摘要：為了深入了解雙向可控硅內部電路和工作原理，以運用簡便易懂的三極管為主，依據雙向可控硅內部P型半導體和N型半導體的分布，設計一種可以被雙向觸發導通的電路。并從理論上來對其進行論述，通過實際電路制作對其進行了驗證，在實際運用方面達到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅（TRIAC）在控制交流電源控制領域的運用非常***，如我們的日光燈調光電路、交流電機轉速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發導通的特點來控制交流供電電源的導通相位角，從而達到控制供電電流的大小[1]。然而對其工作原理和結構的描述，以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及，大部分都是對它的外圍電路的應用和工作方式、參數的選擇等等做了比較多的描述，更進一步的--哪怕是內部方框電路--內容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上，我們根本是不可能通過采用類似機械的拆卸手段來觀察其內部結構。為了深入了解和運用可控硅，依據現有可查資料所給P型和N型半導體的分布圖，采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來設計一款電路，使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。三相恒壓|恒流|恒功率晶閘管功率控制器是移相觸發型的晶閘管電力控制器。多路可控硅訂做

    此時表內電壓較高。當用手接觸柵極Ｇ時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。二、.場效應管的使用注意事項（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數的極限值。（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。（3）MOS場效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時比較好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵。多路可控硅訂做晶閘管也用于各級鐵路機車系統中，以實現牽引馬達的微調。

    5.光控晶閘管檢測用萬用表檢測小功率光控晶閘管時，可將萬用表置于R×1檔，在黑表筆上串接1～3節1．5V干電池，測量兩引腳之間的正、反向電阻值，正常時均應為無窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口，此時應能測出一個較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為無窮大。在較小電阻值的一次測量中，黑表筆接的是陽極A，紅表筆接的是陰極K。也可用圖lO中電路對光控晶閘管進行測量。接通電源開關S，用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為其加上觸發光源(大功率光控晶閘管自帶光源，只要將其光纜中的發光二極管或半導體激光器加上工作電壓即可，不用外加光源)后，指示燈EL應點亮，撤離光源后指示燈EL應維持發光。若接通電源開關S后(尚未加光源)，指示燈FL即點亮，則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關、并加上觸發光源后，指示燈EL仍不亮，在被測晶閘管電極連接正確的情況下，則是該晶閘管內部損壞。若加上觸發光源后，指示燈發光，但取消光源后指示燈即熄滅，則說明該晶閘管觸發性能不良。(1)判別各電極：根據BTG晶閘管的內部結構可知，其陽極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個正、反向串聯的PN結，而陽極A與門極G之問卻只有一個PN結。因此。

    應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標志的場效應管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為***柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小對ＶＭＯＳＮ溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。當采用遠端溫度檢測器時，整流器/充電機應自動調節蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。

    它可***的應用于工業各領域的電壓電流調節，適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等，主要應用于以下負載：*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*白金漏板、石墨、鉬絲、鉬棒、不銹鋼等特殊負載的控制。*整流變壓器、調功機（純電感線圈）、電爐變壓器一次側、直流電機控制。*單相電焊機控制、高壓靜電除塵設備、植絨設備等各種調壓場合*電壓、電流、功率、燈光等無級平滑調節。一．技術規格?功率元件：進口單向反并聯可控硅（晶閘管）模塊?負載電源：單相220、380VAC±10%50HZ?電流容量：25A50A、100A150A200A250A350AAC?控制板電源與功耗：220或380VAC±10%50HZ通用,功耗：2W比較大?風扇電源(根據型號配備)：電壓：220VAC電流：A以下?自動控制輸入：4~20mADC輸入,接收阻抗120Ω；（默認輸入信號）0~5VDC輸入,輸入電阻>20KΩ（定貨時需說明）0~10VDC輸入,輸入電阻>20KΩ（訂貨聲明）?LED狀態顯示LED名稱功能狀態顏色現象含義POW電源指示1紅色亮電源正常TH溫度指示2紅色亮裝置溫度異常IH過流指示3紅色亮過電流?控制方式：調相控制：連續調壓。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。多路可控硅訂做

硅材料的禁帶寬度較大，導熱性能良好，適于制作大功率整流器件。多路可控硅訂做

    焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸５毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。三.VMOS場效應管VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高.效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（μA左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。多路可控硅訂做

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