致晟光電將熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設備,在維護成本控制上展現出優勢。對于分開的兩臺設備,企業需配備專門人員分別學習兩套系統的維護知識,培訓內容涵蓋不同的機械結構、光學原理、軟件操作,還包括各自的故障診斷邏輯與校準流程,往往需要數月的系統培訓才能確保人員熟練操作,期間產生的培訓費用、時間成本居高不下。而使用一套集成設備只需一套維護體系,維護人員只需掌握一套系統的維護邏輯與操作規范,無需在兩套差異化的設備間切換學習,培訓周期可縮短近一半,大幅降低了培訓方面的人力與資金投入。
針對接面漏電,我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置,利于篩選不良品,為改進半導體制造工藝提供數據。自銷微光顯微鏡方案設計
致晟光電在推動產學研一體化進程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院,專注開發基于微弱光電信號分析的產品及應用。雙方聯合攻克技術難題,不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統(RTTLIT),使該系統溫度靈敏度可達0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數優于進口設備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關系,搭建起學業-就業貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發設計、生產實踐、項目管理全鏈條的育人平臺,輸送了大量實踐能力強的專業人才,為企業持續創新注入活力。通過建立科研成果產業孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉化為實際生產力,實現了高校科研資源與企業市場轉化能力的優勢互補。國產微光顯微鏡儀器通過與光譜儀聯用,可分析光子的光譜信息,為判斷缺陷類型提供更多依據,增強分析的全面性。
漏電是芯片另一種常見的失效模式,其誘因復雜多樣,既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減,也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發。
與短路類似,芯片內部發生漏電時,漏電路徑中會伴隨微弱的光發射現象——這種光信號的強度往往遠低于短路產生的光輻射,對檢測設備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測能力,能夠捕捉到漏電產生的極微弱光信號。通過對芯片進行全域掃描,可將漏電區域以可視化圖像的形式清晰呈現,使工程師能直觀識別漏電位置與分布特征。
對半導體研發工程師而言,排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結,往往需要芯片原廠介入,通過剖片分析深入探究內核。
然而,受限于專業分析設備的缺乏,再加上芯片內部設計涉及機密,工程師難以深入了解其底層構造,這就導致他們在面對原廠出具的分析報告時,常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節,也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 升級后的冷卻系統,能減少設備自身熱噪聲,讓對微弱光子的探測更靈敏,提升檢測下限。
失效背景調查就像是為芯片失效分析開啟 “導航系統”,能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況,為后續工作奠定基礎。收集芯片型號是首要任務,不同型號的芯片在結構、功能和特性上存在差異,這是開展分析的基礎信息。同時,了解芯片的應用場景也不可或缺,是用于消費電子、工業控制還是航空航天等領域,不同的應用場景對芯片的性能要求不同,失效原因也可能大相徑庭。
失效模式的收集同樣關鍵,短路、漏電、功能異常等不同的失效模式,指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內部線路故障,而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關。失效比例的統計也有重要意義,如果同一批次芯片失效比例較高,可能暗示著設計缺陷或制程問題;如果只是個別芯片失效,那么應用不當的可能性相對較大。 微光顯微鏡在 LED 故障分析中作用關鍵,可檢測漏電倒裝、短路倒裝及漏電垂直 LED 芯片的異常點。非制冷微光顯微鏡性價比
靜電放電破壞半導體器件時,微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點,助分析原因程度。自銷微光顯微鏡方案設計
在半導體 MEMS 器件檢測領域,微光顯微鏡憑借其超靈敏的感知能力,展現出不可替代的技術價值。MEMS 器件的結構往往以微米級尺度存在,這些微小部件在運行過程中會產生極其微弱的紅外輻射變化 —— 這種信號強度常低于常規檢測設備的感知閾值,卻能被微光顯微鏡及時捕捉。通過先進的光電轉換與信號放大技術,微光設備將捕捉到的紅外輻射信號轉化為直觀的動態圖像。通過圖像分析工具,可量化提取結構的位移幅度、振動頻率等關鍵參數。這種檢測方式突破了傳統接觸式測量對微結構的干擾問題。自銷微光顯微鏡方案設計
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