隨著芯片尺寸加大，工藝線寬減小，從9Onm工藝開始，以往IC清潔劑在清洗過程中使用的超聲波清洗遇到一些問題，如造成半導體器件結構損傷，在65nm及以下工藝，其損傷程度可能會加劇。芯片中的深溝槽結構清洗時清洗液和漂洗去離子水很難進入結構內部，難以達到清洗目的。高堆桑式和深溝槽式結構清洗后的干燥過程也是很關鍵的技術問題。一般小于130nm工藝中，要求必須去除所有大于或等于100nm的顆粒，而由于表面邊界層的限制，現行清洗技術，如液體或高壓〈液體〉噴射清洗已無法洗去0onm的顆粒。IC封裝藥水起著把金屬與腐蝕介質完全隔開的作用。南通IC封裝表面處理

IC封裝藥液油性封閉劑：閃點（40度）相比有機封閉劑低，不可兌水使用，使用安全，環保，無鉻，無排放；使用前需干燥新產品；使用壽命長，可循環使用，無需更換；產品封閉處理后，表面為全干性，少量油感，不影響產品后期的導電與焊接性能，耐腐蝕性能提高5-40倍。具有光澤度高，良好的罩光作用。單組分產品，施工方便，附著力強，豐滿度好，保光、保色效果好，耐久，很好的耐候性，為耐黃變產品，可用水調節粘度，使用安全方便，經濟使用。經兩到四分鐘浸漬后，在金制品或金鍍層表面形成一層單分子膜厚度的防氧化保護層，依使用運輸和儲存條件的不同，在1-3年內可防止表面形成硫化物。無錫IC清潔除膠劑防變色劑一般分為兩種：一種為有機封閉劑，一種為油性封閉劑。

IC封裝藥液使用浸泡、滌刷或噴灑方式均可，浸泡方法較佳。除銹后應用大量水沖洗其殘留物，如果除銹后需防銹，則需應大量水沖洗后，用5%氫氧化鈉溶液進行中和鈍化、擦干后再噴灑IC除銹劑進行保護。IC除銹劑所釋放出的氣體易燃，所以IC除銹劑應遠離高溫、火花、火焰以及產生靜電的場所。應在通風良好的環境下使用。不用時保持容器密閉。避免兒童接觸。避免皮膚和眼睛接觸和吸入。在除銹之前，對于有油的工件，我們一般需要對進行除油處理，將在除油劑溶液中泡幾分鐘，直到除油處理完成后取出，用清水沖洗干凈，即可開始進行除銹。

STM-C190變色防止劑，STM-C190可直接取代磷酸三鈉中和處理制程。配比濃度(5%-10%)，消耗很低。在錫表面沉積一層有機薄膜，可改善鍍層因儲存或熱處理（烘烤、Reflow）造成的外觀變色狀況。STM-C160除銹活化劑，單劑操作，配比濃度20-40%。適用于各種Cu-alloy、Fe-Ni-alloy不含H2O2，藥液維護容易。微蝕均一性好，藥劑穩定性良好。STM-C150除銹活化劑單劑操作，配比濃度20-40%。適用于各種Cu-alloy、Fe-Ni-alloy、Ni。不含H202，藥液維護容易。微蝕均一性好，藥劑穩定性良好。IC封裝藥水使用簡單，常溫浸泡，封閉前無需干燥產品。

IC封裝藥液適當使用，可有效的減少生產中的不良品。使用時將脫膠劑倒入容器中，然后在脫膠劑中加一厘米厚水封面用于防火防揮發。將需去除膠層的零件完全浸泡于脫膠劑中，因膠層厚薄不同，約數分鐘或幾十分鐘不等，膠層和粘接灌封膠料會自動全部脫除。脫除后用水沖洗干凈即可。脫膠劑使用后可用過濾網將脫下的樹脂濾凈，可繼續使用多次。涂刷對于大件不便浸泡的物件，可用毛刷涂于需脫除的膠層部件，幾分鐘或幾十分鐘后膠膜鼓起脫落后將其洗干凈即可，對于厚膜的膠層可涂刷多次。IC封裝藥水適用于各種Cu-alloy、Fe-Ni-alloy、Ni。江蘇IC除膠清潔怎么樣

IC封裝藥水配比濃度(5%-10%)，消耗很低。南通IC封裝表面處理

IC封裝藥液清洗晶圓是以整個批次或單一晶圓，藉由化學品的浸泡或噴灑來去除臟污，并用超純水來洗滌雜質，主要是去除晶片表面所有的污染物，如微塵粒(PartICle)、有機物(OrganIC)、無機物、金屬離子等雜質。在超大型集成電路(ULSI)制程中，晶圓清洗技術及潔凈度，是影響晶圓制程良率、品質及可靠度重要的因素之一。據統計，在標準的IC制造工藝中，涉及晶圓清洗和表面預處理的工藝步驟就有100步之多，可以說晶圓清洗的好壞直接制約了IC加工的水平。隨著物聯網和人工智能領域的快速發展，集成電路芯片的應用達到井噴需求，芯片已成為我國的一大進口產品，集成電路的發展已上升到國家戰略層面。南通IC封裝表面處理