半導體發光二極管半導體發光二極管的結構是一個PN結,它正向通電流時,注入的少數載流子靠復合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導體激光器如果使高效率的半導體發光管的發光區處在一個光學諧振腔內,則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導體激光器或注入式激光器。
**早的半導體激光器所用的PN結是同質結,以后采用雙異質結結構。雙異質結激光器的優點在于它可以使注入的少數載流子被限制在很薄的一層有源區內復合發光,同時由雙異質結結構組成的光導管又可以使產生的光子也被限制在這層有源區內。因此雙異質結激光器有較低的閾值電流密度,可以在室溫下連續工作。 努力打造行業里面的榜樣。安徽節能半導體器件
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半導體制冷技術是目前的制冷技術中應用比較***的。農作物在溫室大棚中生長中,半導體制冷技術可以對環境溫度有效控制,特別是一些對環境具有很高要求的植物,采用半導體制冷技術塑造生長環境,可以促進植物的生長。半導體制冷技術具有可逆性,可以用于制冷,也可以用于制熱,對環境溫度的調節具有良好的效果。
半導體制冷技術的應用原理是建立在帕爾帖原理的基礎上的。1834年,法國科學家帕爾帖發現了半導體制冷作用。帕爾貼原理又被稱為是”帕爾貼效益“,就是將兩種不同的導體充分運用起來,使用A和B組成的電路,通入直流電,在電路的接頭處可以產生焦耳熱,同時還會釋放出一些其它的熱量,此時就會發現,另一個接頭處不是在釋放熱量,而是在吸收熱量。這種現象是可逆的,只要對電流的方向進行改變,放熱和吸熱的運行就可以進行調節。
載流子的濃度與溫度的關系:溫度一定,本征半導體中載流子的濃度是一定的,并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時,熱運動加劇,掙脫共價鍵束縛的自由電子增多,空穴也隨之增多(即載流子的濃度升高),導電性能增強;當溫度降低,則載流子的濃度降低,導電性能變差。結論:本征半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性,可制作熱敏和光敏器件,又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。雜質半導體:通過擴散工藝,在本征半導體中摻入少量合適的雜質元素,可得到雜質半導體。N型半導體:在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導體。多數載流子:N型半導體中,自由電子的濃度大于空穴的濃度,稱為多數載流子,簡稱多子。少數載流子:N型半導體中,空穴為少數載流子,簡稱少子。施子原子:雜質原子可以提供電子,稱施子原子。在半導體器件的海洋中,無錫微原電子科技乘風破浪,勇往直前!
半導體器件材料和性能?
大多數半導體使用單晶硅,但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的,一般是通過多數載流子(N型半導體中的電子,P型半導體中的空穴)來負責的,但是,各種半導體,例如晶體管為了在器件中工作,需要少數載流子(N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子)。半導體的整流效應(*在一個方向上通過電流的特性)**初是在方鉛礦晶體中發現的。早期的無線電接收器(礦石無線電)是在方鉛礦晶體的表面上發現的,上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據說,使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。 無錫微原電子科技,半導體器件行業的創新典范,值得學習與借鑒!徐匯區半導體器件功能
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有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物,把有機化合物和碳鍵垂直,疊加的方式能夠形成導帶,通過化學的添加,能夠讓其進入到能帶,這樣可以發生電導率,從而形成有機化合物半導體。這一半導體和以往的半導體相比,具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能,應用的范圍比較廣,主要用于有機薄膜、有機照明等方面。
非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體,屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣,都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置,改變原有的周期性排列,形成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長程序。非晶態半導體的性能控制難,隨著技術的發明,非晶態半導體開始使用。這一制作工序簡單,主要用于工程類,在光吸收方面有很好的效果,主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。 安徽節能半導體器件
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