高純金屬的純度分析原則：高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計算的雜質元素主要是金屬雜質，不包括C,O,N,H等間隙元素，但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標，一般單獨提出。依應用背景的不同，要求進行分析的雜質元素種類少則十幾種,多則70多種。簡單的說高純金屬是幾個N(九)并不能真正的表達其純度,只有提供雜質元素和間隙元素的種類及其含量才能明確表達高純金屬的純度水平。高純金屬的純度檢測應以實際應用需要作為主要標準，例如目前工業電解鈷的純度一般接99.99%,而且檢測的雜質元素種類較少。我國電解鈷的有色金屬行業標準(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17個雜質元素,Co9998電解鈷的雜質總量不超過0.02，但這仍然不能滿足功能薄膜材料材料的要求[2]。請參考設備商操作手冊中關于如何正確安裝靶材的相關信息。揚州高純合金靶廠家

磁控濺射鍍膜中出現膜層不良的表現有哪些，如何改善？ 1.脫膜主要表現：點狀/片狀膜層脫落 原因分析：雜質附著，清洗殘留，真空室臟，臟污、油斑、灰點、口水點， 膜層局部附著不良等。 改善：加強清洗，加強烘烤，環境管控（清潔干燥），對于多層膜系，底層須與基材匹配（吸附力、硬度、熱膨脹）。 2.裂紋/暴膜主要表現： 網狀裂痕/龜裂/起泡脫膜，出爐外觀OK，放置一段時間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析：鍍膜過程基材加熱不充分，成膜后及出爐后降溫過快，膜層應力累積， 膜層與基材不匹配，多層膜之間參數不匹配。 改善： 基材充分預熱加熱；增加離子輔助，減小應力；鍍膜緩慢降溫；底層須與基材匹配；多層膜之間參數不突變。 3，色差主要表現：同爐產品顏色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布氣；磁場；遮擋。南通氧化鈮靶品牌靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。

真空技術中的清潔處理(一)概述真空技術清潔處理一般指的是真空裝置的結構材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空，增加連接強度和氣密性，提高產品的壽命和可靠性。(二)污染物的幾種類型①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真空油脂等;②水滴:操作時的手汗，吹玻璃時的唾液等;③表面氧化物:易氧化材料長期基露或放置在潮濕大氣中所形成的表面氧化物;④酸、堿、鹽類物質:清洗后的殘余物質、手汗、自來水中的礦物質等;⑤空氣中的塵埃及其它有機物。(三)污染的形成及其影響真空裝置由許多不同的零件組成，它們都是經過各種機械加工完成的，如車、銑、刨、磨、銼、焊接等。這樣，零件表面不可避免地會沾上許多加工油脂、汗痕、拋光膏、焊劑、金屬屑、油垢等污染物。這些污染物在真空中易揮發，影響真空設備的極限真空。此外，污染物在大氣壓下吸附了大量的氣體，在真空環境中，這些氣體也要被釋放出來。構成了限制真空設備極限真空的因素。為此，零件組裝前必須掉污染物。

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術探討 熱電材料是一種能夠實現熱能和電能直接相互轉換的綠色環保型功能材料。近年來研究發現，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉換效率，因此具有十分重要的科學研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導體材料之一，但由于其較低的熱電優值，所以沒有得到普遍的應用。   但近幾年研究發現，在263 K~767K 溫度區間穩定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內外認為是具有前景的中溫熱電材料之一。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規律。   結果表明，選取適當的濺射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結構的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優良的熱電性能。而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

氣體壓強對靶濺射電壓的影響   在磁控濺射或反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應氣體壓強對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。   1.工作氣體壓強對靶濺射電壓的影響   一般的規律是：在真空設備環境條件確定和靶電源的控制面板設置參數不變時，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會逐步上升，濺射工作電壓亦會同步下降。   2. 反應氣體壓強對靶濺射電壓的影響   在反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設備環境條件確定和靶電源的控制面板設置參數不變時，隨著反應氣體(如氮氣、氧氣)壓強(或流量)的逐步增加(一般應注意不要超過工藝設定值的上限值)，隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋，陰-陽極間放電的等效阻抗也會同步增高，磁控靶的濺射電流會逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽極消失”為止)，濺射工作電壓亦會同步上升。由金屬靶面通過反應濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？無錫鈦酸鉍靶廠家

射靶材應用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導體、磁記錄、平面顯示、太陽能電池等眾多領域。揚州高純合金靶廠家

中頻雙靶反應磁控濺射與直流反應磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優點：   (1)消除了靶面打弧放電現象，中頻反應磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個數量級;   (2)可以得到比直流反應磁控濺射高出數倍的濺射沉積速率;   (3)中頻雙靶反應磁控濺射的整個濺射沉積過程，可以始終穩定在所設定的工作點上，為大規模工業化穩定生產提供了條件。   選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個磁控靶進行反應磁控濺射，調節相應的鍍膜工藝參數，可以消除磁控靶面打弧放電現象和實現長時間穩定的薄膜沉積，可以達到上述“中頻-雙靶反應磁控濺射”的同樣效果。揚州高純合金靶廠家

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發展理念。