圖11b為根據本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面的一示意圖。圖12為根據本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面的一示意圖。圖13為根據本申請一實施例的晶圓的一示意圖。圖14為根據本申請另一實施例的晶圓的一示意圖。圖15為根據本申請一實施例的晶圓制作方法的前列程示意圖。圖16a~16j為根據本申請實施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。具體實施方式本發明將詳細描述一些實施例如下。然而，除了所揭露的實施例外，本發明的范圍并不受該些實施例的限定，是以其后的申請專利范圍為準。而為了提供更清楚的描述及使該項技藝的普通人員能理解本發明的發明內容，圖示內各部分并沒有依照其相對的尺寸進行繪圖，某些尺寸或其他相關尺度的比例可能被凸顯出來而顯得夸張，且不相關的細節部分并沒有完全繪出，以求圖示的簡潔。請參考圖1所示，其為現有半導體基板的結構100的一剖面示意圖。在該結構100當中，依序包含一金屬層110、一晶圓層120與一半導體組件層130。晶圓層120夾在該金屬層110與半導體組件層130之間。在圖1當中，該半導體組件層130可以包含垂直型設計的半導體元器件，例如包含至少一個金氧半導體場效晶體管器件(mosfet。國內哪家做半導體晶圓比較好？開封半導體晶圓服務至上

    氣泡內氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地，該溫度是明顯低于內爆溫度ti。根據公式(8)和(9)，如果已知(δt-δt)，可以計算出內爆時間τi。但通常情況下，(δt-δt)不太容易被計算出或直接得到。然而可以憑經驗直接得到τi的值。圖7e揭示了根據經驗得出內爆時間τi值的流程圖。在步驟7210中，基于表1，選擇五個不同的時間段τ1作為實驗設定(doe)的條件。在步驟7220中，選擇至少是τ1十倍的時間段τ2，在***次測試時**好是100倍的τ1。在步驟7230中，使用確定的功率水平p0運行以上五種條件來分別清洗具有圖案結構的晶圓。此處，p0是在如圖6a所示的連續不間斷模式(非脈沖模式)下確定會對晶圓的圖案結構造成損傷的功率水平。在步驟7240中，使用掃描電鏡(sem)或晶圓圖案損傷查看工具來檢查以上五種晶圓的損壞程度，如應用材料的semvision或日立is3000，然后內爆時間τi可以被確定在某一范圍。損傷特征的百分比可以通過由掃描電鏡檢查出的損傷特征總數除以圖案結構特征的總數。也可以通過其它方法計算得出損傷特征百分比。例如，**終晶圓的成品率可以用來表征損傷特征的百分比。上海半導體晶圓收費半導體晶圓的市場價格？

    該金屬層凹陷區域在該第二表面的投影區域位于該中心凹陷區域當中。在一實施例中，為了設計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區域與該中心凹陷區域的形狀相應，該金屬層凹陷區域的面積小于該中心凹陷區域的面積。總上所述，本申請提供了具有強度較大的基板結構的芯片，其具有晶圓層的邊框結構，也可以具有晶圓層的內框結構，以便減低芯片在進行熱處理、加工與焊貼等工序時，因為應力或熱應力而導致失效的機率。在此同時，還要降低上述基板結構的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片的使用壽命。以上所述，*是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明,任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍內,當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。

    其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度不同。在一實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度均不相同。在一實施例中，為了配合大多數矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區域是矩形。在一實施例中，為了配合大多數方形芯片的形狀，其中該中心凹陷區域是方形。在一實施例中，為了讓基板區域的電阻值降低，其中該晶圓層包含與該第二表面相對應的一***表面，在進行該蝕刻步驟之后，在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離。國外半導體晶圓產品品質怎么樣？

    因此需要更長的時間τ1。通過縮短時間τ2來提高氣泡的溫度。通常，在本發明的晶圓清洗工藝中所應用的的超聲波或兆聲波的頻率在。圖23揭示了根據本發明的一實施例的用于執行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的一示范性的晶圓清洗裝置。該晶圓清洗裝置包括用于承載晶圓23010的晶圓卡盤23014，在清洗過程中由旋轉驅動裝置23016驅動晶圓卡盤23014帶著晶圓23010一起旋轉。該晶圓清洗裝置還包括噴頭23064，用于輸送如清洗化學液或去離子水23060等清洗液至晶圓23010。與噴頭23064相結合的超聲波或兆聲波裝置23062用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液。由超聲波或兆聲波裝置23062產生的超聲波或兆聲波通過由噴頭23064噴出的清洗液23060傳遞至晶圓23010。圖24揭示了根據本發明的用于執行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的另一實施例的晶圓清洗裝置的剖視圖。該晶圓清洗裝置包括容納清洗液24070的清洗槽24074，用于裝載多片晶圓24010的晶圓盒24076，該多片晶圓24010浸沒在清洗液24070中。該晶圓清洗裝置進一步包括設置在清洗槽24074的壁上的超聲波或兆聲波裝置24072，用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液。至少有一個入口(圖中未顯示)用于使清洗槽24074充滿清洗液24070，因此。半導體晶圓定制價格？上海半導體晶圓價格優惠

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    該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請所欲保護的其他基板結構，而不只限于基板結構1000。步驟1510：提供晶圓。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400。在圖16a當中，可以看到晶圓層820的剖面。圖16a的晶圓層820的上表面，是圖10a實施例所說的第二表面822。步驟1520：根據所欲切割芯片的大小與圖樣，涂布屏蔽層。在圖16b當中，可以看到屏蔽層1610的圖樣，形成在晶圓層820的上表面。而每一個芯片預定區域的屏蔽層1610的圖樣，至少要在該芯片的周圍形成邊框區域。當所欲實施的基板結構如同圖8a~10b所示的基板結構800~1000，或是具有內框結構時，則屏蔽層1610的圖樣可以涵蓋這些內框結構的區域。在一實施例當中，上述的屏蔽層可以是光阻層(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之類的屏蔽層。步驟1530：對晶圓進行蝕刻。蝕刻的方式可以包含濕式蝕刻、干式蝕刻、電漿蝕刻、反應離子蝕刻(rie,reactiveionetching)等。如圖16c所示，蝕刻的深度可以約為該晶圓層820厚度的一半，但本申請并不限定蝕刻步驟的厚度。在步驟1530之后，形成芯片邊緣的邊框結構與/或芯片內部的方框結構。利用兩個步驟1520與1530，可以形成該晶圓上所有芯片的晶圓層的全部邊框結構與內框結構。開封半導體晶圓服務至上

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