所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512，所述桿狀部511的一端連接所述頂板210，另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直，所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結構有利于操作人員牢固的抓握所述把手510，防止從所述把手510上滑脫。在其他實施例中，所述固定板200內側面彎折處呈弧狀，所述防護層400彎折處呈弧狀，位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外，與前一實施例不同的是，所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330厚度相等。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。四川Li3PO4靶材

真空離子鍍耐高溫性能：   航空零件，特別是許多發動機零件往往需要在高溫下工作。例如渦輪葉片及導向葉片工作溫度通常在攝氏一千度左右，有的甚至達攝氏一千四百度。神話小說《西游記》里孫悟空被太上老君放在爐內燒煉時，恐怕也達不到這么高的溫度吧?，F代航空發動機零件在這樣高的溫度下工作，依賴零件基體材料本身的性能是很難滿足要求的。那么，發動機零件怎樣才能不怕高溫燒蝕呢?目前除在零件結構上采取措施(如采用空心冷卻葉片、發散冷卻葉片等)以外，大都需用耐熱鍍層進行保護。離子鍍對于沉積耐熱膜有相當多的優點，能鍍各種高熔點材料，如氧化鋁、氧化硅、氧化鈹、鉿合金等。合金鍍層的成份也比較容易控制，適合于鍍成分較復雜的耐熱合金，如鐵鉻鋁釔，鈷鉻鋁釔或鎳鉻鋁釔合金等。   目前渦輪葉片是試圖采用離子鍍耐熱鍍層的主要對象。據悉，有一種葉片用此法鍍復一種鎳鉻鋁釔合金后，其高溫工作壽命比鍍鋁提高了三倍。適于采用離子鍍耐熱鍍層的發動機零件還有渦輪盤、氣缸活塞零件等。有些零件經過這種先進工藝處理后，可在高溫下工作上千小時。河南Be靶材真空鍍膜中靶材中毒會出現哪些想象，如何解決？

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術探討 熱電材料是一種能夠實現熱能和電能直接相互轉換的綠色環保型功能材料。近年來研究發現，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉換效率，因此具有十分重要的科學研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導體材料之一，但由于其較低的熱電優值，所以沒有得到普遍的應用。   但近幾年研究發現，在263 K~767K 溫度區間穩定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內外認為是具有前景的中溫熱電材料之一。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規律。   結果表明，選取適當的濺射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結構的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優良的熱電性能。

非晶硅薄膜的制備方法   非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長多晶硅薄膜的方法有：化學氣相沉積包括低壓化學氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強化學氣相沉積(APCVD)、等離子體化學氣相沉積(PCVD)以及液相生長、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉化為多晶硅薄膜。它的特點是非晶固體發生晶化的溫度低于其熔融后結晶的溫度。常規高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導晶化、微波誘導晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射方法在不同的條件下制備了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高溫退火和激光誘導晶化的方式，利用X- 射線衍射及拉曼光譜，對制備的非晶硅薄膜晶化過程進行了系統地研究。

濺射靶材廣泛應用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導體、磁記錄、平面顯示、太陽能電池等眾多領域。

磁控濺射制備非晶硅薄膜   本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。

需要后續熱加工和熱處理工藝降低其孔隙率。四川Li3PO4靶材

靶材太薄、靶材太貴的情況等。 但下列情況綁定有弊端。四川Li3PO4靶材

PECVD 制備氫化非晶硅薄膜   本實驗采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120 Pa， 射頻功率100 W， 氣體流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉積時間30min， 制備得到a- Si：H 薄膜樣品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會變差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范圍內，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;   (4) 隨著濺射時間的增加, 膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;   (5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。

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江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l展理念。