一般情況下，我們都會使用浸泡金屬的方式除銹，能達到除銹目的，同時，因為能完全覆蓋整塊工件，覆蓋面均勻，能達到較好的除銹效果。浸泡式可以讓IC除銹劑重復使用，可減少成本。使用IC除銹劑浸泡，待銹跡開始分解時，用毛刷于其上掃動，加快銹塊脫落。然后，用清水沖洗干凈，把殘余的IC除銹劑沖走。我們一般面對的是既有油又有銹的工件，可以使用除油除銹二合一的產品，這樣可以減少一道工序，縮短時間，節省成本。加工的工件要使用單獨的擺放放置，以便干燥。IC封裝藥水抗硫化性和耐候性能優越，5%硫化鉀測試可通過1-2小時。南京IC封裝藥水制造商

HCFC類IC清潔劑及其清洗工藝特點：這是一種含氫的氟氯烴，其蒸發潛熱小、揮發性好，在大氣中容易分解，破壞臭氧層的作用比較小，屬于一種過渡性產品，規定在2040年以前淘汰，所以，我們不推薦使用該類清洗劑。其存在的問題主要有兩個：一是過渡性。因為對臭氧層還有破壞作用，只允許使用到2040年；二是價格比較高，清洗能力較弱，增加了清洗成本。氯代烴類的清洗工藝特點：氯代烴類如二氯甲烷、三氯乙烷等也屬于非ODS清洗劑。其清洗工藝特點是：清洗油脂類污物的能力特別強；像ODS清洗劑一樣，也可以用蒸氣洗和氣相干燥。南京IC封裝藥水制造商IC封裝藥水極低的添加量，綜合使用成本低。

選擇清洗介質，即IC清潔劑是設備設計、清洗流程、工藝的前提，根據現代清洗技術中的關鍵要求，結合當前材料科技發展中出現的新觀念、新成果，把目光集中到超臨界、超凝態，常壓低溫等離子體等介于氣、液相的臨界狀態物質是順理成章的事。超臨界清洗劑：氣相清洗方法，使晶圓在氣相加工過程中可以一直保持在真空是內，避免污染，因而增加了成品率，并降低了成本，氣相清洗方法采用了非常重要的CO2，超臨界CO2技術是使CO2成為液態，用高壓壓縮成一種介于液體和氣體之間的流體物質，"超臨界"狀態。

表面顆粒度會引起圖形缺陷、外延前線、影響布線的完整性以及鍵合強度和表層質量。顆粒的去除與靜電排斥作用有關，所以硅片表面呈正電時，容易降低顆粒去除效率，甚至出現再沉淀。傳統的濕法化學清洗中所需要解決的主要問題有：化學片的純度、微粒的產生、金屬雜質的污染、干燥技術的困難、廢水廢氣的處理等。尋求解決上述問題的過程中，發現改用氣相清洗技術是一個有效途徑。隨著微電子新材料的使用和微器件特征尺寸的進一步減小，迫切需要一種更具選擇性更環保、更容易控制的清潔清洗技術，IC清潔劑在后道工序中銅引線、焊盤、鍵合等都需要進行有機污染物的清洗，用濕法清洗也很難達到目的。IC封裝藥水具有光澤度高，良好的罩光作用。

IC除銹劑中鹽酸可以清洗表面，提高酸洗效果，增快酸洗速度。該IC除銹劑在循環使用時，為進一步提高除銹速度、消除氣味，可加入檸檬酸、鹽酸配成的活化劑。檸檬酸可中和鐵離子。鹽酸可增加酸的能量。制備方法：先將有機酸、糊精、鉬酸鈉、磷酸和水放入混合罐內室溫下勻速攪拌30min。然后在混合溶液中加入甘油，室溫下勻速攪拌10min，攪拌轉速為25r/min。接著在混合溶液中加入添加劑SI一1，室溫下勻速攪拌30min，攪拌轉速為25r/min。得到環保IC除銹劑。IC封裝藥水對黑色金屬和其它有色金屬都有輔助的防腐蝕作用。蘇州IC去膠清洗劑型號

IC封裝藥水可有效防止鋁材黑變、灰變、白毛、失光、失色的不良現象的產生。南京IC封裝藥水制造商

隨著芯片尺寸加大，工藝線寬減小，從9Onm工藝開始，以往IC清潔劑在清洗過程中使用的超聲波清洗遇到一些問題，如造成半導體器件結構損傷，在65nm及以下工藝，其損傷程度可能會加劇。芯片中的深溝槽結構清洗時清洗液和漂洗去離子水很難進入結構內部，難以達到清洗目的。高堆桑式和深溝槽式結構清洗后的干燥過程也是很關鍵的技術問題。一般小于130nm工藝中，要求必須去除所有大于或等于100nm的顆粒，而由于表面邊界層的限制，現行清洗技術，如液體或高壓〈液體〉噴射清洗已無法洗去0onm的顆粒。南京IC封裝藥水制造商

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