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單相整流可控硅貨源

來源: 發布時間:2021-07-07

    電力調整器編輯鎖定電力調整器是應用晶閘管(又稱可控硅)及其觸發控制電路用于調整負載功率的盤裝功率調整單元。更多的是運用數字電路觸發可控硅實現調壓和調功。調壓采用移相控制方式,調功有定周期調功和變周期調功兩種方式。中文名電力調整器方式定周期調功和變周期調功類別盤裝功率調整單元特點主電路和控制電路一體化結構目錄1電力調整器低諧波**2三相可控硅電力調整器3單相可控硅電力調整器電力調整器電力調整器低諧波**編輯1.采用比例式不產生諧波控制。2.應用于恒溫恒濕加熱系統需低諧波環境。3.本控制器之保護裝置:1.來源電欠相。2.保險絲斷線檢知。3.本控制器散熱片超溫保護。4.異常輸出接點,提供遠程監控使用,接點容量240VAC/5A。4.本控制器具有CE國際安全認證之標準。5.具有,并提供異常輸出接點,可做系統緊急控制之用。6.體積精巧、散熱佳,內含半導體**快速保險絲,不怕負載短路。7.冷卻風扇動作具有溫度控制,’當散熱片溫度55oC時工作,45oC時停止,可提高風扇壽命2~3倍。8.本控制器散熱片具超溫保護裝置及異常輸出接點,接點容量240VAC/10A。業界推出的節能燈和電子鎮流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。單相整流可控硅貨源

    若在晶閘管被觸發導通后斷開G極,T2、T1極間不能維持低阻導通狀態而阻值變為無窮大,則說明該雙向晶閘管性能不良或已經損壞。若給G極加上正(或負)極性觸發信號后,晶閘管仍不導通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無窮大),則說明該晶閘管已損壞,無觸發導通能力。對于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管,在測量其觸發能力時,可先在萬用表的某支表筆上串接1~3節1.5V干電池,然后再用R×1檔按上述方法測量。對于耐壓為400V以上的雙向晶閘管,也可以用220V交流電壓來測試其觸發能力及性能好壞。圖6是雙向晶閘管的測試電路。電路中,FL為60W/220V白熾燈泡,VT為被測雙向晶閘管,R為100Ω限流電阻,S為按鈕。將電源插頭接入市電后,雙向晶閘管處于截止狀態,燈泡不亮(若此時燈泡正常發光,則說明被測晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短路;若燈泡微亮,則說明被測晶閘管漏電損壞)。按動一下按鈕S,為晶閘管的門極G提供觸發電壓信號,正常時晶閘管應立即被觸發導通,燈泡正常發光。若燈泡不能發光,則說明被測晶閘管內部開路損壞。若按動按鈕s時燈泡點亮,松手后燈泡又熄滅,則表明被測晶閘管的觸發性能不良。單相整流可控硅貨源整流器/充電機應有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。

    2具體電路實現電路結構框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路,降低了成本。大功率或大電流的穩壓電源,一般采用L-C濾波電路。但是,大電流的濾波電抗器體積大,重量重,價格也較貴,因此,在該穩壓電源的設計中仍采用大電容濾波。線性穩壓器部分仍采用串聯反饋調整型穩壓器原理,構成一個閉環反饋系統。主要包括:調整管,取樣電路,基準電壓源,誤差比較放大器。由于該穩壓電源輸出電流20A,電流很大,所以,為減小調整管功耗,采用并聯形式,在本電源中,調整管用兩個大功率三極管并聯,使每管流過電流為10A左右。這樣,每個管子的功耗不大于40W,減小了調整管功耗。調整管集電極電流為10A左右,因此應采用大功率晶體三極管,選取β=40~50,這樣,基極電流應達2×0.3A,即600mA。而一般集成運算放大器輸出電流只有幾十毫安級,不能讓比較放大電路的輸出端直接來推動調整管,因此在比較放大電路的輸出端與調整管的基極之間,加入推動級,此處選擇一個小功率三極管,構成復合管的形式。啟動電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩壓電路中,基準源是整個穩壓系統工作的參考,穩壓的**終效果取決于基準源的水平。因此,該電源中。

    1.判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2.判定源極S、漏極D由圖1可見,在源-漏之間有一個PN結,因此根據PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。3.測量漏-源通態電阻RDS(on)將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,大于(典型值)。4.檢查跨導將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應有明顯偏轉,偏轉愈大,管子的跨導愈高。注意事項:(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時應交換表筆的位置。(2)有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管,本檢測方法中的1、2項不再適用。(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。調整器具有恒電壓、恒電流、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。

可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN 結,與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引入,為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。半導體PN結在正向偏置時電流很大,反向偏置時電流很小。單相整流可控硅貨源

可控硅調整器采用移相式觸發方式、適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側等各種負載類型。單相整流可控硅貨源

    只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓,就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發電壓,也能繼續保持導通狀態。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發電壓方可導通。單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳,此時黑表筆的引腳為控制極G,紅表筆的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。單相整流可控硅貨源

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