導通電阻越發大，對于PMOS而言，S級的電壓越高，導通電阻愈加小。圖3導通電阻隨輸入信號電壓變化的曲線2）導通電阻的阻值與溫度有關：當VDD和VSS固定不變時，隨著溫度的升高，導通電阻的曲線總體向上平移。圖4導通電阻隨溫度變動的曲線3）導通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內，導通電阻的最大值與最小值的差叫作導通電阻的平坦度，這個值越大，解釋導通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過一個仿真實例來觀察一下導通電阻及平坦度對于系統的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結果，這是因為有導通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯系，這是因為Ron隨著Vin在轉變，會在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關斷開時，從源極注入或流出的電流稱做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關斷開時，從漏極注入或流出的電流稱做Id。八路模擬開關板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有想法的不要錯過哦！北京集成電路八路模擬開關板成本價
用于在電源電壓掉電時根據所述至少一個信號輸入端、所述信號輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，并將所述參考電壓提供至所述至少一個驅動電路的供電端和所述p型開關管的襯底，其中，所述掉電保護電路包括多個***晶體管，所述多個***晶體管的漏極分別與所述至少一個信號輸入端、所述信號輸出端以及所述電源端連接，所述多個***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地，所述掉電保護電路還包括電壓上拉模塊，用于在所述電源電壓正常時將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地，所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接，以構成二極管結構。推薦地，所述參考電壓等于所述至少一個信號輸入端、所述信號輸出端以及所述電源端中電位更高者與所述***晶體管的導通閾值的電壓差。推薦地，所述電壓上拉模塊包括：連接于所述多個***晶體管的源極和地之間的第二晶體管和電阻，所述第二晶體管的柵極用于接收所述電源電壓；以及第三晶體管，源極用于接收所述電源電壓，柵極與所述第二晶體管和所述電阻的中間節點連接，漏極和襯底與所述p型開關管的襯底以及所述驅動電路的供電端連接。推薦地，每個所述驅動電路都包括第四晶體管和第五晶體管。安徽單片機八路模擬開關板市場價格八路模擬開關板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電哦！
off)，如圖83)On-leakagecurrent:當開關閉合時，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動的曲線(3).影響在很多數據采集系統中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時，漏電流的影響就會凸顯出來。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對這個電阻展開直流參數掃描，觀察它從1MΩ轉變至10MΩ時，對輸出電壓的影響，結果可以見到，漏電流通過傳感器的內阻會給輸出電壓帶來一個直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項MUX時，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結果三.模擬開關和多路復用器動態參數介紹1.導通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關在斷開時的源極和漏極電容。當開關導通時，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當MUX在不同通道之間切換時，CD也會隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當S1閉合時，CD會被充電至V1。那么此時CD上的電荷QD1：當MUX從S1切換至S2時，CD會被充電至V2。那么此時CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供，所以這時候。
在測試測量相關應用中，模擬開關和多路復用器具有十分普遍的應用，例如運放的增益調節、ADC分時收集多路傳感器信號等等。雖然它的機能很簡單，但是依然有很多細節，需大家在采用的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關和多路復用器的基本參數。在開始介紹根基的參數之前，我們有必要介紹一下模擬開關和多路復用器的基本單元MOSFET開關的基本構造。一.MOSFET開關的架構MOSFET開關常見的架構有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構各有特征，詳實的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構進行介紹和仿真，但是關乎到的定義在三種架構中都是適用的。圖1MOSFET開關構造另外，需留意的是，此處的MOSFET構造，S和D是對稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關是雙向的，為了便于討論，我們統一把S極作為輸入。二.模擬開關和多路復用器直流參數介紹1.導通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號電壓而變動：當芯片的供電電壓固定時，對于NMOS而言，S級的電壓越高。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業提供 八路模擬開關板的公司，歡迎新老客戶來電！
所述第四晶體管的源極用于接收所述參考電壓，漏極與所述第五晶體管的漏極連接，所述第五晶體管的源極接地，所述第四晶體管和所述第五晶體管的柵極接收***控制信號，所述第四晶體管和所述第五晶體管的中間節點與對應的模擬開關的所述p型開關管的柵極連接。推薦地，每個所述模擬開關還包括連接于所述信號輸入端和所述信號輸出端之間的n型開關管，所述n型開關管和所述p型開關管并聯連接，所述n型開關管的柵極接收第二控制信號，所述n型開關管的襯底接地，其中，所述***控制信號和所述第二控制信號為同相信號。推薦地，所述多個***晶體管分別選自n型的金屬氧化物半導體場效應晶體管。推薦地，所述第二晶體管和所述第三晶體管分別選自p型的金屬氧化物半導體場效應晶體管。推薦地，所述第四晶體管選自p型的金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述第五晶體管選自n型的金屬氧化物半導體場效應晶體管。本發明實施例的模擬開關電路具有以下有益效果。模擬開關電路還包括掉電保護電路，掉電保護電路用于在電源電壓掉電時根據模擬開關電路的至少一個信號輸入端、信號輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開關的p型開關管的襯底。八路模擬開關板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯系我司哦！蘇州雙電源八路模擬開關板價格咨詢
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晶體管m1至m3以及晶體管m8的源極與開關管mp1和mp2的襯底以及晶體管m6和晶體管m9的源極連接。此外，掉電保護電路402還包括電壓上拉模塊421，電壓上拉模塊421用于在電源電壓正常工作時將參考電壓vmax上拉至電源電壓，使得模擬開關電路400可以正常工作。其中，本實施例的電壓上拉模塊421的結構和功能與圖3中的電壓上拉模塊321的結構和功能完全相同，在此不再贅述。綜上所述，本發明的模擬開關電路還包括掉電保護電路，掉電保護電路用于在電源電壓掉電時根據模擬開關電路的至少一個信號輸入端、信號輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開關的p型開關管的襯底，控制p型開關管的襯底電位，使得電源電壓掉電時p型開關管的寄生二極管不會導通。掉電保護電路還用于在電源電壓掉電時將該參考電壓提供至模擬開關電路的驅動電路的供電端，控制p型開關管的柵極電位，保證電源電壓掉電時p型開關管不會誤導通，有效解決了電源電壓掉電時的信號泄露問題，電路結構簡單實用，工作性能穩定可靠，適用范圍***。進一步的，本發明實施例的掉電保護電路還包括電壓上拉模塊，電壓上拉模塊可在電源電壓正常時將所述參考電壓上拉至電源電壓。北京集成電路八路模擬開關板成本價