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浙江HDMI測試DDR3測試

來源: 發布時間:2025-06-16

為了改善地址信號多負載多層級樹形拓撲造成的信號完整性問題,DDR3/4的地址、控制、命令和時鐘信號釆用了Fly-by的拓撲結構種優化了負載樁線的菊花鏈拓撲。另外,在主板加內存條的系統設計中,DDR2的地址命令和控制信號一般需要在主板上加匹配電阻,而DDR3則將終端匹配電阻設計在內存條上,在主板上不需要額外電阻,這樣可以方便主板布線,也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓撲岀現的時鐘信號和選通信號“等長”問題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術進行時序補償,這在一定程度上降低了布線難度,特別是弱化了字節間的等長要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口,新一代DDR4釆用了POD電平接口,它能夠有效降低單位比特功耗。DDR4內存也不再使用SlewRateDerating技術,降低了傳統時序計算的復雜度。DDR3一致性測試是否會提前壽命內存模塊?浙江HDMI測試DDR3測試

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高速DDRx總線系統設計

首先簡要介紹DDRx的發展歷程,通過幾代DDR的性能及信號完整性相關參數的 對比,使我們對DDRx總線有了比較所有的認識。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平, 以及新一代DDR4使用的POD電平,這能幫助我們在今后的設計中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關問題。接下來回顧一下源同步時鐘系統,并推導源同步時鐘系統的時序計算方法。 結果使用Cadence的系統仿真工具SystemSI,通過實例進行DDRx的信號完整性仿真和時序 分析。 浙江HDMI測試DDR3測試是否可以使用多個軟件工具來執行DDR3內存的一致性測試?

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從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數據率成倍增加,位寬成倍減小,工作電壓持續降 低,而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏。總的來說,隨著數據傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低,DDRx內存子系統對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高,這也給系 統設計帶來了更多、更大的挑戰。

Bank> Rank及內存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內部的一種結構,它通過Bank信號BA(BankAddress)控制,可以把它看成是對地址信號的擴展,主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內存顆粒,其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內存顆粒內部有8個或16個Bank,通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖,可以從中看到芯片內部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…,Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。

重復步驟6至步驟9,設置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時鐘網絡中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻,其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統一進行設置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕,在界面中設置電阻模型后,單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來設置。 DDR3一致性測試是否適用于非服務器計算機?

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單擊Check Stackup,設置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(Permittivity (Er))及介質損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中,可以選擇檢查所有信號網絡、部分信號網絡或者網絡組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網絡。本例釆用的是檢查網絡組。檢查網絡組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結果。單擊Optional: Setup Net Groups,出現Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網絡、無源器件及 其模型。 DDR3內存的一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環境?浙江HDMI測試DDR3測試

什么是DDR3內存的一致性問題?浙江HDMI測試DDR3測試

DDR3拓撲結構規劃:Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號,均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升,當負 載較多如多于4個負載時,T拓撲信號質量較差,因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時,T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響,仿真驅動芯片為Altera芯片,IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒,IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖,可以看到2片負載 時,Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯,因此在2片負載時很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。 浙江HDMI測試DDR3測試

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