氧氣是典型的氧化劑，其強(qiáng)氧化性源于氧原子的高電負(fù)性（3.44）。在化學(xué)反應(yīng)中，氧氣傾向于接受電子，使其他物質(zhì)被氧化。例如：燃燒反應(yīng)：甲烷（CH?）與氧氣反應(yīng)生成二氧化碳（CO?）和水（H?O），釋放大量能量。金屬腐蝕：鐵在氧氣和水的作用下生成鐵銹（Fe?O?·nH?O），導(dǎo)致材料失效。生物氧化：氧氣參與細(xì)胞呼吸，將葡萄糖氧化為二氧化碳和水，釋放能量供生命活動(dòng)使用。氮?dú)獾碾娮釉泼芏确植季鶆颍狈O性，使得其對(duì)大多數(shù)物質(zhì)表現(xiàn)出惰性。在常溫下，氮?dú)饧炔蝗紵膊恢С秩紵踔量捎糜跍缁稹＠纾陔娮釉附又校獨(dú)馔ㄟ^(guò)置換氧氣形成惰性環(huán)境，防止焊點(diǎn)氧化。然而，在特定條件下（如高溫高壓），氮?dú)饪杀憩F(xiàn)出微弱還原性，例如與金屬鋰反應(yīng)生成氮化鋰（Li?N）。汽車(chē)輪胎充入氮?dú)饪蓽p少氣壓波動(dòng)，提升行駛穩(wěn)定性。液態(tài)氮?dú)馑拓浬祥T(mén)

在激光切割電路板時(shí)，氮?dú)庾鳛檩o助氣體可抑制氧化層生成。例如，在柔性電路板（FPC）的激光切割中，氮?dú)鈮毫π杈_調(diào)節(jié)至0.3-0.5 MPa，既能吹散熔融金屬，又能避免碳化現(xiàn)象。與氧氣切割相比，氮?dú)馇懈畹倪吘壌植诙冉档?0%，熱影響區(qū)縮小60%，適用于0.1mm以下超薄材料的加工。在1200℃高溫退火過(guò)程中，氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣防止硅晶圓表面氧化。例如，在IGBT功率器件的硅基底退火中，氮?dú)饬髁啃柽_(dá)到10 L/min，氧含量控制在0.5 ppm以下，以確保載流子壽命大于100μs。氮?dú)膺€可攜帶氫氣進(jìn)行氫鈍化處理，消除界面態(tài)密度至101?cm?2eV?1以下，提升器件開(kāi)關(guān)速度。廣州增壓氮?dú)舛ㄖ品桨傅蜏氐獨(dú)庠诔瑢?dǎo)材料的研究和開(kāi)發(fā)中發(fā)揮著重要作用。

氧氣在常溫下即可與許多物質(zhì)發(fā)生緩慢氧化，如鐵生銹、食物腐爛。在點(diǎn)燃或高溫條件下，氧氣可與可燃物劇烈反應(yīng)，例如氫氣在氧氣中燃燒生成水，釋放的能量可用于火箭推進(jìn)。這種普適性使得氧氣成為能源轉(zhuǎn)化（如內(nèi)燃機(jī)）和材料加工（如金屬切割）的重要物質(zhì)。氮?dú)獾亩栊允蛊湓谛枰苊庋趸墓に囍胁豢苫蛉保纾弘娮又圃欤涸诎雽?dǎo)體封裝中，氮?dú)獗Ｗo(hù)防止焊點(diǎn)氧化，提升良率。食品保鮮：充氮包裝抑制需氧菌生長(zhǎng)，延長(zhǎng)保質(zhì)期。氧氣的氧化性則推動(dòng)了燃燒技術(shù)（如氧氣切割）和環(huán)保工藝（如廢氣氧化處理）的發(fā)展。

