P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關(guān)，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整。現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機。單相整流可控硅生產(chǎn)加工

    **交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓。通用可控硅貨源整流器常用的冷卻方式有自然冷卻、純風(fēng)扇冷卻、自然冷卻和風(fēng)扇冷卻相結(jié)合三種。

    選用具有溫度補償特性的2CW234系列硅穩(wěn)壓管作為基準源，并選擇其穩(wěn)定電壓為6．4V。由特性較好的三端集成穩(wěn)壓器供電，限流電阻采用精密金屬膜電阻R（溫度系數(shù)約為±1×10－5／℃）。為了減小噪聲的影響，將穩(wěn)壓管封裝在盛油的小容器里，噪聲指標將會有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調(diào)整管的集－射極電壓經(jīng)電阻分壓，并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端；在集電極電壓的取樣電路中串入一穩(wěn)壓管，由該管決定調(diào)整管壓降大小。此處選3．3V。并將集電極電壓減去穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度，應(yīng)使集－射極采樣電阻完全對稱，并選取溫度特性較好、同一型號的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運放并接成負反饋。令R1＝R3，R2＝R4；設(shè)分壓系數(shù)n＝R2／（R1＋R2）；集成運算放大器輸出為Uo；放大系數(shù)為K；調(diào)整管集電極電壓為UC；調(diào)整管發(fā)射極電壓為UE；A點電壓為UA；B點電壓為UB；有：當調(diào)整管壓降增大，UcE上升，使Uo增大，即觸發(fā)器的控制電壓Ub增大，而集成觸發(fā)器KJ785是負極型的：控制電壓增大，導(dǎo)通角減小。因此，觸發(fā)脈沖后移，整流輸出減小。可控硅整流擔(dān)任***步的穩(wěn)壓工作。

工作原理

本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時具備兩個條件，分別是：控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零，兩個條件缺其中任何一個都不能輸出觸發(fā)脈沖。控制信號有效的較早周波檢測過零，過零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖，在以后的控制信號有效的時間段內(nèi)持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。

性能特點

高可靠的可控硅電壓過零觸發(fā)，三相**控制，脈沖隔離輸出，安全可靠。

有自同步功能，免去傳統(tǒng)可控硅電路認定同步和相序的麻煩，使用與調(diào)試方便。

適用于阻性負載、感性負載、容性負載等類型。

一體化結(jié)構(gòu)，接線簡單，互換性好。

驅(qū)動能力強，每路可以輸出600毫安的電流，6V觸發(fā)電壓,可以驅(qū)動4000A可控硅。

工作可靠,有非常強的抗干擾能力，適用性強，耐壓高。

調(diào)整器具有軟起動、軟關(guān)斷功能，減少對電網(wǎng)的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。

    1．判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2．判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項：（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應(yīng)交換表筆的位置。（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。通用可控硅貨源

輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整。單相整流可控硅生產(chǎn)加工

雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則，通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè)。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區(qū)別的，雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進一步調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。 單相整流可控硅生產(chǎn)加工

上海凱月電子科技有限公司位于萬源路2759號3號樓205市。上海凱月電子科技致力于為客戶提供良好的可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌。上海凱月電子科技秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念，全力打造公司的重點競爭力。