二極管模塊是一種將多個二極管芯片集成在單一封裝中的功率電子器件，其主要結構包括半導體芯片、絕緣基板、電極和外殼。常見的封裝形式有TO-220、TO-247、DIP模塊和壓接式模塊等。模塊內部通常采用直接覆銅（DBC）或活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板，以實現高絕緣耐壓（如2.5kV以上）和優良散熱性能。例如，三相全橋整流模塊會將6個二極管芯片集成在氮化鋁（AlN）基板上，通過銅層實現電氣互連。這種模塊化設計不僅減小了寄生電感（可低于10nH），還通過標準化引腳布局簡化了系統集成，廣泛應用于工業變頻器和新能源發電領域。

二極管模塊集成多個二極管芯片，提供高功率密度和穩定性能，廣泛應用于整流和逆變電路。旋轉二極管價格表

西門康SKiiP智能功率模塊中的二極管技術

SKiiP系列智能模塊集成了西門康優化的二極管單元，具有三大主要技術：動態均流架構通過三維銅基板布局實現多芯片自動均衡；25μm厚SKiN銅帶互連使熱阻降低40%；集成NTC和霍爾傳感器實現±1%精度監測。在注塑機伺服系統中，該模塊連續運行8萬小時無故障。SKiiP4更創新性地將柵極驅動與二極管單元單片集成，開關速度提升至30ns，特別適合50kHz以上高頻應用。實測數據顯示，在200kW伺服驅動中采用該模塊后，系統效率提升至98.5%。 浙江放大二極管二極管模塊的正向壓降隨溫度升高而減小，常溫下硅管約 0.7V，100℃時可能降至 0.5V。

衛星和航天器電子系統需承受宇宙射線和單粒子效應（SEE）。特種二極管模塊采用寬禁帶材料（如SiC）和抗輻射加固工藝（如鈦合金屏蔽），確保在太空環境中穩定工作。例如，太陽翼電源調節器中，二極管模塊實現電池陣的隔離和分流，耐輻射劑量達100krad以上。模塊的金線鍵合和密封焊接工藝防止真空環境下的氣化失效。這類模塊通常需通過MIL-STD-883和ESCC認證，成本雖高但關乎任務成敗，是航天級電源的重要部件。

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。PN結具有單向導電性，在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。電動汽車充電樁的整流橋模塊，由 4 個快恢復二極管組成，支持高電壓輸入整流。

二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 TVS 二極管模塊可瞬間吸收浪涌電流，用于防雷擊或靜電保護電路。遼寧檢波二極管

Infineon的EconoDUAL?封裝模塊兼容多拓撲結構，為風電變流器提供高性價比解決方案。旋轉二極管價格表

Infineon英飛凌作為全球功率半導體領域的**企業，其二極管模塊產品以高性能、高可靠性著稱，廣泛應用于工業驅動、新能源發電、汽車電子等領域。英飛凌采用先進的薄晶圓技術和創新的封裝工藝，使模塊在功率密度、能效和散熱性能方面處于行業**水平。例如，其EconoPACK?系列模塊采用TRENCHSTOP?溝槽技術，***降低導通損耗，1200V/300A模塊的正向壓降*1.25V，比傳統方案節能20%。此外，英飛凌的SiC（碳化硅）肖特基二極管模塊（CoolSiC?系列）憑借零反向恢復電荷（Qrr）特性，成為高頻、高功率應用的理想選擇，特別適用于電動汽車和太陽能逆變器。旋轉二極管價格表