在平板顯示行業;主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產環節中,光刻膠涂覆于晶體薄膜表面,經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩(掩膜版)上的圖形轉移到薄膜上,形成與掩膜版對應的幾何圖形。在PCB行業;主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上,進行曝光顯影;濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上,待其干燥后進行曝光顯影。激光直寫光刻EUV系統將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中,形成光刻圖形。同樣的刻蝕條件,針對不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會有所不一樣。廣州...
在微細加工中,刻蝕和清洗處理過程包括許多內容。對于適當取向的半導體薄片的鋸痕首先要機械拋光,以除去全部的機械損傷,之后進行化學刻蝕和拋光,以獲得無損傷的光學平面。這種工藝往往能去除以微米級計算的材料表層。對薄片進行化學清洗和洗滌,可以除去因操作和貯存而產生的污染,然后用熱處理的方法生長Si0(對于硅基集成電路),或者沉積氮化硅(對于砷化鎵電路),以形成初始保護層。刻蝕過程和圖案的形成相配合。廣東省科學院半導體研究所。半導體材料刻蝕加工廠等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學刻蝕劑和能量源。干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業所采用的技術,GaN材料刻蝕工藝。河北氮化鎵材料刻蝕平臺刻蝕工藝:把未被...
在GaN發光二極管器件制作過程中,刻蝕是一項比較重要的工藝。ICP干法刻蝕常用在n型電極制作中,因為在藍寶石襯底上生長LED,n型電極和P型電極位于同一側,需要刻蝕露出n型層。ICP是近幾年來比較常用的一種離子體刻蝕技術,它在GaN的刻蝕中應用比較普遍。ICP刻蝕具有等離子體密度和等離子體的轟擊能量單*可控,低壓強獲得高密度等離子體,在保持高刻蝕速率的同事能夠產生高的選擇比和低損傷的刻蝕表面等優勢。ICP(感應耦合等離子)刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程。刻蝕GaN主要使用到氯氣和三氯化硼,刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂,此為物理濺射,產生活性的Ga和N原子,...