按結(jié)構(gòu)分類PCB產(chǎn)品可以分為單層板、雙層板、撓性板、HDI板和封裝基板等。從PCB的細(xì)分產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，多層板已占據(jù)全球PCB產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的主要部分，2016年全球多層板PCB產(chǎn)值為211億美元，占全球PCB產(chǎn)值39%；2016年全球柔性板產(chǎn)值為109億美元，占全球PCB產(chǎn)值20%，占比呈逐年遞增趨勢；2016年全球單層板產(chǎn)值為80億美元，占全球PCB產(chǎn)值15%；2016年全球HDI產(chǎn)值為77億美元，占全球PCB產(chǎn)值14%；2016年全球封裝基板產(chǎn)值為66億美元，占全球PCB產(chǎn)值12%。PCB制板的三大類型：單面板、雙面板、多層板。鄂州定制PCB制板布線

我們在使用AltiumDesigner進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時，會遇到相同功能模塊的復(fù)用問題，那么如何利用AltiumDesigner自帶的功能提高工作效率呢？我們可以采取AltiumDesigner提供的功能模塊復(fù)用的方法加以解決。一、首先至少要有兩個完全相同的模塊，并且原理圖和PCB封裝需要保持一致；在PCB中先布局好其中一個模塊，選中模塊中所有器件執(zhí)行如下命令：Design→Rooms→CreateRectangleRoomfromselectedcomponents，依此類推給所有相同模塊按照這種方法添加一個ROOM，一、PCBList界面設(shè)置單擊右下角的PCB選項(xiàng)，選擇進(jìn)入PCBlist界面：選中ROOM1里面的所有器件且在PCBList中設(shè)置四、ChannelOffset復(fù)制對位號Name進(jìn)行排列，然后在復(fù)制所有器件的通道號ChannelOffset。將ROOM1的ChannelOffset復(fù)制到room2的ChannelOffset五、進(jìn)行模塊復(fù)用對ROOM進(jìn)行拷貝，執(zhí)行菜單“Design→Rooms→CopyRoomFormats”命令，快捷鍵：DMC。如圖5.1所示，點(diǎn)擊ROOM1后在點(diǎn)擊ROOM2，在彈出的“確認(rèn)通道格式復(fù)制窗口”進(jìn)行設(shè)置，然后進(jìn)行確認(rèn)，這樣就實(shí)現(xiàn)了對ROOM2模塊復(fù)用，同理，ROOM3也是同樣的操作。咸寧設(shè)計(jì)PCB制板哪家好PCB制板的制作流程和步驟詳解。

常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括點(diǎn)對點(diǎn)、菊花鏈、遠(yuǎn)端簇型、星型等。1、點(diǎn)對點(diǎn)拓?fù)鋚oint-to-pointscheduling：該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單，整個網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性容易控制，時序關(guān)系也容易控制，常見于高速雙向傳輸信號線。2、菊花鏈結(jié)構(gòu)daisy-chainscheduling：菊花鏈結(jié)構(gòu)也比較簡單，阻抗也比較容易控制。3、fly-byscheduling：該結(jié)構(gòu)是特殊的菊花鏈結(jié)構(gòu)，stub線為0的菊花鏈。不同于DDR2的T型分支拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，DDR3采用了fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以更高的速度提供更好的信號完整性。fly-by信號是命令、地址，控制和時鐘信號。4、星形結(jié)構(gòu)starscheduling：該結(jié)構(gòu)布線比較復(fù)雜，阻抗不容易控制，但是由于星形堆成，所以時序比較容易控制。5、遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)far-endclusterscheduling：遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)可以算是星形結(jié)構(gòu)的變種，要求是D到中心點(diǎn)的長度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)長于各個R到中心連接點(diǎn)的長度。各個R到中心連接點(diǎn)的距離要盡量等長，匹配電阻放置在D附近，常用語DDR的地址、數(shù)據(jù)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)過程中，對于關(guān)鍵信號，應(yīng)通過信號完整性分析來決定采用哪一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是指網(wǎng)絡(luò)中各個站點(diǎn)相互連接的形式。所謂“拓?fù)洹本褪前褜?shí)體抽象成與其大小、形狀無關(guān)的“點(diǎn)”，而把連接實(shí)體的線路抽象成“線”，進(jìn)而以圖的形式來表示這些點(diǎn)與線之間關(guān)系的方法，其目的在于研究這些點(diǎn)、線之間的相連關(guān)系。PCB制板設(shè)計(jì)中的拓?fù)洌傅氖切酒g的連接關(guān)系。常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括點(diǎn)對點(diǎn)、菊花鏈、遠(yuǎn)端簇型、星型等，1、點(diǎn)對點(diǎn)拓?fù)湓撏負(fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單，整個網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性容易控制，時序關(guān)系也容易控制，常見于高速雙向傳輸信號線。2、菊花鏈結(jié)構(gòu)如下圖所示，菊花鏈結(jié)構(gòu)也比較簡單，阻抗也比較容易控制。3、該結(jié)構(gòu)是特殊的菊花鏈結(jié)構(gòu)，stub線為0的菊花鏈。不同于DDR2的T型分支拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，DDR3采用了fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以更高的速度提供更好的信號完整性。fly-by信號是命令、地址，控制和時鐘信號。4、星形結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)如下圖所示，該結(jié)構(gòu)布線比較復(fù)雜，阻抗不容易控制，但是由于星形堆成，所以時序比較容易控制。5、遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)far-遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)可以算是星形結(jié)構(gòu)的變種，要求是D到中心點(diǎn)的長度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)長于各個R到中心連接點(diǎn)的長度。各個R到中心連接點(diǎn)的距離要盡量等長，匹配電阻放置在D附近，常用語DDR的地址、數(shù)據(jù)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。PCB制板邊緣應(yīng)留有5mm的工藝邊。

