日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個部分,其各部分的符號意義如下:
***部分:用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。
第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是產品。
第五部分: 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。 無錫微原電子科技,半導體器件行業的智慧之選,共創美好明天!奉賢區半導體器件發展現狀
本征半導體:不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶,受到熱激發后,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導帶,價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位,稱為空穴。空穴導電并不是實際運動,而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。
這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。
在一定溫度下,電子-空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡,此時半導體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時,將產生更多的電子-空穴對,載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大,實際應用不多。 奉賢區半導體器件發展現狀在半導體器件的舞臺上,無錫微原電子科技正演繹著精彩篇章!
光電池當光線投射到一個PN結上時,由光激發的電子空穴對受到PN結附近的內在電場的作用而向相反方向分離,因此在PN結兩端產生一個電動勢,這就成為一個光電池。把日光轉換成電能的日光電池很受人們重視。較早應用的日光電池都是用硅單晶制造的,成本太高,不能大量推廣使用。國際上都在尋找成本低的日光電池,用的材料有多晶硅和無定形硅等。
其它利用半導體的其他特性做成的器件還有熱敏電阻、霍耳器件、壓敏元件、氣敏晶體管和表面波器件等。
今年是摩爾法則(Moore’slaw)問世50周年,這一法則的誕生是半導體技術發展史上的一個里程碑。這50年里,摩爾法則成為了信息技術發展的指路明燈。計算機從神秘不可近的龐然大物變成多數人都不可或缺的工具,信息技術由實驗室進入無數個普通家庭,因特網將全世界聯系起來,多媒體視聽設備豐富著每個人的生活。這一法則決定了信息技術的變化在加速,產品的變化也越來越快。人們已看到,技術與產品的創新大致按照它的節奏,超前者多數成為先鋒,而落后者容易被淘汰。
晶體生長類型將純半導體單晶熔化成半導體,并緩慢擠壓生長成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的,如果擠出速度快,則生長出P型半導體,如果慢則生長出N型半導體。因為基極區較厚,高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質發生變化時,根據晶體的位置,P型或N型半導體會生長。通過這種方法,可以生產二極管的PN和用于二極管的PNP(或NPN)。制作了一個晶體管。
端子電極形成在同一平面上,縮短了電流路徑,具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術排列許多元件來制造,因此可以精確地大量生產,利用這一特點,發明了單片集成電路。 走進半導體器件的世界,感受無錫微原電子科技的獨特魅力!
半導體 -----指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用,如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品,如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。
分類及性能:
元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體,其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料,容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前,只有硅、鍺性能好,運用的比較廣,硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多,這主要受到二氧化硅的影響,能夠在器件制作上形成掩膜,能夠提高半導體器件的穩定性,利于自動化工業生產。 半導體器件行業的每一次變革,都蘊含著無錫微原電子科技的創新基因!奉賢區半導體器件發展現狀
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