OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統（即PEM系統）中，其中EMMI技術在探測光子發射類缺陷，如漏電流方面表現出色，而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。配備的自動對焦系統，能快速鎖定檢測區域，減少人工操作時間，提高檢測效率。檢測用微光顯微鏡成像

在半導體 MEMS 器件檢測領域，微光顯微鏡憑借其超靈敏的感知能力，展現出不可替代的技術價值。MEMS 器件的結構往往以微米級尺度存在，這些微小部件在運行過程中會產生極其微弱的紅外輻射變化 —— 這種信號強度常低于常規檢測設備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡及時捕捉。通過先進的光電轉換與信號放大技術，微光設備將捕捉到的紅外輻射信號轉化為直觀的動態圖像。通過圖像分析工具，可量化提取結構的位移幅度、振動頻率等關鍵參數。這種檢測方式突破了傳統接觸式測量對微結構的干擾問題。國產微光顯微鏡平臺微光顯微鏡的便攜款桌面級設計，方便在生產線現場快速檢測，及時發現產品問題，減少不合格品流出。

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功能側重的差異，讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發光缺陷，對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細微電性能問題，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。

例如，在 7nm 以下先進制程芯片的檢測中，其高靈敏度可捕捉到單個晶體管異常產生的微弱信號，為工藝優化提供關鍵依據。

熱紅外顯微鏡則更關注 “熱失控” 風險，在功率半導體、IGBT 等大功率器件的檢測中表現突出。這類芯片工作時功耗較高，散熱性能直接影響可靠性，短路、散熱通道堵塞等問題會導致局部溫度驟升，熱紅外顯微鏡能快速生成熱分布圖譜，直觀呈現熱點位置與溫度梯度，幫助工程師判斷散熱設計缺陷或電路短路點。在汽車電子等對安全性要求極高的領域，這種對熱異常的敏銳捕捉，是預防芯片失效引發安全事故的重要保障。

在故障分析領域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復合過程會伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當P-N結施加偏壓時，N區的電子會向P區擴散，同時P區的空穴也會向N區擴散，隨后這些擴散的載流子會與對應區域的載流子（即擴散至P區的電子與P區的空穴、擴散至N區的空穴與N區的電子）發生EHP復合，并在此過程中釋放光子。與原子力顯微鏡聯用時，微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發光信息，便于關聯材料的結構與電氣缺陷。

相較于傳統微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導致熱載子激發的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統EMMI在應用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現出優勢：

1.偵測到缺陷所需時間為傳統EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷；

3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對硅基板具有較高的穿透率。 但歐姆接觸和部分金屬互聯短路時，產生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進行檢測。。制冷微光顯微鏡

當金屬層遮擋導致 OBIRCH 等無法偵測故障時，微光顯微鏡可進行補充檢測。檢測用微光顯微鏡成像

適用場景的分野，進一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補價值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產檢測中，微光顯微鏡通過對細微電缺陷的篩查，助力提升產品良率，降低批量報廢風險；而在功率器件、車規芯片的可靠性測試中，熱紅外顯微鏡對熱分布的監測，成為驗證產品穩定性的關鍵環節。實際檢測中，二者常組合使用：微光顯微鏡定位電缺陷后，熱紅外顯微鏡可進一步分析該缺陷是否引發異常發熱，形成 “光 - 熱” 聯動的全維度分析，為企業提供更佳的故障診斷依據。檢測用微光顯微鏡成像

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