靶中毒現象：正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現象。靶中毒的物理解釋：一般情況下，金屬化合物的二次電子發射系數比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發生靶中毒時，濺射電壓會明顯降低。金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數要比化合物的濺射系數高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。真空鍍膜中靶材中毒會出現哪些想象，如何解決？安徽鍺靶材

什么是真空鍍鋁膜，應用在哪些領域？ 真空鍍鋁薄膜是在薄膜基材的表面附著而形成復合薄膜的一種工藝，我國鍍鋁膜產能已達到40萬噸。主要用于風味食品、日用品、農產品、藥品、化妝品的包裝。 真空鍍鋁薄膜是在高真空條件下，以電阻、高頻或電子束等加熱方式使鋁熔化蒸發，在薄膜基材的表面附著而形成復合薄膜的一種工藝。在塑料薄膜或紙張表面鍍上一層極薄的金屬鋁即成為鍍鋁薄膜或鍍鋁紙。 用于包裝上的真空鍍鋁薄膜具有鋁材用量少、耐折疊性高、阻隔性能高、抗靜電等特點，使鍍鋁薄膜成為一種性能優良、經濟美觀的新型復合薄膜，在許多方面已取代了鋁箔復合材料。主要用于風味食品、日用品、農產品、藥品、化妝品等的包裝。安徽鍺靶材通常是放熱反應，反應生成熱必須有傳導出去的途徑，否則，該化學反應無法繼續進行。

氣體壓強對靶濺射電壓的影響   在磁控濺射或反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應氣體壓強對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。   1.工作氣體壓強對靶濺射電壓的影響   一般的規律是：在真空設備環境條件確定和靶電源的控制面板設置參數不變時，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會逐步上升，濺射工作電壓亦會同步下降。   2. 反應氣體壓強對靶濺射電壓的影響   在反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設備環境條件確定和靶電源的控制面板設置參數不變時，隨著反應氣體(如氮氣、氧氣)壓強(或流量)的逐步增加(一般應注意不要超過工藝設定值的上限值)，隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋，陰-陽極間放電的等效阻抗也會同步增高，磁控靶的濺射電流會逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽極消失”為止)，濺射工作電壓亦會同步上升。

所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512，所述桿狀部511的一端連接所述頂板210，另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直，所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結構有利于操作人員牢固的抓握所述把手510，防止從所述把手510上滑脫。在其他實施例中，所述固定板200內側面彎折處呈弧狀，所述防護層400彎折處呈弧狀，位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外，與前一實施例不同的是，所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330厚度相等。壓靶蓋旋的過緊，沒有和靶材之間留下適當的距離，調整距離即可。

真空離子鍍在航空航天方面的應用： 在現代飛機、航空發動機或航空儀表中，特別是在航宇器，如宇宙飛船、人造衛星中，有不少旋轉零件都要求有良好的潤滑，但往往由于封存過久、環境溫度過高或太空揮發等原因，普通油脂潤滑劑已不再適用，從而提出以固體潤滑劑代替。試驗表明，用離子鍍來制作固體潤滑膜，比現有其他方法為優。不但附著力強，鍍層又薄又勻，不影響零件的尺寸精度和公差配合。經濟性也好，少許潤滑材料即可鍍很大面積。潤滑膜的質量也較好，摩擦系數小，使用壽命也長。例如有一個人造衛星上的精密軸承，未鍍前工作壽命為幾分鐘，根本無法使用;但是經離子鍍固體潤滑膜后，則可在飛行中可靠地工作數千小時之久。離子鍍不能夠鍍許多種常溫固體潤滑材料，而且還能鍍復各種高溫固體潤滑材料，有的甚至可以在攝氏八百度以上的高溫下發揮良好的潤滑作用。可鍍的固體潤滑材料有銀、金、銅、鉛、鉛錫合金、氟化物等。

熔融鑄造法是制作濺射靶材的基本方法之一。山東釔鋇銅氧靶材

此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。安徽鍺靶材

純度：純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”、8”發展到12”,而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。雜質含量：靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。安徽鍺靶材

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外知名研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列高品質濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供高品質的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發展理念。