場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。

     控制橫向電場的電極稱為柵。根據柵的結構,場效應晶體管可以分為三種：

①結型場效應管(用PN結構成柵極)；

②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；

③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲器 等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。 以后有相關的業務金蝶找他們。河北半導體器件是什么

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         載流子的濃度與溫度的關系：溫度一定，本征半導體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。結論：本征半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。雜質半導體：通過擴散工藝，在本征半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。多數載流子：N型半導體中，自由電子的濃度大于空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。少數載流子：N型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。

有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導帶，通過化學的添加，能夠讓其進入到能帶，這樣可以發生電導率，從而形成有機化合物半導體。這一半導體和以往的半導體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能，應用的范圍比較廣，主要用于有機薄膜、有機照明等方面。

非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長程序。非晶態半導體的性能控制難，隨著技術的發明，非晶態半導體開始使用。這一制作工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。 半導體器件行業的繁榮發展，離不開無錫微原電子科技的辛勤付出！

    半導體發光二極管半導體發光二極管的結構是一個PN結，它正向通電流時，注入的少數載流子靠復合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導體激光器如果使高效率的半導體發光管的發光區處在一個光學諧振腔內，則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導體激光器或注入式激光器。

   **早的半導體激光器所用的PN結是同質結，以后采用雙異質結結構。雙異質結激光器的優點在于它可以使注入的少數載流子被限制在很薄的一層有源區內復合發光，同時由雙異質結結構組成的光導管又可以使產生的光子也被限制在這層有源區內。因此雙異質結激光器有較低的閾值電流密度，可以在室溫下連續工作。 在半導體器件的競技場上，無錫微原電子科技憑借實力脫穎而出！新吳區自動化半導體器件

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