半導體主加工設備腔內精確壓力控制的解決方案，真空插板閥品牌—微泰。控制系統閥門是安裝在半導體? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備中的主要閥門。控制系統閥門起到調節腔內壓力的作用，通過控制系統自動調節閘板的開啟和關閉。精確控制腔內壓力的閥門分為三類：控制系統閘閥、蝶閥、多定位閘閥。控制系統和蝶閥使用步進電機操作，而多定位閘閥、多位置閘閥使用氣動控制操作。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。高壓閘閥按閥桿螺紋的位置分外螺紋式、內螺紋式、法蘭、焊接等。按介質的流向分，有直通式、直流式和角式。加熱閘閥法蘭閘閥

微泰，專門用閘閥應用于? Evaporation? Sputtering? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating? Etch? Diffusion（擴散）?CVD等設備上。可替代VAT閘閥。期特點是*使用維修配件工具包易于維護*將電磁閥和位置傳感器連接到15針D-Sub*鎖定功能*限位開關*?速度控制器&電磁閥（2Port+N2Port）用不銹鋼管連接（φ6）*應用:泵隔離,產品工藝水平要求高的地方。專門用閘閥規格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸：4英寸~ 8英寸、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 0.3 sec ~2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：4? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、Micron,Global Foundries、英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體業績。

韓國技術閘閥閘板閥閘板有剛性閘板和彈性閘板，根據閘板的不同，閘閥分為剛性閘閥和彈性閘閥。

微泰半導體閘閥的特點：插板閥主滑閥的球機構方式-在量產工藝設備上的性能驗證-由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成，陶瓷和金屬觸摸驅動無顆粒-已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備，設備廠批量供貨，已得到品質認可，已完成對半導體Utility設備和批量生產設備的驗證，而其他廠家閘閥金屬和金屬觸摸驅動產生大量顆粒。使用鋼陶瓷球，與金屬摩擦時不會損壞，金屬與陶瓷球之間不會產生Particle，半永久板簧（SUS鋼板）的應用確保閥門驅動同步性，采用了固定球導向器和鋼陶瓷。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司。

微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*使用加熱套或內部加熱器加熱*加熱控制器*應用:去除粉末/氣體設備。加熱閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。金屬閥體襯里高壓閥門主要有襯膠閥門、襯氟閥門、襯鉛閥門、襯塑閥門、襯搪瓷閥門。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，有氣動多位置閘閥（氣動多定位閘閥、多定位插板閥、Pneumatic Multi Position）、氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥，蝶閥，Butterfly Valve，步進電機插板閥Stepper Motor Gate Valve，加熱插板閥（加熱閘閥Heating gate valve），鋁閘閥（AL Gate Valve），三重防護閘閥，應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發）等設備。晶圓閘閥SHIELD GATE VALVE

用真空閘閥時，應考慮與工藝氣體的兼容性、工作壓力范圍、循環速度和維護要求等因素。加熱閘閥法蘭閘閥

微泰主要產品有1、-手動鎖定閥：操作鎖定按鈕關閉正在抽吸中的切斷閥門切斷現象的源頭：2、特殊閥門：全金屬配件構成，由電磁閥+傳感器+D-Sub+角閥組成；3、三位閥：半開功能的壓力控制閥。氣動閘閥：?產品范圍：1.5~30英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數：25萬次?響應時間：0.2秒~3秒；手動（鎖定）閘閥?產品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數：25萬次；專門用閘閥：產品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數：25萬次，響應時間：0.2秒客戶指定的法蘭，可安裝角閥；三位閘閥：產品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數：20萬次?響應時間：0.2秒~3秒；有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司。加熱閘閥法蘭閘閥