國際半導體技術發展藍圖(ITRS)多年來預測了特征尺寸的預期縮小和相關領域所需的進展。**終的ITRS于2016年發布，現已被《設備和系統國際路線圖》取代。[21]**初，集成電路嚴格地說是電子設備。集成電路的成功導致了其他技術的集成，試圖獲得同樣的小尺寸和低成本優勢。這些技術包括機械設備、光學和傳感器。電荷耦合器件和與其密切相關的有源像素傳感器是對光敏感的芯片。在科學、醫學和消費者應用中，它們已經在很大程度上取代了照相膠片。現在每年為手機、平板電腦和數碼相機等應用生產數十億臺這樣的設備。集成電路的這個子領域獲得了2009年諾貝爾獎。| 無錫微原電子科技，集成電路芯片的可靠伙伴。虹口區應用集成電路芯片

以上就是關于集成電路和芯片區別的介紹了，總的來說，集成電路也稱為芯片，因為面IC的封裝類似于芯片。一組集成電路通常稱為芯片組，而不是IC組。集成電路或IC是當今幾乎所有電子設備中使用的設備。半導體技術和制造方法的發展導致了集成電路的發明。在IC發明之前，所有用于計算任務的設備都使用真空管來實現邏輯門和開關。真空管本質上是相對較大的高功耗設備。對于任何電路，必須手動連接分立電路元件。即使對于**小的計算任務，這些因素的影響也導致了相當大且昂貴的電子設備。五年前的計算機體積龐大且價格昂貴，個人計算機更是一個遙不可及的夢想。松江區集成電路芯片性能| 無錫微原電子科技，芯片技術演繹科技魅力。

外形及封裝不同芯片是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。幾乎所有芯片制造商采用的**常見標準是DIP，即雙列直插式封裝。這定義了一個矩形封裝，相鄰引腳之間的間距為2.54毫米（0.1英寸），引腳排之間的間距為0.1英寸的倍數。因此，0.1"x0.1"間距的標準“網格”可用于在電路板上組裝多個芯片并使它們保持整齊排列。隨著MSI和LSI芯片的出現，包括許多早期的CPU，稍大的DIP封裝能夠處理多達40個引腳的更多數量，而DIP標準沒有真正改變。集成電路是一種微型電子器件或部件。集成電路被放入保護性封裝中，以便于處理和組裝到印刷電路板上，并保護設備免受損壞。存在大量不同類型的包。某些封裝類型具有標準化的尺寸和公差，并已在JEDEC和ProElectron等行業協會注冊。其他類型是可能*由一兩個制造商制造的專有名稱。集成電路封裝是測試和運送設備給客戶之前的***一個組裝過程。

Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）和PLCC封裝。20世紀90年代，盡管PGA封裝依然經常用于**微處理器。PQFP和thin small-outline package（TSOP）成為高引腳數設備的通常封裝。Intel和AMD的**微處理從P***ine Grid Array）封裝轉到了平面網格陣列封裝（Land Grid Array，LGA）封裝。球柵數組封裝封裝從20世紀70年代開始出現，90年***發了比其他封裝有更多管腳數的覆晶球柵數組封裝封裝。在FCBGA封裝中，晶片（die）被上下翻轉（flipped）安裝，通過與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。FCBGA封裝使得輸入輸出信號陣列（稱為I/O區域）分布在整個芯片的表面，而不是限制于芯片的**。如今的市場，封裝也已經是**出來的一環，封裝的技術也會影響到產品的質量及良率。| 無錫微原電子科技，提供定制化集成電路芯片方案。

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。以上就是關于集成電路和芯片區別的介紹了，總的來說，集成電路也稱為芯片，因為面IC的封裝類似于芯片。一組集成電路通常稱為芯片組，而不是IC組。集成電路或IC是當今幾乎所有電子設備中使用的設備。半導體技術和制造方法的發展導致了集成電路的發明。| 專業鑄就品質，無錫微原電子科技的芯片技術。虹口區應用集成電路芯片

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電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜，集成電路。另有一種厚膜集成電路，是由**半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。從1949年到1957年，維爾納·雅各比（WernerJacobi）、杰弗里·杜默（JeffreyDummer）、西德尼·達林頓（SidneyDarlington）、樽井康夫（YasuoTarui）都開發了原型，但現代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早于1990年就過世。虹口區應用集成電路芯片

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