DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段內(nèi),**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟,國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),有源區(qū)為應變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導區(qū)為DFB光柵,采用一些特殊的設(shè)計,如:波紋坡度可調(diào)分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu),提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中,金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度,生長效率高,適合大批量制作,反應離...
PGS適用人群播報編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復自然流產(chǎn)史的孕婦(自然流產(chǎn)≥3次)反復胚胎種植失敗的孕婦(失敗≥3次)生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項播報編輯選擇了PGS,常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因為全世界各種遺傳性疾病有4000余種,而PGS只能檢查胚胎23對染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常,無法覆蓋所有疾病。因為PGS取材有限,只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細胞,雖然不會影響胚胎的正常發(fā)育,但取材細胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細胞團遺傳構(gòu)成并非完全相同,故對于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明,也沒有預防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎,...
工作原理播報編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱...
基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風險染色體異常是導致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測,醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵,并選擇正常的受精卵進行移植,減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病,如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常,可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施?;驒z測提高移植成功率在進行試管嬰兒移植前,醫(yī)生通常會選擇比較好質(zhì)的受精卵進行移植。通過基因檢測,醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等,并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵,提高著床率和...
基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風險染色體異常是導致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測,醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵,并選擇正常的受精卵進行移植,減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病,如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常,可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施?;驒z測提高移植成功率在進行試管嬰兒移植前,醫(yī)生通常會選擇比較好質(zhì)的受精卵進行移植。通過基因檢測,醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等,并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵,提高著床率和...
檢測方法播報編輯(1)阻值測量法:拆下激光二極管,用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為20~40kΩ之間,反向電阻值為∞(無窮大)。若測得正向電阻值已超過50kΩ,則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ,則說明該二極管已嚴重老化,不能再使用了。(2)電流測量法:用萬用表測量激光二極管驅(qū)動電路中負載電阻兩端的電壓降,再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值,當電流超過100mA時,若調(diào)節(jié)激光功率電位器,而電流無明顯的變化,則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控,則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞。極體活組織檢查也離不開激光破膜儀的精確協(xié)...
有哪些疾病與染色體有關(guān)?染色體/基因異常導致的常見疾病:1.染色體數(shù)目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體,每對都是二倍體,也就是兩對。如果有1,3或更多的染色體,這是染色體數(shù)目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數(shù)字引起的遺傳病有上百種,如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結(jié)構(gòu):定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現(xiàn)易位、倒位、重疊等問題。,這是結(jié)構(gòu)異常,平衡易位**常見。如果發(fā)現(xiàn)患者是易位攜帶者,流產(chǎn)或IVF周期失敗的風險更大。遺傳病...
在移植前對胚胎的遺傳病和缺陷進行篩查和診斷,將會提高植入率,降低晚期流產(chǎn)的風險和嬰兒的健康。PGS和PGD有什么不同?PGS和PGD都是在移植前檢測胚胎的健康狀況,但**重要的區(qū)別是PGS是基因篩查,PGD是基因診斷。PGS是一種基因篩選測試,用于篩選胚胎的所有染色體。它可以檢查染色體是否缺失,形態(tài)和結(jié)構(gòu)是否正確。在受精卵形成胚胎(孵化的第3天)或囊胚(孵化的第5天)后檢查PGS。染色體有問題的胚胎很難自然成熟,懷孕第五、六個月中斷流產(chǎn)的情況并不少見。即使胚胎能夠存活到自然分娩,未來出生的嬰兒也很可能有健康問題。因此,對于高齡、反復流產(chǎn)的孕婦,PGS是一項非常有價值的技術(shù)。PGD是基因診斷的一...
其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動電路,輸出光信號。其體積小,可靠性高,使用方便,在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊,10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段,向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性,加熱器改變高分子材料光柵溫度,引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化,使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調(diào)的集成模塊,有16個波長通道,波長間隔200GHz,插損8--9dB,串擾-25dB。用一個高速調(diào)制器對每個波長進行時間調(diào)制的多波長LD正處于研制階段。這是一種...
二、激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應用1.微孔加工在薄膜材料中,微孔加工是一種常見的應用場景。利用激光打孔技術(shù),可以在薄膜材料上形成微米級的孔洞,滿足各種不同的應用需求。例如,在太陽能電池板的生產(chǎn)中,利用激光打孔技術(shù)可以在硅片表面形成微孔,提高太陽能的吸收效率。在濾膜的制備中,通過激光打孔技術(shù)可以制備出具有微孔結(jié)構(gòu)的濾膜,實現(xiàn)對氣體的過濾和分離。2.納米級加工隨著科技的發(fā)展,納米級加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術(shù)作為一種先進的加工手段,在納米級加工中具有廣泛的應用前景。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡,可以在薄膜材料上形成納米級的孔洞,實現(xiàn)納米級結(jié)構(gòu)的制備。這種加工方式可以顯著提高...
半導體激光二極管的基本結(jié)構(gòu):垂直于PN結(jié)面的一對平行平面構(gòu)成法布里——珀羅諧振腔,它們可以是半導體晶體的解理面,也可以是經(jīng)過拋光的平面。其余兩側(cè)面則相對粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的PN結(jié)加有正向電壓時,會削弱PN結(jié)勢壘,迫使電子從N區(qū)經(jīng)PN結(jié)注入P區(qū),空穴從P區(qū)經(jīng)過PN結(jié)注入N區(qū),這些注入PN結(jié)附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復合,從而發(fā)射出波長為λ的光子,其公式如下:λ = hc/Eg ⑴式中:h—普朗克常數(shù); c—光速; Eg—半導體的禁帶寬度。上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導...