新型跟.蹤式可控硅直流穩壓電源信息時代里，BP機已成為常用的通信工具。目前，我國BP機總臺的發射設備都采用進口設備，其輸出電壓為13．8V，電流為15～20A。進口電源不帶可控硅部分，而我國電網波動較大，為此設計了這種低成本穩壓電源。該設計在串聯反饋調整型穩壓電源的基礎上加裝了可控硅相位控制裝置，用調整管兩端壓降來控制可控硅觸發的導通角，維持調整管壓降不變，從而設計出跟.蹤式大功率直流穩壓電源。該穩壓電源限制了調整管功耗，實現了大功率。該穩壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩壓器及可控硅相位控制等環節組成，并加裝了過流保護、短路保護、過熱保護裝置及顯示部分。在220V電網電壓波動±15％情況下，輸出電壓13．8V，輸出電流可達20A。由于采用了可控硅相位控制技術，能將調整管兩端壓降限制在3V左右，功耗不大于40W，提高了電源效率。當輸出電流超過20A時，限流保護可減小輸出電流。若輸出短路，短路保護輸出***信號關斷可控硅。調整管溫度高于60℃時啟動電扇，溫度低于40℃時關斷電扇，溫度高于80℃時關斷可控硅。該電源采用集成可控硅觸發器，雙運算放大器及具有溫度補償的穩壓管作基準源，并配有三端穩壓器作為輔助電源，實現了高精度。整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉化為直流（DC）的裝置。調壓可控硅采購

上海凱月電子科技有限公司是一家集科研開發、制造、銷售于一體的高科技民營企業，專業生產銷售可控硅觸發器、大功率高精度可控硅觸發板、電力調整器、軟啟動器、智能調壓模塊、中小型固態繼電器、中頻電源和節電設備等700多個產品規格。廣泛應用于工業機床、加熱設備、節能、電力驅動等自動化控制領域。

公司擁有先進的研發測試生產設備，雄厚的技術力量。公司視質量為企業***生命，嚴格按照國際ISO9001質量體系組織設計生產。產品均采用無鉛自動焊接技術全自動電腦貼片生產，每臺產品須通過電磁兼容測試，須在高溫及高壓環境下老化48小時工作以上，確保能夠生產出高質量、高精度、高可靠的產品。主要技術指標均達國際標準。質量的優化，從而使本公司的銷售網絡廣褒千里，縱橫全國，部分產品遠銷中東、馬來西亞、等***和中國臺灣地區。 通用可控硅直銷以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。

    應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標志的場效應管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為***柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小對ＶＭＯＳＮ溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到廣泛應用。眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。在以大功率二極管或晶閘管為基礎的兩種基本類型的整流器中，電網的高壓交流功率通過整流器變換為直流功率。

    可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調節的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實驗電路。主電路由負載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發電路為單結晶體管T2及一些阻容元件構成的阻容移相橋觸發電路。改變晶閘管T1的導通角，便可調節主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數值，這點可由燈炮負載的亮度變化看出。晶閘管導通角的大小決定于觸發脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實驗電路可知，當單結晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時，則頻率f大小由R決定，因此，通過調節電位器Rw，使可以改變觸發脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達到可控調壓的目的。用萬用電表的電阻檔（或用數字萬用表二極管檔）可以對單結晶體管和晶閘管進行簡易測試。圖2為單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號。好的單結晶體管PN結正向電阻REB1、REB2均較小，且REB1稍大于REB2，PN結的反向電阻RB1E、RB2E均應很大，根據所測阻值，即可判斷出各管腳及管子的質量優劣。圖2單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結構圖及電路符號。晶閘管陽極（A）—陰極（K）及陽極（A）—門極（G）之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應很大。常用的半導體整流器有硅整流器和硒整流器，產品規格很多，電壓從幾十伏到幾千伏，電流從幾安到幾千安。蘇州供應雙向可控硅

整流器可以由真空管，引燃管，固態矽半導體二極管，汞弧等制成。調壓可控硅采購

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發射極E處于正偏電壓而致使Q3導通，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導體開關，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現在能在四個象限來使可控硅觸發導通和保持導通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設計在理解了前面所述雙向可控硅的內部結構和工作原理之后，依據其內部結構采用我們熟悉的晶體管來設計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結的結構按圖6所示結構圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。調壓可控硅采購

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