釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；導電膠：采用的導電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍：建議綁定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、靶材太貴的情況等。但下列情況綁定有弊端：1.熔點低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時候可能會變軟變形；2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。三.背靶的選擇對材質的要求：一般選用無氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右；導電性好：常用無氧銅，無氧銅的導熱性比紫銅好；強度足夠：太薄，易變形，不易真空密封；結構要求：空心或者實心結構；厚度適中：3mm左右，太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。湖北NiV靶材

磁控濺射制備非晶硅薄膜   本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。

無錫Ti靶材廠家換靶材后需要重新調功率匹配器的，只有功率匹配調好了才能正常起輝。

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有：靶面磁場、靶材材質、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。一、靶面磁場對靶濺射電壓的影響1.磁控靶的陰極工作電壓，隨著靶面磁場的增加而降低，也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此，靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。2.鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響，由于大部分磁力線從鐵磁性材料內部通過，使靶材表面磁場減少，需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強，否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄，才能起輝和正常運行(永磁結構的Ni靶的典型值<0.16cm，磁控靶非特殊設計最大值一般不宜超過3mm，Fe，co靶的最大值不超過2mm;電磁結構的靶可以濺射厚一些的靶材，甚至可達6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時，磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時，其靶材表面的磁場強度大為提高，接近或大于0.1T左右。

高純金屬的純度分析原則： 高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計算的雜質元素主要是金屬雜質，不包括C ,O ,N ,H等間隙元素，但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標，一般單獨提出。依應用背景的不同，要求進行分析的雜質元素種類少則十幾種, 多則70多種。簡單的說高純金屬是幾個N(九) 并不能真正的表達其純度, 只有提供雜質元素和間隙元素的種類及其含量才能明確表達高純金屬的純度水平。 高純金屬的純度檢測應以實際應用需要作為主要標準，例如目前工業電解鈷的純度一般接99.99 % ,而且檢測的雜質元素種類較少。我國電解鈷的有色金屬行業標準(YS/ T25522000)要求分析C ,S ,Mn , Fe, Ni , Cu , As , Pb , Zn , Si , Cd , Mg , P , Al , Sn ,Sb , Bi等17 個雜質元素, Co9998電解鈷的雜質總量不超過0.02，但這仍然不能滿足功能薄膜材料材料的要求[2]。

靶材磁控濺射的原理是什么？

中頻雙靶反應磁控濺射與直流反應磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優點：   (1)消除了靶面打弧放電現象，中頻反應磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個數量級;   (2)可以得到比直流反應磁控濺射高出數倍的濺射沉積速率;   (3)中頻雙靶反應磁控濺射的整個濺射沉積過程，可以始終穩定在所設定的工作點上，為大規模工業化穩定生產提供了條件。   選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個磁控靶進行反應磁控濺射，調節相應的鍍膜工藝參數，可以消除磁控靶面打弧放電現象和實現長時間穩定的薄膜沉積，可以達到上述“中頻-雙靶反應磁控濺射”的同樣效果。

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材。揚州鐵鈷靶材定制

濺射出靶材的原子、原子團、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團沉積到基材上形成薄膜。湖北NiV靶材

什么是真空鍍鋁膜，應用在哪些領域？ 真空鍍鋁薄膜是在薄膜基材的表面附著而形成復合薄膜的一種工藝，我國鍍鋁膜產能已達到40萬噸。主要用于風味食品、日用品、農產品、藥品、化妝品的包裝。 真空鍍鋁薄膜是在高真空條件下，以電阻、高頻或電子束等加熱方式使鋁熔化蒸發，在薄膜基材的表面附著而形成復合薄膜的一種工藝。在塑料薄膜或紙張表面鍍上一層極薄的金屬鋁即成為鍍鋁薄膜或鍍鋁紙。 用于包裝上的真空鍍鋁薄膜具有鋁材用量少、耐折疊性高、阻隔性能高、抗靜電等特點，使鍍鋁薄膜成為一種性能優良、經濟美觀的新型復合薄膜，在許多方面已取代了鋁箔復合材料。主要用于風味食品、日用品、農產品、藥品、化妝品等的包裝。湖北NiV靶材

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發展理念。