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來源: 發布時間:2025-07-26

EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。根據瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長可以提供極高的光刻分辨率。換個角度講,使用193i與EUV光刻機曝同一個圖形,EUV的工藝的k1因子要比193i大。k1越大對應的光刻工藝就越容易;k1的極限是0.25,小于0.25的光刻工藝是不可能的。從32nm半周期節點開始(對應20nm邏輯節點),即使使用1.35NA的193nm浸沒式光刻機,k1因子也小于0.25。一次曝光無法分辨32nm半周期的圖形,必須使用雙重光刻技術。使用0.32NA的EUV光刻,即使是11nm半周期的圖形,k1仍然可以大于0.25。其技術發展歷經紫外(UV)、深紫外(DUV)到極紫外(EUV)階段,推動集成電路制程不斷進步 [3] [6]。南通省電光刻系統推薦貨源

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由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強,同時EUV技術耗資巨大進展緩慢。EUV(極紫外線光刻技術)是下一代光刻技術(<32nm節點的光刻技術)。它是采用波長為13.4nm的軟x射線進行光刻的技術。EUV光刻的基本設備方面仍需開展大量開發工作以達到適于量產的成熟水平。當前存在以下挑戰:(1)開發功率足夠高的光源并使系統具有足夠的透射率,以實現并保持高吞吐量。(2)掩模技術的成熟,包括以足夠的平面度和良率制**射掩模襯底,反射掩模的光化學檢測,以及因缺少掩模表面的保護膜而難以滿足無缺陷操作要求。(3)開發高靈敏度且具有低線邊緣粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻膠。 [3]常熟本地光刻系統選擇如果能量和焦距調整不好,就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。

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③縮短圖像傳遞鏈,減少工藝上造成的缺陷和誤差,可獲得很高的成品率。④采用精密自動調焦技術,避免高溫工藝引起的晶片變形對成像質量的影響。⑤采用原版自動選擇機構(版庫),不但有利于成品率的提高,而且成為能靈活生產多電路組合的常規曝光系統。浸入式光刻技術原理這種系統屬于精密復雜的光、機、電綜合系統。它在光學系統上分為兩類。一類是全折射式成像系統,多采用1/5~1/10的縮小倍率,技術較成熟;一類是1:1倍的折射-反射系統,光路簡單,對使用條件要求較低。

浸沒式光刻技術所面臨的挑戰主要有:如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題;研發和水具有良好的兼容性且折射率大于1.8的光刻膠的問題;研發折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料;以 及 有 效 數 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對 這 些 難 題 挑 戰,國 內 外 學 者 以 及ASML,Nikon和IBM等公 司已 經 做 了 相 關 研 究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展,以滿足更小光刻線寬的要求。 [1]提高光刻技術分辨率的傳統方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長,通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。光刻膠厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻膠厚度測量;

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電子束光刻基本上分兩大類,一類是大生產光掩模版制造的電子束曝光系統,另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統。電子束光刻技術起源于掃描電鏡,**早由德意志聯邦共和國杜平根大學的G.Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決于電子能量,電子能量越高,曝光的波長越短,大 體在10-6nm量級上,因而電子束光刻不受衍射極限的影響,所以電子束光刻可獲得接近于原子尺寸的分辨率。但是,由于電子束入射到抗蝕劑及基片上時,電子會與固體材料的原子發生“碰撞”產生電子散射現象,包括前散射和背散射電子,這些散射電子同樣也參與“曝光”,前散射電子波及范圍可在幾十納米,從基片上返回抗蝕劑中背散射電子可波及到幾十微米之遠。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面,同時硅片低速旋轉(100~500rpm)。蘇州本地光刻系統量大從優

在曝光過程中,需要對不同的參數和可能缺陷進行跟蹤和控制,會用到檢測控制芯片/控片(Monitor Chip)。南通省電光刻系統推薦貨源

極紫外光刻系統是采用13.5納米波長極紫外光源的半導體制造**設備,可將芯片制程推進至7納米、5納米及更先進節點。該系統由荷蘭阿斯麥公司于2019年推出第五代產品,突破光學衍射極限,將摩爾定律物理極限推向新高度。2021年12月14日,中國工程院***發布的"2021全球**工程成就"將其列為近五年全球工程科技重大成果,評選標準包括**技術突破、系統集成創新及產業帶動效益三項維度 [1-7]。采用13.5納米波長的極紫外光源,突破傳統深紫外光刻193納米波長限制,通過多層鍍膜反射式光學系統實現更高精度曝光。該技術使芯片制程工藝節點從10納米推進至7納米、5納米及3納米水平,相較前代技術晶體管密度提升3倍以上 [5] [7]。南通省電光刻系統推薦貨源

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