DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘枺簿褪球?qū)動器能發(fā)出什么樣的信號，接收器能接受和判別什么樣的信號，用術(shù)語講，就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實際設(shè)計中，除了要精確設(shè)計供電電源模塊之外，還需要對整個電源系統(tǒng)進(jìn)行PI仿真，而這是高速系統(tǒng)設(shè)計中另一個需要考慮的問題，在這里我們先不討論它，暫時認(rèn)為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 DDR3內(nèi)存的一致性測試包括哪些內(nèi)容？信息化DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

"DDRx"是一個通用的術(shù)語，用于表示多種類型的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長的計算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn)：DDR2：DDR2是第二代DDR技術(shù)，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能，如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術(shù)，進(jìn)一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內(nèi)存。DDR4：DDR4是第四代DDR技術(shù)，具有更高的頻率和帶寬，較低的電壓和更高的密度。DDR4內(nèi)存模塊相對于之前的DDR3模塊來說，能夠提供更大的容量和更高的性能。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)都會有自己的規(guī)范和時序要求，以確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性。DDR技術(shù)在計算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器、嵌入式設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，能夠提供快速和高效的數(shù)據(jù)訪問和處理能力。江蘇DDR3測試系列是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測試？

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段，對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。

還可以給這個Bus設(shè)置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關(guān)系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對應(yīng)Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 什么是DDR3內(nèi)存的一致性問題？

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網(wǎng)絡(luò)，為這些信號網(wǎng)絡(luò)分組并定義單個或者多個網(wǎng)絡(luò)組。選擇網(wǎng)絡(luò)DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標(biāo)右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data,

設(shè)置完成后，岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網(wǎng)絡(luò)組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網(wǎng)絡(luò)組設(shè)置完成。

單擊設(shè)置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設(shè) 置：勾選阻抗和耦合系數(shù)檢查兩個選項；設(shè)置走線耦合百分比為1%，上升時間為lOOps；選 擇對網(wǎng)絡(luò)組做走線檢查(Check by NetGroup)；設(shè)置交互高亮顯示顏色為白色。 DDR3一致性測試是否可以檢測出硬件故障？HDMI測試DDR3測試保養(yǎng)

DDR3一致性測試期間是否會對數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響？信息化DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。

在提取出來的拓?fù)渲校O(shè)置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設(shè)計沒有接終端的電阻端接。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。 信息化DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)