從傳統熱發射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術進化,不只是觀測精度與靈敏度的提升,更實現了對先進制程研發需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶,串聯起芯片設計、制造與可靠性評估全流程。在設計環節助力優化熱布局,制造階段輔助排查熱相關缺陷,可靠性評估時提供精細熱數據。這種全鏈條支撐,為半導體產業突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術保障,助力研發更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片,推動其從實驗室研發穩步邁向量產應用。
熱紅外顯微鏡通過納秒級瞬態熱捕捉,揭示高速芯片開關過程的瞬態熱失效機理。檢測用熱紅外顯微鏡用戶體驗
當電子設備中的某個元件發生故障或異常時,常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器,能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯激光器等先進技術,或其他高性能紅外傳感方案,具備寬溫區、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測與分析,熱紅外顯微鏡能夠將電子設備表面的溫度分布以高對比度的熱圖像形式呈現,直觀展現熱點區域的位置、尺寸及溫度變化趨勢,從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點,實現高效可靠的故障排查。熱紅外顯微鏡運動檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常,避免虛焊導致的瞬態過熱。
熱紅外顯微鏡和紅外顯微鏡并非同一事物,二者是包含與被包含的關系。紅外顯微鏡是個廣義概念,涵蓋利用0.75-1000微米紅外光進行分析的設備,依波長分近、中、遠紅外等,通過樣品對紅外光的吸收、反射等特性分析化學成分,比如識別材料中的官能團,應用于材料科學、生物學等領域。而熱紅外顯微鏡是其分支,專注7-14微米的熱紅外波段,無需外部光源,直接探測樣品自身的熱輻射,依據黑體輻射定律生成溫度分布圖像,主要用于研究溫度分布與熱特性,像定位電子芯片的熱點、分析復合材料熱傳導均勻性等。前者側重成分分析,后者聚焦熱特性研究。
致晟光電熱紅外顯微鏡的軟件算法優化,信號處理邏輯也是其競爭力之一。
其搭載的自適應降噪算法,能通過多幀信號累積與特征學習,精細識別背景噪聲的頻譜特征 —— 無論是環境溫度波動產生的低頻干擾,還是電子元件的隨機噪聲,都能被針對性濾除,使信噪比提升 2-3 個數量級。
針對微弱熱信號提取,算法內置動態閾值調節機制,結合熱信號的時域相關性與空間分布特征,可從噪聲中剝離 0.05mK 級的微小溫度變化,即使納米尺度結構的隱性感熱信號也能被清晰捕捉。同時,軟件支持熱分布三維建模、溫度梯度曲線分析、多區域熱演化對比等多元功能,通過直觀的可視化界面呈現數據 —— 從熱點定位的微米級標記到熱傳導路徑的動態模擬,為用戶提供從信號提取到深度分析的全流程支持,大幅提升微觀熱分析效率。 熱紅外顯微鏡的動態功耗分析功能,同步記錄 100MHz 高頻信號下的熱響應曲線。
EMMI 技術基于半導體器件在工作時因電子 - 空穴復合產生的光子輻射現象,通過高靈敏度光學探測器捕捉微弱光子信號,能夠以皮安級電流精度定位漏電、短路等微觀缺陷。這種技術尤其適用于檢測芯片內部的柵極氧化層缺陷、金屬導線短路等肉眼難以察覺的故障,為工程師提供精確的失效位置與成因分析。
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)則聚焦于器件發熱與功能異常的關聯,利用紅外熱成像技術實時呈現半導體器件的熱分布。在高集成度芯片中,局部過熱可能引發性能下降甚至損壞,熱紅外顯微鏡通過捕捉0.1℃級別的溫度差異,可快速鎖定因功率損耗、散熱不良或設計缺陷導致的熱失效隱患。兩者結合,實現了從電學故障到熱學異常的全維度失效診斷,極大提升了分析效率與準確性。 熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測。自銷熱紅外顯微鏡廠家
熱紅外顯微鏡利用其高分辨率,觀察半導體制造過程中的熱工藝缺陷 。檢測用熱紅外顯微鏡用戶體驗
致晟光電熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列中的 RTTLIT P20 實時瞬態鎖相熱分析系統,采用鎖相熱成像(Lock-inThermography)技術,通過調制電信號提升特征分辨率與靈敏度,并結合軟件算法優化信噪比,實現顯微成像下超高靈敏度的熱信號測量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測器,測溫靈敏度達0.1mK,顯微分辨率低至2μm,具備良好的檢測靈敏度與測試效能。該系統重點應用于對測溫精度和顯微分辨率要求嚴苛的場景,包括半導體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導體、LED及microLED等的失效分析,是電子集成電路與半導體器件失效分析及缺陷定位領域的關鍵工具。檢測用熱紅外顯微鏡用戶體驗
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