磨料用碳化硅其SiC含量應在98%以上。耐火資料用碳化硅又分為:耐火材料黑碳化硅,其SiC含量與磨料用碳化硅徹底相同;二級耐火資料黑碳化硅,SiC含量大于90%;低級耐火材料黑碳化硅,SiC含量大于83%。脫氧劑用碳化硅,SiC含量一般要求大于90%。但炭素工業石墨化爐保溫猜中碳化硅含量大于45%的經過處理也可用做煉鋼脫氧劑。脫氧劑用碳化硅有粉末狀與成型塊兩種。粉末狀脫氧劑黑碳化硅一般有4~0.5mm和0.5~0.1mm兩種粒度。電工用碳化硅有兩種類別:電熱元件用綠碳化硅,其本質與磨料用綠碳化硅徹底一樣。避雷器用碳化硅,其電功用要求特別,不同于磨料用耐火資料用黑碳化硅。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。黃浦區碳化硅哪家專業
開關頻率高于20KHz時,全SiC模塊的輸出功率比IGBT模塊高100%以上。此外,輸出功率對開關頻率的依賴也小。反過來,全SiC功率模塊可用于非常高的開關頻率,因為與10kHz時的輸出功率相比,40kHz時的輸出功率只低28%。當開關頻率低于5kHz時,IGBT模塊顯示出較高的輸出功率。這是以內全SiC的模塊中所用的SiC芯片組是針對非常高的開關頻率而優化的。針對較低開關頻率的優化也是可能的。再次,通過考慮用于硅和SiC芯片的芯片面積,來處理這兩個模塊的功率密度是有用的。在圖4b中,輸出功率除以芯片面積得到功率密度。 長寧區碳化硅哪里有碳化硅可提高其耐磨性而延長使用壽命1~2倍。
碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽能,UPS,工業,汽車等應用:主要集中在光伏儲能中的逆變器,數據中心服務器的UPS電源,智能電網充電站等需要轉換效率較高的領域。但是隨著近些年電動和混合動力汽車(xEV)的發展,SiC也在這個新領域迅速崛起,輻射的產業包括能源(PV,EV充電,智能電網等)、汽車(OBC,逆變器)、基礎設施(服務器)等。與常規硅相比,WBG材料具有相對較寬的能帶隙(在價帶和導帶之間)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是當今使用較普遍的WBG材料。表1顯示了WBG和Si基材料的主要特性。
SiC 主要應用于微波領域,非常適合在雷達發射機中使用;使用它可明顯提高雷達發射機的輸出功率和功率密度,提高工作頻率和工作頻帶寬度,提高雷達發射機的環境溫度適應性,提高抗輻射能力。和普通硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件所具有的優勢非常明顯。雖然碳化硅功率器件的市場化推廣還處于起步階段,但其應用前景廣大,發展速度迅猛,在“低碳”經濟理念的推動下,必將加快其發展步伐。航天電子產品對其重量、體積、功耗和抗輻射程度都有嚴格的要求,碳化硅功率器件的出現及進一步推廣,必將對今后航天電子產品的開發產生深遠影響。碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種,都屬α-SiC。
碳化硅二極管,較初的二極管非常簡單,但隨著技術的發展,逐漸出現了升級的JFET、MOSFET和雙極晶體管。碳化硅肖特基二極管優勢明顯,它具有高開關性能、高效率和高功率密度等特性,而且系統成本較低。這些二極管具有零反向恢復時間、低正向壓降、電流穩定性、高抗浪涌電壓能力和正溫度系數。新型二極管適合各種應用中的功率變換器,包括光伏太陽能逆變器、電動車(EV)充電器、電源和汽車應用。與傳統硅材料相比,新型二極管具有更低的漏電流和更高的摻雜濃度。硅材料具有一個特性,就是隨著溫度的升高,其直接表征會發生很大變化。而碳化硅是一種非常堅固且可靠的材料,不過碳化硅仍局限于小尺寸應用。 μ-碳化硅較為穩定,且碰撞時有較為悅耳的聲音,但直至現在,這兩種型態尚未有商業上之應用。長寧區碳化硅哪里有
碳化硅的工業制法是用石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。黃浦區碳化硅哪家專業
隨著電動汽車以及其他系統的增長,碳化硅(SiC)功率半導體市場正在經歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地。基于氮化鎵(GaN)的功率半導體也正在出現。GaN和SiC都是寬帶隙技術。硅的帶隙為1.1 eV。 相比之下,SiC的帶隙為3.3 eV,GaN的帶隙為3.4 eV。SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產流程中,專門的SiC襯底被開發出來,然后在晶圓廠中進行加工,得到基于SiC的功率半導體。許多基于SiC的功率半導體和競爭技術都是專門用晶體管,它們可以在高電壓下開關器件的電流。它們用于電力電子領域,可以實現系統中電力的轉換和控制。 黃浦區碳化硅哪家專業
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