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上海DDR3測試一致性測試

來源: 發布時間:2025-06-06

DDR信號的DC和AC特性要求之后,不知道有什么發現沒有?對于一般信號而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規范中,我們可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含義?有些讀者可能已經發現,是沒有辦法從這個指示當中獲得準確的電壓值的。這是因為,在DDR中,信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值,而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小,而申壓和時間的積分值,就是能量!因此,對于DDR信號而言,其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小,而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的,而且能量信號這個特性,會延續在所有的DDRx系統當中,我們會在DDR2和DDR3的信號體制中,更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統含義。當然,除了能量的累積不能超過AC規范外,比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限,否則,無需能量累積,足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3一致性測試是否包括高負載或長時間運行測試?上海DDR3測試一致性測試

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那么在下面的仿真分析過程中,我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標準來進行系統設計呢?答案是否定的,因為雖然這個時序是規范中定義的標準,但是在系統實現中,我們所使用的是Micron的產品,而后面系統是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度。所以雖然我們通過閱讀DDR規范文件了解到基本設計要求,但是具體實現的參數指標要以Micron芯片的數據手冊為準。換句話說,DDR的工業規范是芯片制造商Micron所依據的標準,而我們設計系統時,既然使用了Micron的產品,那么系統的性能指標分析就要以Micron的產品為準。所以,接下來的任務就是我們要在Micron的DDR芯片手冊和作為控制器的FPGA數據手冊中,找到類似的DDR規范的設計要求和具體的設計參數。自動化DDR3測試推薦貨源DDR3一致性測試是否適用于超頻內存模塊?

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可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。

(1)產品選擇:從產品菜單中選擇AllegroSigritySI產品。

(2)在產品選擇界面選項中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設置電路板層疊參數。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當前DDR_文件的同一目錄下,這樣,工具會自動査找到目錄下的器件模型。

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉換成.spd文件,并自動在PowerSI軟件界面中打開。 何時需要將DDR3內存模塊更換為新的?

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DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作電壓為1.2V;時鐘信號頻率為800?1600MHz; 數據信號速率為1600?3200Mbps;數據命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線;數據和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲,并支持動態ODT功能;也支持Write Leveling功能。

綜上所述,DDR1和DDR2的數據和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲;DDR3和DDR4的數據信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后,為了改進信號質量,在芯片內為所有數據和選通信號設計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination),并為優化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快,時序裕量更小,選通信號只釆用差分信號。 DDR3內存的一致性測試包括哪些內容?上海DDR3測試一致性測試

DDR3一致性測試是否適用于雙通道或四通道內存配置?上海DDR3測試一致性測試

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例,通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。

在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差,系統工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后,可以正常工作。 上海DDR3測試一致性測試

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