晶振負載電容的計算公式是：CL=C1*C2/(C1+C2)+Cic+CpCic為集成電路內(nèi)部電容，Cp為PCB板的寄生電容，寄生電容過大，將會導致負載電容偏大，從而引起晶振頻偏，這個時候減小匹配電容C1和C2可能會有所改善，但這也是治標不治本的措施。晶振相鄰層挖空是如何控制寄生電容Cp的呢？電容的物理公式是：C=εS/4πKd，即晶振焊盤與鄰近地平面之間的面積S和距離d均會影響寄生電容大小，因為面積S是不變的，所以影響寄生電容的因素只剩下距離d，通過挖空晶振同一層的地和相鄰層的地，可以增大晶振焊盤與地平面之間的距離，來達到減小寄生電容的效果。在工作電路中，如果晶振損壞會有哪些特征現(xiàn)象呢？陜西常見貼片晶振廠家批發(fā)價

串聯(lián)型晶體振蕩器。該振蕩器采用了兩級放大電路，石英晶體X1除了構(gòu)成反饋電路外，還具有選頻功能，其選頻頻率f0=fs，電位器RP1用來調(diào)節(jié)反饋信號的幅度。（1）判斷反饋電路的類型，因為信號是反饋到VT1發(fā)射極，現(xiàn)假設(shè)VT1發(fā)射極電壓瞬時極性為“+”，集電極電壓極性為“+”（發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系，當發(fā)射極電壓上升時集電極電壓也上升），VT2的基極電壓極性為“+”，發(fā)射極電壓極性也為“+”，該極性的電壓通過X1反饋到VT1的發(fā)射極，反饋電壓極性與假設(shè)的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。（2）電路的振蕩過程[1]接通電源后，三極管VT1、VT2導通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復進行，VT2輸出的f0信號幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號。安徽貼片晶振服務至上常見的貼片晶振（SMD）封裝尺寸:2016、2016、2520、3225、5032。

溫度控制式補償晶體振蕩器

  a.直接補償型。直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1×10-6時，直接補償方式并不適合。  

b.間接補償型。間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路，并將該電壓施加到一只與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字式間接溫度補償是在模擬式間接溫度補償電路中的溫度-電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）轉(zhuǎn)換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。 

精工愛普生將“SG-210S*H系列”石英晶體振蕩器產(chǎn)品化，該系列產(chǎn)品以高穩(wěn)定的基波(*1)激發(fā)80MHz至170MHz的高頻帶振蕩，還實現(xiàn)了2.5mm×2.0mm的小規(guī)格尺寸。  近年來隨著數(shù)字設(shè)備的高速化和網(wǎng)絡(luò)大容量化的不斷進展，這些設(shè)備中使用的工作時鐘也朝著高頻化的方向迅速發(fā)展。作為時鐘源使用的高頻石英晶體振蕩器的外形尺寸大多為7.0mm×5.0mm，規(guī)格較大；振蕩器中內(nèi)建的石英振蕩單元主要采用三次諧波(*2)振蕩，其穩(wěn)定性與基波振蕩相比較差。因此，市場對小型、高穩(wěn)定的高頻石英晶體振蕩器的需求不斷高漲。 為了回應市場需求，愛普生充分發(fā)揮自身的優(yōu)勢，應用將石英材料與“MEM”相組合的“QMEMS(*3)”技術(shù)，本次將“SG-210S*H系列”產(chǎn)品化。該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了2.5mm×2.0mm的小型尺寸，并在其內(nèi)建的石英晶體振蕩單元中采用了穩(wěn)定性高的基波振蕩。  QMEMS（印制蝕刻晶體單元）技術(shù)在低頻帶已取得了實績。這次，我們應用本項技術(shù)我們應用本項技術(shù)只把激勵電極附近薄型化（反向臺構(gòu)造(*4)），從而既實現(xiàn)了2.5mm×2.0mm的小尺寸，又以高頻帶的基波振蕩而獲得了高穩(wěn)定性。作為高速時鐘源而被重視的相位抖動(*5)為0.3ps Typ，耗電量與本公司原有產(chǎn)品相比減少了約70%。 常見的插件晶振（DIP）封裝尺寸：3*8，2*6，1*5，1*4，49S。

如果要在電子產(chǎn)品中找到類似人體心臟的細節(jié)，我***個想到的就是晶振。電子產(chǎn)品的CPU能夠有條不紊的運行，除了電源供給能量之外，晶振功不可沒，它的作用就是能夠給CPU提供時鐘頻率，特點就是穩(wěn)定性極高。晶振的英語是Crystal，她的意思是晶體、水晶，晶振的種類繁多，這是它的結(jié)構(gòu)示意圖，由外殼和他的兩個引腳組成，在引腳附近的是絕緣體，作用是防止引腳和金屬外殼短路。中間是覆銀層，當給覆銀層加上電壓之后，兩個銀層之間會形成電場，覆銀層中間是石英晶體，也是這個晶振的**，這一塊兒石英晶體是按照一定方位從二氧化硅上切下來的薄片，形狀為矩形或者圓形。晶振是諧振器和振蕩器的統(tǒng)稱，晶振全稱為晶體振蕩器。陜西常見貼片晶振廠家批發(fā)價

國際電工委員會將有源晶振分四類：SPXO、TCXO、VCXO、OCXO。陜西常見貼片晶振廠家批發(fā)價

晶振是一種頻率元件，材料用的是石英或者水晶，又因其獨特的振蕩功能所以叫做晶振。分為石英晶振，陶瓷晶振，貼片晶振，插件晶振，有源晶振和無源晶振，還有溫補晶振。一般的晶振作用是產(chǎn)生振蕩，晶振有不同的頻率，可以使電路工作在穩(wěn)定的頻率范圍之內(nèi)，它是給集成電路的啟振器件，晶振就是步調(diào)基準、穩(wěn)定頻率、選擇頻率。幾乎所有工業(yè)，科技，車載，數(shù)碼，電子等多個領(lǐng)域都可以用得上晶振。晶振用一種能把電能和機械能相互轉(zhuǎn)化的晶體在共振的狀態(tài)下工作，以提供穩(wěn)定，精確的單頻振蕩陜西常見貼片晶振廠家批發(fā)價

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