PCB制板EMI設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)中很常見的問題是信號線與地或電源交叉，產(chǎn)生EMI。為了避免這個EMI問題，我們來介紹一下PCB設(shè)計(jì)中EMI設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)步驟。1.集成電路的電源處理確保每個IC的電源引腳都有一個0.1μf的去耦電容，對于BGA芯片，BGA的四個角分別有8個0.1μF和0.01μF的電容。特別注意在接線電源中添加濾波電容器，如VTT。這不僅對穩(wěn)定性有影響，對EMI也有很大影響。一般去耦電容還是需要遵循芯片廠商的要求。2.時鐘線的處理1.建議先走時鐘線。2.對于頻率大于或等于66M的時鐘線，每個過孔的數(shù)量不超過2個，平均不超過1.5個。3.對于頻率小于66M的時鐘線，每個過孔的數(shù)量不超過3個，平均不超過2.5個。4.對于長度超過12英寸的時鐘線，如果頻率大于20M，過孔的數(shù)量不得超過2個。5.如果時鐘線有過孔，在過孔附近的第二層(接地層)和第三層(電源層)之間增加一個旁路電容，如圖2.5-1所示，保證時鐘線改變后參考層(相鄰層)中高頻電流的回路的連續(xù)性。旁路電容所在的電源層必須是過孔經(jīng)過的電源層，并且盡可能靠近過孔，旁路電容與過孔的距離不超過300MIL。6.原則上所有時鐘線都不能跨島(跨分區(qū))。雙層、多層的PCB制板在設(shè)計(jì)上有哪些不同？湖北PCB制板走線

PCB制板制作過程中容易發(fā)生的問題。鄂州定制PCB制板布線

SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數(shù)據(jù)信號，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號掛接其它緩沖器的情況，SDRAM作為接收器即寫進(jìn)程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠(yuǎn)端，對于地址及控制信號的也應(yīng)該如此處理。2、對于掛了多片SDRAM芯片和其它器件的情況，從信號完整性角度來考慮，SDRAM芯片集中緊湊布局。3、源端匹配電阻應(yīng)靠近輸出管腳放置，退耦電容靠近器件電源管腳放置。4、SDRAM的數(shù)據(jù)、地址線推薦采用菊花鏈布線線和遠(yuǎn)端分支方式布線，Stub線頭短。5、對于SDRAM總線，一般要對SDRAM的時鐘、數(shù)據(jù)、地址及控制信號在源端要串聯(lián)上33歐姆或47歐姆的電阻；數(shù)據(jù)線串阻的位置可以通過SI仿真確定。6、對于時鐘信號采用∏型（RCR）濾波，走在內(nèi)層，保證3W間距。7、對于時鐘頻率在50MHz以下時一般在時序上沒有問題，走線短。8、對于時鐘頻率在100MHz以上數(shù)據(jù)線需要保證3W間距。9、對于電源的處理，SDRAM接口I/O供電電壓多是3.3V，首先要保證SDRAM器件每個電源管腳有一個退耦電容，每個SDRAM芯片有一兩個大的儲能電容，退耦電容要靠近電源管腳放置，儲能大電容要靠近SDRAM器件放置，注意電容扇出方式。10、SDRAM的設(shè)計(jì)案列鄂州定制PCB制板布線