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江蘇進(jìn)口模塊市價(jià)

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    您所在位置:網(wǎng)站首頁(yè)>海量文檔>理工科>能源/化工富士IGBT應(yīng)用手冊(cè).pdf92頁(yè)本文檔一共被下載:次,您可全文**在線(xiàn)閱讀后下載本文檔。下載提示1.本站不保證該用戶(hù)上傳的文檔完整性,不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載產(chǎn)生的反悔問(wèn)題本站不予受理。2.該文檔所得收入(下載+內(nèi)容+預(yù)覽三)歸上傳者、原創(chuàng)者。3.登錄后可充值,立即自動(dòng)返金幣,充值渠道很便利同意并開(kāi)始全文預(yù)覽下載地址文檔糾錯(cuò)收藏文檔下載幫助下載源文檔(pdf格式,)特別說(shuō)明:下載前務(wù)必先預(yù)覽,自己驗(yàn)證一下是不是你要下載的文檔。上傳作者:kolr(上傳創(chuàng)作收益人)發(fā)布時(shí)間:2018-03-04需要金幣:180(10金幣=人民幣1元)瀏覽人氣:下載次數(shù):收藏次數(shù):文件大小:MB下載過(guò)該文檔的會(huì)員:這個(gè)文檔不錯(cuò)0%(0)文檔有待改進(jìn)0%。高性?xún)r(jià)比 ?全程采用X射線(xiàn)100%監(jiān)測(cè)生產(chǎn),保 障產(chǎn)品的高性能和使用壽命 ? 使用銅基板,便于快捷安裝。江蘇進(jìn)口模塊市價(jià)

    由于西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):1、在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線(xiàn)未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓,但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線(xiàn)來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵極連線(xiàn)中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過(guò),柵極電位升高,集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)發(fā)熱及至損壞。在使用西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)的場(chǎng)合,當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))。智能模塊供應(yīng)商在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線(xiàn),并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼,構(gòu)成了晶體二極管。

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    ***,市場(chǎng)發(fā)展的趨勢(shì)要求系統(tǒng)的高可靠性,正是這些趨勢(shì)是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力。現(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),焊層更少,采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù),從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10%以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對(duì)功率模塊日益增加的功率密度,可靠性和成本效益的要求,功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開(kāi)發(fā)新模塊,這些新模塊在擁有高度可靠性的同時(shí)成本也低。新模塊中,DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點(diǎn)提供。機(jī)械設(shè)計(jì)方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了,使得輸出電流大,并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn),新SEMIPACK模塊的外封裝尺寸還和當(dāng)前模塊的尺寸一樣。賽米控公司,作為SEMIPACK1的發(fā)明者,堅(jiān)持采用同樣的模塊尺寸,這意味著,散熱器的大小以及輔助端子的高度和位置都保持不變。對(duì)于客戶(hù)來(lái)說(shuō),這意味著無(wú)需改變?cè)O(shè)計(jì),例如到直流環(huán)節(jié)的連接或散熱器的鉆孔。在沒(méi)有影響機(jī)械設(shè)計(jì)或?qū)﹄姎庑阅苡腥魏瓮讌f(xié)的前提下,新版模塊的層數(shù)更少:新設(shè)計(jì)的DBC襯底上不再有鉬層和銅層;芯片是直接焊到DBC上的。在功率循環(huán)(10000次負(fù)載循環(huán),△Tj=100k)中。主要包括輸入電路、光電耦合器、過(guò)零觸發(fā)電路、開(kāi)關(guān)電路(包括雙向晶閘管)、保護(hù)電路(RC吸收網(wǎng)絡(luò))。

    通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理:,不檢測(cè)故障,vce-sat檢測(cè)被禁止,該狀態(tài)下不檢測(cè)vce,原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為高電平(15v)時(shí),通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理:,采樣信號(hào)vce_h,r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r6和r7設(shè)定保護(hù)值),比較信號(hào)comp_h,通過(guò)vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測(cè),并輸出故障信號(hào)fault_h:當(dāng)vce_h小于comp_h,fault_h為高電平,正常狀態(tài);當(dāng)vce_h大于comp_h,fault_h為低電平,報(bào)故障狀態(tài);當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h為低電平(-15v)時(shí),通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理:,不檢測(cè)故障,vce-sat檢測(cè)被禁止,該狀態(tài)下不檢測(cè)vce,原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;當(dāng)fault_h為低電平時(shí),光耦u1_out輸出高電平,經(jīng)過(guò)d5和v5后故障信號(hào)fault_p為低電平,對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行***。下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路,采樣信號(hào)vce_l,r13和r14構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r13和r14設(shè)定保護(hù)值),比較信號(hào)comp_l,通過(guò)vce_l與comp_l的比較實(shí)現(xiàn)vce-sat的檢測(cè),并輸出故障信號(hào)fault_l,當(dāng)fault_l為低電平時(shí)。正向電流開(kāi)始增加,進(jìn)入正向?qū)▍^(qū),但此時(shí)電壓與電流不成比例如AB段。江蘇模塊銷(xiāo)售價(jià)格

開(kāi)關(guān)性能經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動(dòng)器,以適應(yīng)不同的工作電壓。江蘇進(jìn)口模塊市價(jià)

    pwm_l信號(hào)為低電平時(shí),c2通過(guò)r2充電,r2,c2構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。當(dāng)pwm_h信號(hào)為高電平時(shí),c3通過(guò)d3快速放電,pwm_l信號(hào)為低電平時(shí),c3通過(guò)r3充電,r3,c3構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門(mén),可以提高輸入信號(hào)門(mén)檻電壓,提高信號(hào)抗干擾能力。上管驅(qū)動(dòng)電路由r11,q3,q4,r8構(gòu)成推挽放大電路,對(duì)光耦輸出信號(hào)u2_out信號(hào)進(jìn)行放大,上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h直接連接igbt模塊上管門(mén)極hg,滿(mǎn)足igbt模塊對(duì)于驅(qū)動(dòng)峰值電流的需求。下管驅(qū)動(dòng)電路由r17,q5,q6,r18構(gòu)成推挽放大電路,對(duì)光耦輸出信號(hào)u4_out信號(hào)進(jìn)行放大,下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l直接連接igbt模塊下管門(mén)極lg,滿(mǎn)足igbt模塊對(duì)于驅(qū)動(dòng)峰值電流的需求。上管vce-sat檢測(cè)電路由r9,d11,r10構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h為高電平(15v)時(shí),通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理:,采樣信號(hào)vce_h,r13和r14構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r13和r14設(shè)定保護(hù)值),比較信號(hào)comp_h,通過(guò)vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測(cè),并輸出故障信號(hào)fault_h:當(dāng)vce_h小于comp_h,fault_h為高電平,正常狀態(tài);當(dāng)vce_h大于comp_h,fault_h為低電平,報(bào)故障狀態(tài);當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為低電平(-15v)時(shí)。江蘇進(jìn)口模塊市價(jià)

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