓或閾值電壓。2）當外加正向電壓超過死區電壓時，PN結內電場幾乎被抵消，二極管呈現的電阻很小，正向電流開始增加，進入正向導通區，但此時電壓與電流不成比例如AB段。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直，伏安關系近似線性，處于充分導通狀態。3）二極管導通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且幾乎恒定。硅管的管壓降約為0.7V，鍺管的管壓降約為0.3V。

過零觸發型交流固態繼電器（AC-SSR）的內部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發電路、開關電路（包括雙向晶閘管）、保護電路（RC吸收網絡）。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發，將負載電源接通。固態繼電器具有驅動功率小、無觸點、噪音低、抗干擾能力強，吸合、釋放時間短、壽命長，能與TTL＼CMOS電路兼容，可取代傳統的電磁繼電器。雙向可控硅可用于工業、交通、家用電器等領域，實現交流調壓、電機調速、交流開關、路燈自動開啟與關閉、溫度控制、臺燈調光、舞臺調光等多種功能，它還被用于固態繼電器（SSR）和固態接觸器電路中。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經過優化，可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器。

    供應富士IGBT模塊富士電機作為IGBT硅片生產**廠家,**早將IGBT模塊引入中國。經過十幾年的不斷發展,半導體器件已在國內UPS、電鍍電源、變頻器領域得到了***應用，已成為經典使用器件。U4系列IGBT為變頻器優先模塊，極具性價比。武漢新瑞科電氣技術有限公司成立于1996年，有著十多年功率半導體的銷售經驗,為富士功率半導體器件在中國區域的授權代理商，負責富士功率半導體在中國市場的推廣和銷售工作,可以提供強大的技術支持,常備大量現貨，歡迎選購！以下型號我公司常備現貨：7MBR10SA1207MBR15SA1207MBR25SA1207MBR35SB1207MBR50SB1207MBR50UA1207MBR75U4B1207MBR100U4B1202MBI75U4A-1202MBI100U4A-1202MBI150U4A-1202MBI150U4B-1202MBI150U4H-1202MBI200U4H-1202MBI300U4H-1202MBI400U4H-1206MBI75U4B-1206MBI100U4B-1206MBI150U4B-1206MBI225U4-1206MBI300U4-1206MBI450U4-1202MBI225VN-1202MBI300VN-1202MBI450VN-1202MBI600VN-1207MBP75RA1207MBP150RA120另外變頻器上常用器件日本瑞薩（RENESAS）高壓MOSFET，性能優越，價格便宜，2SK2225在通用變頻器上得到***的應用，2SK1317在高壓變頻器上應用***，歡迎廣大客戶選用我公司代理的產品。高集成度： 整流橋、制動斬波器和 NTC 共用一個封裝，可節約系統成本。西藏質量模塊

實際應用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好。甘肅電源模塊

    因此在驅動電路的輸出端給柵極加電壓保護，并聯電阻Rge以及反向串聯限幅穩壓管，如圖4所示。圖4柵極保護電路柵極串聯電阻Rg對IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關斷速度，減小關斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。根據本設計的具體要求，Rg選取Ω。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合，會產生振蕩電壓，所以柵極引線應采用雙絞線傳送驅動信號，并盡可能短，比較好不超過m，以減小連線電感。四路驅動電路光耦與PWM兩路輸出信號的接線如圖5所示。圖5四路驅動電路光耦與PWM的兩路輸出信號的接線實驗波形如圖6所示。圖6a是柵極驅動四路輸出波形。同時測四路驅動波形時，要在未接通主電路條件下檢測。因為使用多蹤示波器檢測時，只允許一只探頭的接地端接參考電位，防止發生短路燒壞示波器。只有檢測相互間電路隔離的電路信號時，才可以同時使用接地端選擇公共參考電位。圖6b是IGBT上集-射極電壓Uce波形。由于全橋式逆變電路中IGBT相互間的電路信號是非隔離的，不能用普通探頭進行多蹤示波，該電壓波形是用高壓隔離探頭測得，示波器讀數為實際數值的1/50。由波形可知，lGBT工作正常。在橋式逆變電路中影響Uce波形的。甘肅電源模塊

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