電壓影響

1 當電壓自額定值偏離±10%(對比率表和由化學電源和交流電網作供電電源的兆歐表)、±15%(對整流系儀表和鉗形表)或±20%(對其它儀表)時，由此引起儀表指示值的改變應不超過規定值。儀表輔助電路用電源、由內附手搖發電機作供電電源的兆歐表，當其電壓自額定值偏離±10%時，指示值改變應不超過表7 規定值的一半。指示值改變的表示方法與基本誤差表示方法相同。試驗在標度尺的幾何中心附近和上量限附近的兩點進行，整步表在同步點進行。如果在儀表上注明額定電壓范圍，則在此范圍內的任一電壓下，儀表基本誤差應不超過規定值。

2 檢驗電壓影響時應遵守有關規定(對電壓的規定除外)，且應除去變差影響(可輕敲表殼)。檢驗相位表和功率因數表時，在額定電流下進行；檢驗功率表時在額定功率因數下進行。 超精密和非接觸式表面分析。山東激光干涉儀形貌測量

穿心式電流互感器其本身結構不設一次繞組，載流（負荷電流）導線由L1至L2穿過由硅鋼片搟卷制成的圓形（或其他形狀）鐵心起一次繞組作用。二次繞組直接均勻地纏繞在圓形鐵心上，與儀表、繼電器、變送器等電流線圈的二次負荷串聯形成閉合回路，由于穿心式電流互感器不設一次繞組，其變比根據一次繞組穿過互感器鐵心中的匝數確定，穿心匝數越多，變比越小；反之，穿心匝數越少，變比越大，額定電流比I1/n：式中I1——穿心一匝時一次額定電流；n——穿心匝數。廣東激光干涉儀高精度測量非接觸式檢測軸承誤差。

高精度。目前半導體工藝的典型線寬為0.25μm，并正向0.18μm過渡，2009年的預測線寬是0.07μm。如果定位要求占線寬的1/3，那么就要求10nm量級的精度，而且晶片尺寸還在增大，達到300mm。這就意味著測量定位系統的精度要優于3×10的-8次方，相應的激光穩頻精度應該是10的-9次方數量級。

高速度。目前加工機械的速度已經提高到1m/sec以上，上世紀80年代以前開發研制的儀器已不適應市場的需求。例如惠普公司的干涉儀市場大部分被英國Renishaw所占領，其原因是后者的速度達到了1m/sec。

波長的測量任何一個以波長為單位測量標準米尺的方法也就是以標準米尺為單位來測量波長的方法。以國際米為標準，利用干涉儀可精確測定光波波長。法布里-珀luo gan 涉儀（標準具）曾被用來確定波長的初級標準（鎘紅譜線波長）和幾個次級波長標準，從而通過比較法確定其他光譜線的波長。檢驗光學元件泰曼干涉儀被普遍用來檢驗平板、棱鏡和透鏡等光學元件的質量。在泰曼干涉儀的一個光路中放置待檢查的平板或棱鏡，平板或棱鏡的折射率或幾何尺寸的任何不均勻性必將反映到干涉圖樣上。若在光路中放置透鏡，可根據干涉圖樣了解由透鏡造成的波面畸變，從而評估透鏡的波像差。熱力或磁力應變作為ΔL與初始長度（Lo）之間的比率。

利用不同構形的彈性敏感元件可測量各種物體的應力、應變、壓力、扭矩、加速度等機械量。半導體應變片與電阻應變片(見電阻應變片相比，具有靈敏系數高（約高 50～100倍）、機械滯后小、體積小、耗電少等優點。P型和N型硅的靈敏系數符號相反，適于接成電橋的相鄰兩臂測量同一應力。早期的半導體應變片采用機械加工、化學腐蝕等方法制成，稱為體型半導體應變片。它的缺點是電阻和靈敏系數的溫度系數大、非線性大和分散性大等。這曾限制了它的應用和發展。自70年代以來，隨著半導體集成電路工藝的迅速發展，相繼出現擴散型、外延型和薄膜型半導體應變片，上述缺點得到一定克服。半導體應變片主要應用于飛機、導彈、車輛、船舶、機床、橋梁等各種設備的機械量測量。擺動，θx（Φ）和θy（Φ），它是通過組合兩個XY-跳動誤差水平計算出來的。 其中Φ是圍繞Z軸的樣本旋轉。上海激光干涉儀儀器

100pm/步的線性偏移被確定。山東激光干涉儀形貌測量

干涉儀主要特點

1.同時測量線性定位誤差、直線度誤差（雙軸）、偏擺角、俯仰角和滾動角2.設計用于安裝在機床主軸上的5D/6D傳感器3.可選的無線遙控傳感器極長的控制距離可到25米4.可測量速度、加速度、振動等參數，并評估機床動態特性5.全套系統重量只15公斤，設計緊湊、體積小，測量機床時不需三角架6.集成干涉鏡與激光器于一體，簡化了調整步驟，減少了調整時間7、激光干涉儀可以同時測量線性定位誤差、直線度誤差(雙軸)、偏擺角、俯仰角和滾動角等，以及測量速度、加速度、振動等參數，并評估機床動態特性等。8、激光干涉儀的光源——激光，具有gao qiang度、高度方向性、空間同調性、窄帶寬和高度單色性等優點。9、激光干涉儀可配合各種折射鏡、反射鏡等來使用。 山東激光干涉儀形貌測量