在輔助生殖技術(shù)中，液態(tài)氮是精子、卵子、胚胎冷凍保存的標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)。在皮膚科激光調(diào)理中，液態(tài)氮被用于冷卻皮膚表面，減少熱損傷。例如，點(diǎn)陣激光調(diào)理瘡疤時(shí)，液態(tài)氮通過(guò)噴槍噴射至調(diào)理區(qū)域，使皮膚表面溫度瞬間降至-10℃，明顯降低術(shù)后紅斑、水腫等不良反應(yīng)發(fā)生率。液態(tài)氮被用于疫苗、生物制劑的冷鏈運(yùn)輸。例如，某些mRNA疫苗需在-70℃以下保存，液態(tài)氮干冰混合制冷系統(tǒng)可確保運(yùn)輸過(guò)程中的溫度穩(wěn)定性。在臨床試驗(yàn)中，液態(tài)氮運(yùn)輸?shù)囊呙缁钚员３致蔬_(dá)99%以上，為全球疫苗分發(fā)提供了技術(shù)保障。氮?dú)庠诮饘馘懺熘锌煞乐垢邷匮趸岣卟牧闲阅堋?/p>

金屬熱處理作為提升材料性能的重要工藝，涉及淬火、退火、滲氮等復(fù)雜過(guò)程。氮?dú)鈶{借其惰性、高純度及可控性，在熱處理中承擔(dān)了保護(hù)氣氛、冷卻介質(zhì)、氣氛調(diào)控等多重角色，直接影響金屬的硬度、韌性及表面質(zhì)量。在真空淬火中，氮?dú)庾鳛槔鋮s介質(zhì)可實(shí)現(xiàn)分級(jí)淬火。例如，在軸承鋼的淬火中，先抽真空至10?2Pa，再回充氮?dú)庵?.5 MPa，使冷卻速度從空氣淬火的80℃/s提升至120℃/s，同時(shí)避免油淬的變形問(wèn)題。氮?dú)鈮毫€可調(diào)節(jié)淬火烈度，例如在不銹鋼的馬氏體轉(zhuǎn)變中，壓力從0.1 MPa升至0.8 MPa，硬度可從HRC 32提升至HRC 58。此外，氮?dú)饪煞乐拐婵諣t內(nèi)元件氧化。在真空燒結(jié)爐中，氮?dú)獗Ｗo(hù)可延長(zhǎng)加熱元件壽命3倍以上，減少停機(jī)維護(hù)時(shí)間。焊接氮?dú)庠诓讳P鋼焊接中防止焊縫出現(xiàn)裂紋和氣孔。安徽低溫貯槽氮?dú)馑拓浬祥T(mén)

氮?dú)庠诮饘贌釃娡恐杏糜诜乐雇繉友趸Ｒ簯B(tài)氮?dú)馑拓浬祥T(mén)

隨著EUV光刻機(jī)向0.55數(shù)值孔徑（NA）發(fā)展，氮?dú)饫鋮s系統(tǒng)的流量需求將從當(dāng)前的200 L/min提升至500 L/min，對(duì)氮?dú)饧兌扰c壓力穩(wěn)定性提出更高要求。在SiC MOSFET的高溫離子注入中，氮?dú)庑枧c氬氣混合使用，形成動(dòng)態(tài)壓力場(chǎng)，將離子散射率降低至5%以下，推動(dòng)SiC器件擊穿電壓突破3000V。超導(dǎo)量子比特需在10 mK極低溫下運(yùn)行，液氮作為預(yù)冷介質(zhì)，可將制冷機(jī)功耗降低60%。例如，IBM的量子計(jì)算機(jī)采用三級(jí)液氮-液氦-稀釋制冷系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)99.999%的量子門(mén)保真度。氮?dú)庠陔娮庸I(yè)中的應(yīng)用已從傳統(tǒng)的焊接保護(hù)，拓展至納米級(jí)制造、量子計(jì)算等前沿領(lǐng)域。其高純度、低氧特性與精確控制能力，成為突破物理極限、提升產(chǎn)品良率的關(guān)鍵。未來(lái)，隨著第三代半導(dǎo)體、6G通信及量子技術(shù)的發(fā)展，氮?dú)鈶?yīng)用將向超高壓、低溫、超潔凈方向深化，持續(xù)推動(dòng)電子工業(yè)的精密化與智能化轉(zhuǎn)型。液態(tài)氮?dú)馑拓浬祥T(mén)