在產品全壽命周期中，失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析，它能定位失效部位，厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題，都能被系統拆解。在此基礎上，進一步提出針對性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復發生。

作為貫穿產品質量控制全流程的關鍵環節，失效分析的價值體現在對全鏈條潛在風險的追溯與排查：在設計（含選型）階段，可通過模擬失效驗證方案合理性；制造環節，能鎖定工藝偏差導致的批量隱患；使用過程中，可解析環境因素對性能衰減的影響；質量管理層面，則為標準優化提供數據支撐。 熱紅外顯微鏡結合多模態檢測（THERMAL/EMMI/OBIRCH），實現熱 - 電信號協同分析定位復合缺陷。制冷熱紅外顯微鏡廠家電話

致晟光電在推動產學研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注開發基于微弱光電信號分析的產品及應用。雙方聯合攻克技術難題，不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統（RTTLIT），使該系統溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW，部分功能及參數優于進口設備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關系，搭建起學業-就業貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發設計、生產實踐、項目管理全鏈條的育人平臺，輸送了大量實踐能力強的專業人才，為企業持續創新注入活力。通過建立科研成果產業孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉化為實際生產力，實現了高校科研資源與企業市場轉化能力的優勢互補。

檢測用熱紅外顯微鏡批量定制熱紅外顯微鏡在 SiC/GaN 功率器件檢測中，量化評估襯底界面熱阻分布。

從傳統熱發射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術進化，不只是觀測精度與靈敏度的提升，更實現了對先進制程研發需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶，串聯起芯片設計、制造與可靠性評估全流程。在設計環節助力優化熱布局，制造階段輔助排查熱相關缺陷，可靠性評估時提供精細熱數據。這種全鏈條支撐，為半導體產業突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術保障，助力研發更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片，推動其從實驗室研發穩步邁向量產應用。

熱紅外顯微鏡和紅外顯微鏡并非同一事物，二者是包含與被包含的關系。紅外顯微鏡是個廣義概念，涵蓋利用0.75-1000微米紅外光進行分析的設備，依波長分近、中、遠紅外等，通過樣品對紅外光的吸收、反射等特性分析化學成分，比如識別材料中的官能團，應用于材料科學、生物學等領域。而熱紅外顯微鏡是其分支，專注7-14微米的熱紅外波段，無需外部光源，直接探測樣品自身的熱輻射，依據黑體輻射定律生成溫度分布圖像，主要用于研究溫度分布與熱特性，像定位電子芯片的熱點、分析復合材料熱傳導均勻性等。前者側重成分分析，后者聚焦熱特性研究。熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩定性與熱性能 。

EMMI 技術基于半導體器件在工作時因電子 - 空穴復合產生的光子輻射現象，通過高靈敏度光學探測器捕捉微弱光子信號，能夠以皮安級電流精度定位漏電、短路等微觀缺陷。這種技術尤其適用于檢測芯片內部的柵極氧化層缺陷、金屬導線短路等肉眼難以察覺的故障，為工程師提供精確的失效位置與成因分析。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）則聚焦于器件發熱與功能異常的關聯，利用紅外熱成像技術實時呈現半導體器件的熱分布。在高集成度芯片中，局部過熱可能引發性能下降甚至損壞，熱紅外顯微鏡通過捕捉0.1℃級別的溫度差異，可快速鎖定因功率損耗、散熱不良或設計缺陷導致的熱失效隱患。兩者結合，實現了從電學故障到熱學異常的全維度失效診斷，極大提升了分析效率與準確性。 熱紅外顯微鏡的高精度熱檢測，為電子設備可靠性提供保障 。非制冷熱紅外顯微鏡成像儀

熱紅外顯微鏡通過熱成像技術，快速定位 PCB 板上的短路熱點 。制冷熱紅外顯微鏡廠家電話

紅外顯微鏡（非熱紅外）與熱紅外顯微鏡應用領域各有側重。前者側重成分分析，在材料科學中用于檢測復合材料界面成分、涂層均勻性及表面污染物；生物醫藥領域可識別生物組織中蛋白質等分子分布，輔助診斷；地質學和考古學中能鑒定礦物組成與文物顏料成分；食品農業領域則用于檢測添加劑、農藥殘留及農作物成分。熱紅外顯微鏡聚焦溫度與熱特性研究，電子半導體領域可定位芯片熱點、評估散熱性能；材料研究中測試熱分布均勻性與熱擴散系數；生物醫藥領域監測細胞代謝熱分布及組織熱傳導；工業質檢能檢測機械零件隱形缺陷，評估電池充放電溫度變化。二者應用有交叉，但分別為成分分析與熱特性研究。制冷熱紅外顯微鏡廠家電話