也稱為開關型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內，實現高效率和小型化。近幾年，開關整流器的功率容量不斷擴大，單機容量己從48V/、48V/20A擴大到48V/200A、48V/400A。因通信設備中所用集成電路的種類繁多，其電源電壓也各不相同，在通信供電系統中采用高功率密度的高頻DC-DC隔離電源模塊，從中間母線電壓(一般為48V直流)變換成所需的各種直流電壓，這樣可大大減小損耗、方便維護，且安裝、增加非常方便。一般都可直接裝在標準控制板上，對二次電源的要求是高功率密度。因通信容量的不斷增加，通信電源容量也將不斷增加。變頻器電源主要用于交流電機的變頻調速，其在電氣傳動系統中占據的地位日趨重要，已獲得巨大的節能效果。變頻器電源主電路均采用交流-直流-交流方案。工頻電源通過整流器變成固定的直流電壓，然后由大功率晶體管或IGBT組成的PWM高頻變換器，將直流電壓逆變成電壓、頻率可變的交流輸出，電源輸出波形近似于正弦波，用于驅動交流異步電動機實現無級調速。國際上400kVA以下的變頻器電源系列產品已經問世。八十年代初期，日本東芝公司先將交流變頻調速技術應用于空調器中。由于社會發展的需要，電子裝置變的越來越復雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性。富陽區工程電子元器件服務至上

    1906年美國人德福雷斯特發明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時，結型晶體管論就已經提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后，結型晶體管材真正得以出現。1950年，具有使用價值的早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發展，各種性能優良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規模、超大規模集成電路時代。逐步形成作為高技術產業的半導體工業。由于社會發展的需要，電子裝置變的越來越復雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質量輕、小型化、成本低等特點。自20世紀50年代提出集成電路的設想后。富陽區工程電子元器件服務至上集成電路是一種采用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件。

    模擬）電子技術和Digital（數字）電子技術。電子技術是對電子信號進行處理的技術，處理的方式主要有：信號的發生、放大、濾波、轉換。電子技術是十九世紀末到二十世紀初開始發展起來的新興技術，二十世紀發展迅速，應用，成為近代科學技術發展的一個重要標志。在十八世紀末和十九世紀初的這個時期，由于生產發展的需要，在電磁現象方面的研究工作發展得很快，1785年法國科學家庫倫由實驗得出電荷的庫侖定律。1895年，荷蘭物理學家亨得里克·安頓·洛倫茲假定了電子存在。1897年，英國物理學家湯姆遜（）用試驗找出了電子。1904年，英國人發明了簡單的二極管(diode或valve)，用于檢測微弱的無線電信號。1906年，在二極管中安上了第三個電極（柵極，grid）發明了具有放大作用的三極管，這是電子學早期歷史中重要的里程碑。1948年美國貝爾實驗室的幾位研究人員發明晶體管。1958年集成電路的個樣品見諸于世。集成電路的出現和應用，標志著電子技術發展到了一個新的階段。電子產品電子技術研究的是電子器件及其電子器件構成的電路的應用。半導體器件是構成各種分立、集成電子電路基本的元器件。隨著電子技術的飛速發展，各種新型半導體器件層出不窮。

    變頻調速的關鍵技術是將直流電逆變為0~100Hz的交流電。在七十年代到八十年代，隨著變頻調速裝置的普及，大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管(GTR)和門極可關斷晶閘管(GT0)成為當時電力電子器件的主角。類似的應用還包括高壓直流輸出，靜止式無功功率動態補償等。這時的電力電子技術已經能夠實現整流和逆變，但工作頻率較低，局限在中低頻范圍內。變頻器時代進入八十年代，大規模和超大規模集成電路技術的迅猛發展，為現代電力電子技術的發展奠定了基礎。將集成電路技術的精細加工技術和高壓大電流技術有機結合，出現了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的問世，導致了中小功率電源向高頻化發展，而后絕緣門極雙極晶體管(IGBT)的出現，又為大中型功率電源向高頻發展帶來機遇。MOSFET和IGBT的相繼問世，是傳統的電力電子向現代電力電子轉化的標志。據統計，到1995年底，功率M0SFET和GTR在功率半導體器件市場上已達到平分秋色的地步，而用IGBT代替GTR在電力電子領域巳成定論。新型器件的發展不僅為交流電機變頻調速提供了較高的頻率，使其性能更加完善可靠，而且使現代電子技術不斷向高頻化發展，為用電設備的高效節材節能，實現小型輕量化。模擬集成電路的主要構成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關電容電路等。

    而且容許的結溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內滿足了電力電子技術的要求。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路在一起。其制造工藝既概括了代功率電子器件向大電流、高電壓發展過程中所積累起來的各種經驗，又綜合了大規模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態時寄生參數的影響，這對提高電路工作頻率和外界干擾十分重要。電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構成，可以在同類產品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括：電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關、微特電機、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝材料、電子膠（帶）制品、電子化學材料及部品等。電子元器件在質量方面國際上有歐盟的CE認證，美國的UL認證。電感器在電子制作中雖然使用得不是很多，但它們在電路中同樣重要。富陽區工程電子元器件服務至上

模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試。富陽區工程電子元器件服務至上

    模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試，模擬而得到，與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產生。電子元器件數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量，可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成(VLSI)電路和特大規模集成(ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內，或元器件數不超過100個；中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間，或元器件數在100-1000個之間；大規模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數在10-10個之間；超大規模集成電路包含的門電路在1萬個以上，或元器件數在10-10之間；特大規模集成電路的元器件數在10-10之間。它包括：基本邏輯門、觸發器、寄存器、譯碼器、驅動器、計數器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。電子技術是根據電子學的原理，運用電子元器件設計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學，包括信息電子技術和電力電子技術兩大分支。信息電子技術包括Analog。富陽區工程電子元器件服務至上

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