自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好。附圖說(shuō)明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例相交流固態(tài)調(diào)壓器的電路示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以下實(shí)施例是對(duì)本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。參見圖1，本實(shí)施例一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器，其電路結(jié)構(gòu)如下：整流橋的其中兩個(gè)腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極，穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2，穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1，單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng)。蘇州可控硅價(jià)位

    新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源信息時(shí)代里，BP機(jī)已成為常用的通信工具。目前，我國(guó)BP機(jī)總臺(tái)的發(fā)射設(shè)備都采用進(jìn)口設(shè)備，其輸出電壓為13．8V，電流為15～20A。進(jìn)口電源不帶可控硅部分，而我國(guó)電網(wǎng)波動(dòng)較大，為此設(shè)計(jì)了這種低成本穩(wěn)壓電源。該設(shè)計(jì)在串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓電源的基礎(chǔ)上加裝了可控硅相位控制裝置，用調(diào)整管兩端壓降來(lái)控制可控硅觸發(fā)的導(dǎo)通角，維持調(diào)整管壓降不變，從而設(shè)計(jì)出跟.蹤式大功率直流穩(wěn)壓電源。該穩(wěn)壓電源限制了調(diào)整管功耗，實(shí)現(xiàn)了大功率。該穩(wěn)壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩(wěn)壓器及可控硅相位控制等環(huán)節(jié)組成，并加裝了過流保護(hù)、短路保護(hù)、過熱保護(hù)裝置及顯示部分。在220V電網(wǎng)電壓波動(dòng)±15％情況下，輸出電壓13．8V，輸出電流可達(dá)20A。由于采用了可控硅相位控制技術(shù)，能將調(diào)整管兩端壓降限制在3V左右，功耗不大于40W，提高了電源效率。當(dāng)輸出電流超過20A時(shí)，限流保護(hù)可減小輸出電流。若輸出短路，短路保護(hù)輸出***信號(hào)關(guān)斷可控硅。調(diào)整管溫度高于60℃時(shí)啟動(dòng)電扇，溫度低于40℃時(shí)關(guān)斷電扇，溫度高于80℃時(shí)關(guān)斷可控硅。該電源采用集成可控硅觸發(fā)器，雙運(yùn)算放大器及具有溫度補(bǔ)償?shù)姆€(wěn)壓管作基準(zhǔn)源，并配有三端穩(wěn)壓器作為輔助電源，實(shí)現(xiàn)了高精度。山東散熱可控硅調(diào)整器具有“自動(dòng)限流”功能，負(fù)載電流大于額定值時(shí)，調(diào)壓器輸出電流被限制在額定值左右。

KY-ZB3型周波觸發(fā)器是工業(yè)電加熱系統(tǒng)中相當(dāng)有廣泛應(yīng)用的SSR信號(hào)處理控制器。具有周期過零式（PWM占空比控制）和周波過零式（CYC變周期控制）兩種控制方式。觸發(fā)器采用鎖相環(huán)同步電路、自動(dòng)判別相位。可做為單相調(diào)功、三相三控、三相兩控過零觸發(fā)控制。其優(yōu)越的周波過零控制使負(fù)載電流的通斷是按正弦波均勻分布的。它提高了調(diào)節(jié)精度和電源的利用效率以及避免了打表針現(xiàn)象，節(jié)電效果也十分明顯。主要應(yīng)用于電阻性負(fù)載、溫度加熱控制單元以及各種工業(yè)爐等。

    當(dāng)T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號(hào)（相對(duì)于T1、T2所接電源負(fù)極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí)，其工作過原理如圖4所示，此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡(jiǎn)稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導(dǎo)體開關(guān)，目前主要用于對(duì)交流電源的控制，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來(lái)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù)。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正、負(fù)極。2類雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來(lái)設(shè)計(jì)一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個(gè)三極管和幾個(gè)電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。整流裝置也用于提供電焊時(shí)所需固定極性的電壓。

    由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說(shuō)明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬(wàn)用表的R×100檔，測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住Ｇ極后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大，說(shuō)明該管是好的，并有較大的放大能力。運(yùn)用這種方法時(shí)要說(shuō)明幾點(diǎn)：首先，在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí)，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減小），也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗(yàn)表明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何，只要表針擺動(dòng)幅度較大，就說(shuō)明管有較大的放大能力。第二，此方法對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管也適用。但要注意，MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測(cè)量完畢。如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路。可控硅總經(jīng)銷

隔離開關(guān)應(yīng)能同時(shí)提供滿足負(fù)載的電流和蓄電池的再充電電流，并能承受較大的短路電流。蘇州可控硅價(jià)位

    可控硅檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)可控硅（SCR）國(guó)際通用名稱為Thyyistoy，中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向。蘇州可控硅價(jià)位

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