可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR),是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點,是比較常用的半導體器件之一。
“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。那么,用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源或使陽極電流小于維持導通的最小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,那么,在電壓過零時,晶閘管會自行關斷。 晶閘管在過壓或過流時易損壞,需加保護電路。全控型晶閘管排行榜
高壓直流輸電(HVDC)是晶閘管的重要應用領域之一。與交流輸電相比,HVDC在長距離輸電、海底電纜輸電和異步電網互聯中具有明顯的優勢,而晶閘管是HVDC換流站的重要器件。在HVDC系統中,晶閘管主要用于構成換流器,包括整流器和逆變器。整流器將三相交流電轉換為直流電,逆變器則將直流電還原為交流電。傳統的HVDC換流器多采用12脈動橋結構,每個橋由6個晶閘管串聯組成,通過精確控制晶閘管的觸發角,可實現對直流電壓和功率的調節。晶閘管在HVDC中的關鍵優勢包括:高耐壓能力(單個晶閘管可承受數千伏電壓)、大電流容量(可達數千安培)、可靠性高(使用壽命長)和成本效益好。例如,中國的特高壓直流輸電工程(如±800kV云廣直流工程)采用了大量光控晶閘管(LTT),單閥組額定電壓達800kV,額定電流達4000A,傳輸容量超過5000MW。然而,晶閘管在HVDC中的應用也面臨挑戰。由于晶閘管屬于半控型器件,關斷依賴電流過零,因此在故障情況下的快速滅弧能力較弱。為解決這一問題,現代HVDC系統引入了混合式換流器技術,將晶閘管與全控型器件(如IGBT)結合,提高系統的故障穿越能力和動態響應性能。 甘肅晶閘管快速晶閘管模塊具備極短的開關時間,適用于高頻感應加熱裝置。
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個電極。但是,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同,是把兩個可控硅反接在一起畫成的。它的型號,在我國一般用“3CTS”或“KS”表示;國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同,但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,電極引腳向下,面對標有字符的一面)。
單向晶閘管的伏安特性研究單向晶閘管的伏安特性曲線直觀地反映了其工作狀態。當門極開路時,如果陽極加正向電壓,在一定范圍內,晶閘管處于正向阻斷狀態,只有很小的漏電流。當正向電壓超過正向轉折電壓時,晶閘管會突然導通,進入低阻狀態。而當門極施加正向觸發脈沖時,晶閘管在較低的正向電壓下就能導通,觸發電流越大,導通時間越短。在反向電壓作用下,晶閘管處于反向阻斷狀態,只有極小的反向漏電流,當反向電壓超過反向擊穿電壓時,器件會因擊穿而損壞。深入理解伏安特性對于合理選擇晶閘管的參數以及設計觸發電路至關重要。例如,在設計過壓保護電路時,需要確保晶閘管的正向轉折電壓高于正常工作電壓,以避免誤觸發。 晶閘管模塊的耐壓等級決定了其在高壓環境中的適用性。
在實際應用中,當單個單向晶閘管的電壓或電流容量無法滿足要求時,需要將多個晶閘管進行并聯或串聯使用。晶閘管的并聯應用可以提高電路的電流容量。但在并聯時,需要解決各晶閘管之間的電流均衡問題。由于各晶閘管的伏安特性存在差異,在并聯運行時,可能會出現電流分配不均的現象,導致某些晶閘管過載而損壞。為了解決這個問題,可以在每個晶閘管上串聯一個小阻值的均流電阻,或者采用均流電抗器。同時,在選擇晶閘管時,應盡量選擇伏安特性相近的器件。晶閘管的串聯應用可以提高電路的耐壓能力。但在串聯時,需要解決各晶閘管之間的電壓均衡問題。由于各晶閘管的反向漏電流存在差異,在反向電壓作用下,可能會出現電壓分配不均的現象,導致某些晶閘管承受過高的電壓而損壞。為了解決這個問題,可以在每個晶閘管上并聯一個均壓電阻,或者采用 RC 均壓網絡。在實際應用中,晶閘管的并聯和串聯往往同時使用,以滿足高電壓、大電流的應用需求。 光控晶閘管(LASCR)通過光信號觸發,適用于高壓隔離場景。河北西門康賽米控晶閘管
晶閘管在光伏逆變器中用于DC-AC轉換。全控型晶閘管排行榜
晶閘管觸發電路的設計與優化晶閘管的觸發電路是確保其可靠工作的關鍵環節。設計觸發電路時,需考慮觸發脈沖的幅度、寬度、前沿陡度以及與主電路的同步問題。同步問題是觸發電路設計的重要挑戰之一。在交流電路中,觸發脈沖必須與電源電壓保持嚴格的相位關系,以實現對導通角的精確控制。常用的同步方法包括變壓器同步、過零檢測同步和數字鎖相環(PLL)同步。例如,在交流調壓電路中,通過檢測電源電壓過零點作為基準,再延遲一定角度(觸發角α)輸出觸發脈沖,即可實現對負載功率的調節。觸發脈沖參數的選擇直接影響晶閘管的性能。觸發脈沖幅度一般為門極觸發電流的3-5倍,以確保可靠觸發;脈沖寬度需大于晶閘管的開通時間(通常為5-20μs);前沿陡度應足夠大(通常要求di/dt>1A/μs),以提高晶閘管的動態響應速度。隔離技術在觸發電路中至關重要。為避免主電路高壓對控制電路的干擾,通常采用脈沖變壓器、光耦或光纖進行電氣隔離。例如,光耦隔離觸發電路利用發光二極管將電信號轉換為光信號,再通過光敏三極管還原為電信號,實現信號傳輸的同時切斷電氣連接。 全控型晶閘管排行榜