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濺射閘閥氣動閥

來源: 發布時間:2024-05-21

微泰,傳輸閥 (I-MOTION)、I型轉換閥、輸送閥、轉移閥應用于晶圓加工,半導體加工,可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用:半導體系統中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,傳輸閥 (I-MOTION)、輸送閥、轉移閥規格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (I-MOTION)、右動轉換閥、驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式:焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差:≤ 30 mbar、開啟時壓差: ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數: ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績,上海安宇泰環保科技有限公司。閘閥的結構比較簡單,一般由閥體、閥座、閥桿、閘板、閥蓋、密封圈幾部分組成。濺射閘閥氣動閥

閘閥

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥,氣動多位置閘閥,氣動多定位閘閥,多定位插板閥,Pneumatic Multi Position 其特點是1,全開和關閉位置使用帶有位置發射器的氣動電磁閥進行控制;2,所有位置控制都由控制器進行操作。1)控制類型-全開:高速閘門全開操作-全閉:高速閘門全閉操作-位置(POS.)控制:將閘門移動到設定的位置值;2)操作時間-完全打開?完全關閉:<2秒(取決于速度控制器設置)-位置(POS。)控制: 0%?100%工作,<MAX18秒(偏差: < ±0.5%)。微泰氣動多位置閘閥,氣動多定位閘閥,多定位插板閥,Pneumatic Multi Position,有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。超大型真空閘閥英菲尼亞半導體閘閥形體簡單,結構長度短,制造工藝性好,適用范圍廣。

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微泰,三(多)位閘閥、三位閘閥、多位閘閥應用于? 蒸發?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴散?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*3個位置功能-閥門打開,閥門關閉,第3位置*設備可通過連接到閥門的9 Pin D-Sub來讀取閥門狀態*手動和氣動閥門組合*應用:需要壓力控制的任何其他過程*應用:需要壓力控制的地方。三位閘閥、多位閘閥規格如下:驅動方式:氣動、法蘭尺寸:2.5英寸~ 12英寸、法蘭類型ISO, JIS, ASA, CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封:Viton O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數:200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve,加熱插板閥,加熱閘閥,加熱器的加熱溫度為180-200度(可通過控制器設置溫度)-規格:適用雙金屬(達到200度時,斷電后溫度下降后重新啟動),應用于去除粉末/氣體設備。微泰,加熱閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。加熱閘閥規格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型:ISO、JIS、ASA、CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數:200,000次、、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。閘閥(gate valve)是一個啟閉件閘板,閘板的運動方向與流體方向相垂直,閘閥只能作全開和全關。

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微泰,大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發和工業的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規格如下:驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內徑):16? ~ 30?、 法蘭型:ISO、JIS、ASA 、饋通:Viton O-Rin、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:可調節、工作壓力范圍:1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數:10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績,上海安宇泰環保科技有限公司。 真空閘閥的設計具有獨特的特征。它們具有堅固的結構,通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件。屏蔽閘閥SHIELD GATE VALVE

微泰閘閥可替代HVA閘閥、VAT閘閥。濺射閘閥氣動閥

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥,控制系統閘閥,控制閘閥、控制系統插板閥、控制系統閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動方式操作,可以在高真空環境中實現精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用。控制系統閘閥是自動控制到用戶指定的值,通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation(蒸發)、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散)、CVD(化學氣相沉積)等設備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。濺射閘閥氣動閥

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