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(2)根據(jù)讀/寫信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離。如果PCB走線長(zhǎng)度比較 長(zhǎng),在不同位置測(cè)試時(shí)可能讀/寫信號(hào)的幅度不太一樣,可以基于幅度進(jìn)行觸發(fā)分離。但是 這種方法對(duì)于走線長(zhǎng)度不長(zhǎng)或者讀/寫信號(hào)幅度差別不大的場(chǎng)合不太適用。
(3)根據(jù)RAS、CAS、CS、WE等控制信號(hào)進(jìn)行分離。這種方法使用控制信號(hào)的讀/寫 來(lái)判決當(dāng)前的讀寫指令,是可靠的方法。但是由于要同時(shí)連接多個(gè)控制信號(hào)以及Clk、 DQS、DQ等信號(hào),要求示波器的通道數(shù)多于4個(gè),只有帶數(shù)字通道的混合信號(hào)示波器才能 滿足要求,而且數(shù)字通道的采樣率也要比較高。圖5.11是用帶高速數(shù)字通道的示波器觸發(fā) 并采集到的DDR信號(hào)波形。 DDR4 和 LPDDR4 一致性測(cè)試軟件。湖南DDR一致性測(cè)試PCI-E測(cè)試
通常測(cè)量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測(cè)量功能,即用時(shí)鐘做觸發(fā)對(duì)數(shù) 據(jù)信號(hào)進(jìn)行累積,看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是,想用這種 方法直接測(cè)量DDR的信號(hào)質(zhì)量非常困難,因?yàn)镈DR信號(hào)讀寫時(shí)序是不一樣的。
可以看到,寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)(DQS)的中心,而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)的邊沿,而且在總線上還有三態(tài),因此如果直接用DQS 觸發(fā)對(duì)DQ累積進(jìn)行眼圖測(cè)量的話,會(huì)得到的結(jié)果。 數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試商家DDR3信號(hào)質(zhì)量測(cè)試,信號(hào)一致性測(cè)試。
制定DDR 內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化組織是JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,)。按照J(rèn)EDEC組織的定義, DDR4 的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng) 達(dá)到了3200MT/s以上,DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之 前,LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開(kāi)始,由于高性 能移動(dòng)終端的發(fā)展,LPDDR4的速率開(kāi)始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在 2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定,并于2020年在的移動(dòng)終端上開(kāi)始使用。DDR5的規(guī)范 (JESD79-5)于2020年發(fā)布,并在2021年開(kāi)始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺(tái)走向商 用。圖5.2展示了DRAM技術(shù)速率的發(fā)展。
由于讀/寫時(shí)序不一樣造成的另一個(gè)問(wèn)題是眼圖的測(cè)量。在DDR3及之前的規(guī)范中沒(méi) 有要求進(jìn)行眼圖測(cè)試,但是很多時(shí)候眼圖測(cè)試是一種快速、直觀衡量信號(hào)質(zhì)量的方法,所以 許多用戶希望通過(guò)眼圖來(lái)評(píng)估信號(hào)質(zhì)量。而對(duì)于DDR4的信號(hào)來(lái)說(shuō),由于時(shí)間和幅度的余量更小,必須考慮隨機(jī)抖動(dòng)和隨機(jī)噪聲帶來(lái)的誤碼率的影響,而不是做簡(jiǎn)單的建立/保 持時(shí)間的測(cè)量。因此在DDR4的測(cè)試要求中,就需要像很多高速串行總線一樣對(duì)信號(hào)疊加 生成眼圖,并根據(jù)誤碼率要求進(jìn)行隨機(jī)成分的外推,然后與要求的小信號(hào)張開(kāi)窗口(類似 模板)進(jìn)行比較。圖5 . 8是DDR4規(guī)范中建議的眼圖張開(kāi)窗口的測(cè)量方法(參考資料: JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4)。DDR4 一致性測(cè)試平臺(tái)插件。
DDR總線一致性測(cè)試
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線一致性測(cè)量概述
高速數(shù)字系統(tǒng)使用了各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線,對(duì)這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線進(jìn)行規(guī)范一致性測(cè)量是確 保系統(tǒng)工作穩(wěn)定和可靠的關(guān)鍵點(diǎn)之一?!耙恢滦浴笔菍?duì)英文單詞“Compliance”的中文解釋, 美國(guó)把按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行的電氣參數(shù)測(cè)量叫作一致性測(cè)量。
測(cè)試這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線,完整和可靠的測(cè)試方案是非常重要的。完整的測(cè)試方案不僅保證測(cè)試準(zhǔn)確度,還可以大量節(jié)省測(cè)試時(shí)間,提高工作效率。
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線完整的測(cè)試方案一般包括幾部分:測(cè)試夾具;探頭和附件;自動(dòng)測(cè)試軟件;測(cè)試儀器。 DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試。數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試商家
DDR2/3/4 和 LPDDR2/3 的協(xié)議一致性測(cè)試和分析工具箱。湖南DDR一致性測(cè)試PCI-E測(cè)試
由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上,DDR5的數(shù)據(jù)速率更高,所以對(duì)邏輯分析儀的要求也要很高,需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps 以上的數(shù)據(jù)速率。基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過(guò) DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀,相應(yīng)的適配器要經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,確 保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問(wèn)題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。湖南DDR一致性測(cè)試PCI-E測(cè)試
深圳市力恩科技有限公司目前已成為一家集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售相結(jié)合的服務(wù)型企業(yè)。公司成立于2014-04-03,自成立以來(lái)一直秉承自我研發(fā)與技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的科技發(fā)展戰(zhàn)略。本公司主要從事實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀領(lǐng)域內(nèi)的實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系??藙诘录辛艘慌?jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)及管理專業(yè)人才,能為客戶提供良好的售前、售中及售后服務(wù),并能根據(jù)用戶需求,定制產(chǎn)品和配套整體解決方案。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀產(chǎn)品售前服務(wù),為客戶提供周到的售后服務(wù)。價(jià)格低廉優(yōu)惠,服務(wù)周到,歡迎您的來(lái)電!