A/μsVDRMRepetitivepeakoff-statevoltage斷態重復峰值電壓斷態重復峰值電壓是在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向峰值電壓.國標規定重復頻率為50H，每次持續時間不超高10ms。規定斷態重復峰值電壓UDRM為斷態不重復峰值電壓（即斷態大瞬時電壓）UDSM的90%.斷態不重復峰值電壓應低于正向轉折電壓Ubo，所留裕量大小由生產廠家自行規定。VVRRM反向重復峰值電壓在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。VPPNonrepetitivelinepeakpulsevoltage高不重復線路峰值電壓(AV)Averagegatepowerdissipation門極平均散耗功率-WPGMPeakgatepower門極大峰值功率-838電子WPG(AV)AverageGatePower門極平均功率-WTjOperatingJunctionTemperatureRange工作結溫為了長期可靠工作，應保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于80%Tjmax,其值相應于可能的高環境溫度。℃TstgStorageTemperatureRange貯存溫度-℃TLTemperatureforSolderingPurposes引腳承受焊錫極限溫度-838電子℃Rth(j-mb)ThermalResistanceJunctiontomountingbase熱阻-結到外殼-838電子℃/WRth。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，大功率驅動器件，實現小功率控件控制大功率設備。江西品質Mitsubishi三菱可控硅模塊

    當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向導通。雙向可控硅產品特性編輯雙向可控硅一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。雙向可控硅觸發電路編輯將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯．再將控制板與本觸發電路連接，就組成了雙向可控硅一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生，調節電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個主可控硅阻斷，因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降。江西品質Mitsubishi三菱可控硅模塊其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

    AV)--通態平均電流VDRM--通態重復峰值電壓VRRM--反向重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IDRM--斷態重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流VTM--通態峰值電壓Tjm--額定結溫VGT--門極觸發電壓VISO--模塊絕緣電壓IH--維持電流Rthjc--結殼熱阻IGT--門極觸發電流di/dt--通態電流臨界上升率ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率雙向可控硅伏安特性編輯雙向可控硅反向特性當控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J3結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控硅會發生反向。雙向可控硅正向特性當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合，同樣。

    它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。可控硅結構示意圖和符號圖可控硅工作原理編輯可控硅結構原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。

    當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。江西品質Mitsubishi三菱可控硅模塊

反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。江西品質Mitsubishi三菱可控硅模塊

    一旦為觸發信號開通，并保持一定幅度的流通電流的話，則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若用于交流電路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發信號，則一直保持導通，直到電壓過零點到來，因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發信號，可控硅也因A、K間電壓反向，而保持于截止狀態。可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發電壓、觸發電流值和導通壓降，很難有統一的標準。可控硅器件控制本質上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發電流也越大。觸發電壓范圍一般為左右，觸發電流為10mA-幾百mA左右。峰值觸發電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過2A。A、K間導通壓降為1-2V[1]。單向可控硅對比編輯雙向可控硅雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做一電極T1，另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。江西品質Mitsubishi三菱可控硅模塊